Поисковый запрос: (<.>K=дефекты<.>) |
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9 |
1.
| Квантово-химический расчет стабильности и подвижности вакансий в графене/А. М. Кузубов [и др.] // Журнал физической химии:Наука, 2012. т.Т. 86,N № 7.-С.1204-1206
|
2.
| Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC/А. А. Кузубов [и др.] // Журнал физической химии, 2012. т.Т. 86,N № 7.-С.1207-1211
|
3.
| Шабанов В. Ф. Оптика реальных фотонных кристаллов. Жидкокристаллические дефекты, неоднородности/В. Ф. Шабанов, С. Я. Ветров, А. В. Шабанов ; отв. ред. В. В. Слабко. - 2005
|
4.
| Природа активных центров ферросфер в процессе окислительной конденсации метана/А. Г. Аншиц [и др.] // Кинетика и катализ:Наука, 2015. т.Т. 56,N № 4.-С.529-538
|
5.
| Козиев К. С. Исследование структурных фазовых переходов твердых тел с дефектами/К. С. Козиев ; науч. рук. М. Умаров ; науч. конс. А. Л. Кадыров. - 2004
|
6.
| Krakhalev M. N. Point defects in nematic liquid crystal materials with conical anchoring at the interface/M. N. Krakhalev, V. F. Shabanov, V. Ya. Zyryanov // Siberian Journal of Science and Technology, 2020. т.Vol. 21,N Is. 3.-С.433-440;Сибирский журнал науки и технологий
|
7.
| Дефекты атомной структуры и магнитные свойства наночастиц Co-Ni, капсулированных в углеродных на нотрубках/А. А. Зимин, С. В. Комогорцев [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии: BICMM 2010. -Иркутск, 2010.-С.121
|
8.
| Дефекты коллоидных кристаллов/С. В. Карпов, И. Л. Исаев, А. П. Гаврилюк [и др.] // Коллоидный журнал. -Москва:Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука", 2009. т.Т. 71,N № 3.-С.330-341
|
9.
| Дефекты коллоидных кристаллов/С. В. Карпов, И. Л. Исаев [и др.] // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы. -Махачкала, 2009.-С.146
|
|
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Стандартный
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН