Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=метод функционала плотности<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Краснов, Павел Олегович, Томилин, Феликс Николаевич, Федоров, Александр Семенович, Толстая А. В.
Заглавие : Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC
Место публикации : Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1207-1211. - ISSN 0044-4537
Примечания : Библиогр.: 21 назв.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--дефекты--адатомы--метод функционала плотности
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)