Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
Регистрация
Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Базы данных
Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска
Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
Место работы автора
в найденном
Найдено в других БД:
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (36)
Формат представления найденных документов:
полный
информационный
краткий
Отсортировать найденные документы по:
автору
заглавию
году издания
типу документа
Поисковый запрос:
(<.>K=кремний<.>)
Общее количество найденных документов
:
17
Показаны документы
с 1 по 17
1.
Автоматизированная система управления
испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии / Н. Н. Косырев [и др.]> //
Кремний
-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 112
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Худяков, Алексей Евгеньевич; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок
кремни
я и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
2.
В34
А 46
Александрова, Галина Алексеевна
.
Количественный анализ в спектроскопии потерь энергии отраженных электронов в кремнии и железо-кремниевых структурах : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 : защищена 17.10.2008 / Г. А. Александрова ; науч. рук. А. С. Паршин ; Сиб. гос. аэрокосм. ун-т им. М. Ф. Решетнева, Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии им А.В. Николаева. - Красноярск, 2008. - 20 с. - Библиогр.: 7 назв. -
ГРНТИ
47.09.29
29.03.31
59.41
Рубрики:
Кремний
--Поверхность--Методы исследования
Смотреть автореферат
,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Паршин, Анатолий Сергеевич \науч. рук.\; Логинов, Ю. Ю. \офиц. опп.\; Фролов, Георгий Иванович \офиц. опп.\; Frolov, G. I.; Aleksandrova, G. A.; Сибирский государственный аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет
}
Найти похожие
3.
В37
В 18
Варнаков, Сергей Николаевич
.
Закономерности формирования фаз и свойства магнитных силицидов переходных металлов в планарных наноструктурах металл/
кремний
[Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Н. Варнаков ; науч. конс. С. Г. Овчинников ; Федер. исслед. центр "Краснояр. науч. центр Сиб. отд-ния Рос. акад. наук", Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2017. - 307 с. - Библиогр.: 407 назв. . -
ГРНТИ
29.19.37
29.19.22
ББК
В373.3я031
Смотреть диссертацию
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. конс.\; Ovchinnikov, S. G.; Varnakov, S. N.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего:
1
ДС (1)
Свободны:
ДС (1)}
Найти похожие
4.
В37
В 18
Варнаков, Сергей Николаевич
.
Закономерности формирования фаз и свойства магнитных силицидов переходных металлов в планарных наноструктурах металл/
кремний
: автореф. дис. на соиск. уч. степени д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Н. Варнаков ; науч. конс. С. Г. Овчинников ; офиц. опп.: А. Б. Грановский, А. Б. Ринкевич, С. В. Цыбуля. - Красноярск, 2017. - 43 с. - Библиогр. -
ГРНТИ
29.19.37
29.19.22
Смотреть автореферат
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. конс.\; Ovchinnikov, S. G.; Грановский, Александр Борисович \офиц. опп.\; Ринкевич, Анатолий Брониславович \офиц. опп.\; Цыбуля, Сергей Васильевич \офиц. опп.\; Varnakov, S. N.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет
}
Найти похожие
5.
Влияние ионов диспрозия
на физические свойства кристалла моносилицида железа / Г. С. Патрин [и др.]> //
Кремний
-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 68
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Закиева, О. В. ; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок
кремни
я и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
6.
Исследование интерфейса мультислоев
Fe/Si методом спектроскопии потерь энергии отраженных электронов / А. С. Паршин, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, Г. А. Александрова> //
Кремний
-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 107
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Паршин, Анатолий Сергеевич; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Александрова, Галина Алексеевна; Aleksandrova, G. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок
кремни
я и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
7.
Исхаков, Рауф Садыкович
.
Синтез и свойства композитов магнитный металл-пористый
кремний
/ Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова, С. В. Комогорцев> //
Кремний
-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 83
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Чеканова, Лидия Александровна; Chekanova, L. A.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.; Iskhakov, R. S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок
кремни
я и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
8.
Исхаков, Рауф Садыкович
.
Структуры на основе пористого
кремни
я и возможное их применение в микроэлектронике / Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова, С. В. Комогорцев> //
Кремний
-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 84
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Чеканова, Лидия Александровна; Chekanova, L. A.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.; Iskhakov, R. S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок
кремни
я и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
9.
Магнитные и резонансные
свойства многослойных магнитных пленок с немагнитной кремниевой прослойкой / Г. С. Патрин [и др.]> //
Кремний
-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 87
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Щеглова М. А.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок
кремни
я и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
10.
Метод импедансной спектроскопии
для исследования электрических свойств пористого
кремни
я [Текст] / Н. А. Дрокин [и др.]> // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2010. -
Т. 53
,
№ 9-2
. - С. 190-191 . - ISSN 0021-3411
ГРНТИ
47.09
УДК
621.315.592
Рубрики:
Кл.слова (ненормированные):
импеданс
--
частотные зависимости
--
пористый
кремний
--
методика измерений
Аннотация:
Описана методика измерений частотных зависимостей активной и реактивной компонент полного комплексного сопротивления (импеданса) пористого
кремни
я в диапазоне частот от 100 Гц до 1 МГц. Предложены эквивалентные схемы электрических цепей, моделирующие дисперсию импеданса и особенности протекания тока непосредственно в области пор и контактов. Выявлены реактивные составляющие проводимости, связанные со сложными извилистыми траекториями движения носителей тока
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Сибирский федеральный университет
Доп.точки доступа:
Дрокин, Николай Александрович; Юзова, Вера Александровна; Кокоуров, Глеб Андреевич; Харлашин, Павел Анатольевич
}
Найти похожие
11.
Многослойные магнитные наноструктуры
на основе
кремни
я, полученные термическим испарением в сверхвысоком вакууме / С. Н. Варнаков [и др.]> //
Кремний
-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 92
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Bondarenko, G. V.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок
кремни
я и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
12.
Наноструктуры на основе
пористого
кремни
я / В. А. Юзова, Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова [и др.]> //
Кремний
-2004 : тезисы докладов совещания. - Иркутск, 2004. - С. 190. - Библиогр.: 1 . - ISBN 5-94797-048-1
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Красноярский государственный технический университет
Доп.точки доступа:
Юзова, Вера Александровна; Исхаков, Рауф Садыкович; Iskhakov, R. S.; Чеканова, Лидия Александровна; Chekanova, L. A.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.; Семенова, О. В.; Фоменко, Н. А.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2004, совещание(2004 ; 5-9 июля ; Иркутск)
}
Найти похожие
13.
Получение и свойства
нанокомпозитных углеродно-кремниевых кластеров / Г. Н. Чурилов, В. А. Лопатин, С. М. Жарков [и др.]> //
Кремний
-2004 : тезисы докладов совещания. - Иркутск, 2004. - С. 189. - Библиогр.: 1. - Фонд "Научный потенциал" (HCF) . - ISBN 5-94797-048-1
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Красноярский государственный технический университет
Доп.точки доступа:
Чурилов, Григорий Николаевич; Churilov, G. N.; Лопатин, Владислав Александрович; Lopatin, V.A.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Булина, Наталья Васильевна; Bulina, N. V.; Внукова, Наталья Григорьевна; Vnukova, N. G.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2004, совещание(2004 ; 5-9 июля ; Иркутск)
}
Найти похожие
14.
Реализация серверного программного
обеспечения для получения кремниевых пленок / А. В. Шайдуров [и др.]> //
Кремний
-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 119
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Шайдуров, А. В.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН;
Кремний
-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок
кремни
я и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
15.
Теоретическое исследование влияния
допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.]> // Вестник СибГАУ. - 2015. -
Т. 16
,
№ 3
. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
Перевод заглавия:
Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия
--
литий
--
кремний
--
кремний
--
допирование
--
метод функционала плотности (DFT)
--
diffusion
--
lithium
--
silicon
--
doping
--
DFT
Аннотация:
В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается
кремний
, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности
кремни
я в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности
кремни
я. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения
кремни
я, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной
кремни
я ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя
кремни
я, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ
,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие
16.
Теоретическое исследование внедрения
атомов лития в
кремний
/ Н. С. Михалева [и др.]> // Вестник СибГАУ. - 2015. -
Т. 16
,
№ 2
. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
Перевод заглавия:
Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ
--
ЛИТИЙ
--
КРЕМНИЙ
--
DFT
--
DIFFUSION
--
LITHIUM
--
SILICON
Аннотация:
Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои
кремни
я (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности
кремни
я (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.
РИНЦ
,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие
17.
Технологический процесс изготовления
активных устройств ферромагнетик/
кремний
и их транспортные свойства / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.]> // Поверхность. - 2021. -
№ 1
. - С. 74-79,
DOI
10.31857/S1028096021010106. - Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022) . - ISSN 1028-0960
Кл.слова (ненормированные):
кремний
-на-изоляторе
--
транзистор
--
барьер Шоттки
--
электронная литография
--
нанопроволока
--
реактивно-ионное травление
--
электронный транспорт
Аннотация:
Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек
кремни
я-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.
Смотреть статью
,
РИНЦ
Переводная версия
Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties [Текст] / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, L. V. Shanidze [et al.] // J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15 Is. 1.- P.65-69
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
Доп.точки доступа:
Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Шанидзе, Лев Викторович; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Зеленов, Ф. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие
полный формат
краткий формат
все найденные
отмеченные
кроме отмеченных
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Другие библиотеки
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)