Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (68)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=диффузия<.>)
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-14 
1.


    Габуда, Святослав Петрович.
    Диффузия молекул воды в натролите / С. П. Габуда // Докл. АН СССР. - 1962. - Т. 146, № 4. - С. 840-843. - Библиогр.: 9

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Gabuda, S. P.
}
Найти похожие
2.


    Коршунов, Михаил Анатольевич.
    Ускоренная диффузия молекул парадихлорбензола в наночастицах твердого раствора парадибромбензола/парадихлорбензола / M. А. Коршунов // Упорядочение в минералах и сплавах (OMA-2009) = Ordering in Minerals and Alloys : 12th International meeting : 12-й Международный симпозиум : 10-16 октября 2009, г. Ростов-на-Дону, пос. Лоо, Россия. - 2009. - Vol. 1. - P. 259-260

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Korshunov, M. A.; "Ordering in Minerals and Alloys", international meeting(18 ; 2009 ; Sept. ; Rostov-on-Don)"Упорядочение в минералах и сплавах", международный симпозиум(12 ; 2009 ; сент. ; 10-16 ; Ростов-на-Дону, п.Лоо)
}
Найти похожие
3.


    Калинин, Юрий Дмитриевич.
    Диффузия частиц в радиационных поясах : [рецензия] / Ю. Д. Калинин // Геомагнетизм и аэрономия. - 1975. - Т. 15, N 1. - С. 187
Рец. на M. Schulz, L. J. Lanzerotti. - 1974
. - ISSN 0016-7940

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Kalinin, Yu. D.
}
Найти похожие
4.


   
    Светоиндуцированная диффузия газов в поле немонохроматической волны / А. К. Попов, А. М. Шалагин, В. М. Шалаев, В. З. Яхнин // Оптика и спектроскопия. - 1981. - Т. 50, № 3. - С. 598-600 . - ISSN 0030-4034

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Попов, Александр Кузьмич; Popov, A. K.; Шалагин, А. М.; Шалаев, Владимир Михайлович; Shalaev V.M.; Яхнин, Владимир Зорьевич; Yakhnin V.Z.
}
Найти похожие
5.


    Лундин, Арнольд Геннадьевич.
    Молекулярная диффузия и спектры ЯМР твердых тел / А. Г. Лундин, С. П. Габуда // Физ. тверд. тела. - 1968. - Т. 10, Вып. 8. - С. 2516-2519. - Библиогр.

Держатели документа:
Институт физики Сибирского отделения АН СССР

Доп.точки доступа:
Габуда, Святослав Петрович; Gabuda, S. P.; Lundin, A. G.
}
Найти похожие
6.


    Габуда, Святослав Петрович.
    Диффузия молекул воды в гидратах и спектры ЯМР / С. П. Габуда, А. Г. Лундин // Журн. эксперим. и теор. физ. - 1968. - Т. 55, вып. 3. - С. 1066-1076

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лундин, Арнольд Геннадьевич; Lundin, A. G.; Gabuda, S. P.
}
Найти похожие
7.


   
    Одномерный дрейф газа магнитных вихрей в хаотичном поле дефектов / В. А. Орлов, А. А. Иванов, И. Н. Орлова [и др.] // Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXIV международной конференции / прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2021. - Секция 11: Магнитные наноструктуры. - Ст. 11-53-58. - Библиогр.: 3. - Исследование выполнено в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российcкой Федерации (№ темы FSRZ-2020-0011).
Кл.слова (ненормированные):
магнитные вихри -- скирмионы -- диффузия -- закон Аррениуса
Аннотация: работе теоретически решается задача о термоактивированном одномерном движении газа невзаимодействующих магнитных вихрей/скирмионов в поле хаотично расположенных дефектов -закрепляющих центров. Свойства центров закрепления так же могут флуктуировать. Фактор, приводящий в движение газ квазичастиц, может быть любой физической природы (поля, токи, градиенты магнитных характеристик магнетика...).

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович \прогр. ком.\; Iskhakov, R. S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Орлов, Виталий Александрович; Orlov, V. A.; Иванов, Анатолий Александрович; Орлова, И. Н.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Исхаков, Рауф Садыкович; "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция(24 ; 2021 ; 1-8 июля ; Москва); Научный совет по физике конденсированных сред РАН; МИРЭА - Российский технологический университет; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Магнитное общество России
}
Найти похожие
8.


   
    Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ЛИТИЙ -- КРЕМНИЙ -- DFT -- DIFFUSION -- LITHIUM -- SILICON
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие
9.


    Ивлев, В. Ф.
    Положение протонов и диффузия молекул воды в апофиллите KFCa4Si8O20-8H2O [Текст] / И. П. Александрова [и др.] // Кристаллография. - 1968. - Т. 13, Вып. 5. - С. 815-820. - Библиогр.: 7 назв.

Держатели документа:
Институт физики Сибирского отделения АН СССР

Доп.точки доступа:
Заварзина, Н. И.; Габуда, Святослав Петрович; Gabuda, S.P.
}
Найти похожие
10.


    Беляев, Борис Афанасьевич.
    Влияние ионных примесей на импедансные спектры жидких кристаллов / Б. А. Беляев, Н. А. Дрокин, А. Н. Масленников // Жидкие кристаллы и их практическое использование. - 2012. - Вып. 4. - С. 39-46 . - ISSN 1991-3966
Кл.слова (ненормированные):
электрический импеданс -- ионная проводимость -- сурфактант -- релаксация -- диффузия -- жидкие кристаллы -- адсорбция
Аннотация: Проведены исследования полного комплексного сопротивления (импеданса) жидкого кристалла 8СВ, допированного ионным сурфактантом цетил-триметил-аммонием бромистым (ЦТАБ) в диапазоне частот f = 10-2 − 108 Гц. Установлено, что введение ионов в составе сурфактанта приводит к увеличению действительной и мнимой компонент импеданса в области низких частот. Используя метод замещения образца эквивалентной электрической схемой, проведена аппроксимация импедансных спектров и определены электрофизические характеристики материала.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Дрокин, Николай Александрович; Drokin, N.A.; Масленников, Алексей Николаевич; Maslennikov, A.N.; Belyaev B. A.
}
Найти похожие
 1-10    11-14 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)