Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=атомно-слоевое осаждение<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Волочаев, Михаил Николаевич, Воронин А. С., Евсевская Н. П., Масюгин, Альберт Николаевич, Александровский, Александр Сергеевич, Смолярова T. E., Немцев, Иван Васильевич, Лященко, Сергей Александрович, Бондаренко Г. Н., Тамбасова Е. В.
Заглавие : Структурные, оптические и термоэлектрические свойства тонких ZnO:Al пленок, полученных атомно-слоевым осаждением
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2019. - Т. 61, Вып. 10. - С. 1941-1947. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2019.10.48274.455
Примечания : Библиогр.: 33. - Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект No 17-72-10079).
Аннотация: Тонкие пленки оксида цинка легированного алюминием были выращены с помощью атомно-слоевого осаждения при температуре 200°С. С помощью рентгеновской дифракции было обнаружено, что тонкие ZnO:Al пленки имеют пики от плоскостей (100), (002), (110) и (201) гексагональной фазы ZnO. Плоскости (101) и (102) были обнаружены также с помощью электронной дифракции. Тонкие ZnO:Al пленки растут гладкими со среднеквадратичной шероховатостью Rq равной 0.33 nm и характерными размерами нанокристаллита ~70 и ~15 nm без дополнительных фаз связанных с алюминием или оксидами алюминия. Пропускание на длине волны 550 nm с учетом подложки составляло ~96%. Были найдены коэффициенты преломления и поглощения тонких ZnO:Al пленок в диапазоне длин волн 250-900 nm. Максимальные значения для коэффициентов преломления и поглощения были 2.09 на длине волны 335 nm и 0.39 на длине волны 295 nm соответственно. Оптическая ширина запрещeнной зоны составляла 3.56 eV. Удельное сопротивление, коэффициент Зеебека и фактор мощности тонких ZnO:Al пленок составляли ~1.02·10-3 Ohm·cm, ~-60μV/K и 340 μW·m-1·K-2 при комнатной температуре соответственно. Максимальный фактор мощности достигал 620 μW·m-1·K-2 при температуре 200°C.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Барон, Филипп Алексеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Михлин Ю. Л., Лукьяненко, Анна Витальевна, Коновалов С. О., Зеленов Ф. В., Швец П. В., Гойхман А. Ю., Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42. - ISSN 0320-0116, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292
Примечания : Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008)
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие