Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=адатомы<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Краснов, Павел Олегович, Томилин, Феликс Николаевич, Федоров, Александр Семенович, Толстая А. В.
Заглавие : Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC
Место публикации : Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1207-1211. - ISSN 0044-4537
Примечания : Библиогр.: 21 назв.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--дефекты--адатомы--метод функционала плотности
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 538.915/Т 33
Автор(ы) : Сержантова, Мария Викторовна, Кузубов, Александр Александрович, Федоров, Александр Семенович, Томилин, Феликс Николаевич, Краснов, Павел Олегович
Заглавие : Теоретическое исследование влияния деформации на электронную структуру монослоя гексагонального нитрида бора
Место публикации : Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева. - Красноярск: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева, 2011. - № 3. - С. 150-155. - ISSN 1816-9724
ГРНТИ : 29.19
УДК : 538.915
Предметные рубрики:
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): адатомы--adatoms--hexagonal boron nitride monolayer (h-bn)--density functional theory (dft)--electronic structure--vacancies--монослой гексагонального нитрида бора (h-bn)--теория функционала плотности (dft)--электронная структура--вакансии
Аннотация: Работа посвящена исследованию влияния деформации на электронную структуру и свойства монослоя гексагонального нитрида бора, а также изучению поведения адатомов бора и азота на поверхности монослоя.Work is devoted research of influence of deformation on electronic structure and properties of a monolayer hexagonal boron nitride, and also to behavior studying adatoms of boron and nitrogen on a monolayer surface.
РИНЦ
Найти похожие