1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Никитин, Станислав Евгеньевич, Попков, Сергей Иванович, Петров, Михаил Иванович, Терентьев, Константин Юрьевич, Семенов, Сергей Васильевич, Шайхутдинов, Кирилл Александрович
Заглавие : Особенности магнетосопротивления двухслойного монокристаллического манганита La1,4Sr1,6Mn2O7
Коллективы :
Сибирский молодежный семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур – ОКНО 2014 (X; 13 - 14 ноября 2014 г.; Новосибирск)
Место публикации : Вестник НГУ. Физика: Новосибирский государственный университет, 2015. - Т. 10, Вып. 1. - С. 63-66. - ISSN 1818-7994
Примечания : Библиогр.: 8
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): манганиты лантана--положительное магнетосопротивление--manganite--positive magnetoresistance
Аннотация: Представлены результаты исследования магнетосопротивления на двухслойном монокристаллическом манганите лантана La1,4Sr1,6Mn2O7 при пропускании транспортного тока вдоль оси с ( j ‖ c ) и приложении внешнего магнитного поля H ‖ j и H ⊥ j. В монокристалле La1,4Sr1,6Mn2O7 в случае, когда H ⊥ j, помимо присущего всем замещенным манганитам лантана отрицательного магнетосопротивления в температурном диапазоне T 60 K, обнаружен эффект положительного магнетосопротивления. Механизм возникновения данного эффекта принципиально отличается от эффекта колоссального магнетосопротивления, присущего всем манганитам лантана. Мы считаем, что появление положительного магнетосопротивления вызвано спин-зависимым туннелированием носителей между марганец-кислородными бислоями, при данной конфигурации «магнитное поле - ток», и может быть объяснено особенностями магнитной структуры данных составов.We investigate magnetoresistance of single-crystal bilayer lanthanum manganite La1.4Sr1.6Mn2O7 at a transport current flowing along the crystal c axis and in external magnetic fields applied parallel to the crystal c axis or ab plane. It is demonstrated that the La1.4Sr1.6Mn2O7 manganite exhibits the positive magnetoresistance effect in the magnetic field applied in the ab plane of the sample at the temperatures T 60 K. The mechanism of this effect is shown to be fundamentally different from the colossal magnetoresistance effect typical of lanthanum manganites. The positive magnetoresistance originates from spin-dependent tunneling of carriers between the manganese-oxygen bilayers and can be explained by features of the magnetic structure of the investigated compounds.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН