Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=микрополосковая структура<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бабицкий, Александр Николаевич, Беляев, Борис Афанасьевич, Лексиков, Александр Александрович
Заглавие : Векторный магнитометр слабых квазистационарных магнитных полей на микрополосковой структуре с тонкой магнитной пленкой
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8/2. - С. 275-278
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микрополосковая структура--тонкая магнитная пленка--датчик магнитного поля--векторный магнитометр--microstrip structure--thin magnetic film--vector magnetometer
Аннотация: Разработан и исследован высокочувствительный трехкомпонентный магнитометр слабых квазистационарных магнитных полей. Датчиками магнитометра служат резонансные микрополосковые структуры, содержащие в качестве активной среды тонкие магнитные пленки.Highly-sensitive 3-D magnetometer of weak quasi-stationary magnetic fields is designed and investigated. Resonant microstrip structures containing thin magnetic films plying role of an active medium serve as sensors in the magnetometer.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бабицкий, Александр Николаевич, Беляев, Борис Афанасьевич, Лексиков, Александр Александрович
Заглавие : Активная магнитная антенна на микрополосковой структуре
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8/2. - С. 271-274
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микрополосковая структура--тонкая магнитная пленка--датчик магнитного поля--активная магнитная антенна--microstrip structure--thin magnetic film--active magnetic antenna
Аннотация: Разработана и исследована активная антенна, чувствительная к слабым высокочастотным магнитным полям. Датчиком антенны служит резонансная микрополосковая структура, содержащая тонкую металлическую магнитную пленку из пермаллоя. Антенна с одинаковой чувствительностью работает в диапазоне 10(3)–10(7) Гц, при этом ее динамический диапазон 10(–5)–10(–12) Тл.Active antenna sensitive to weak radio-frequency magnetic fields is designed and investigated. A resonant microstrip structure containing thin metallic magnetic permalloy film serves as a sensor of the antenna. The antenna works withthe same sensitivity in the 10(3)–10(7) Hz band with dynamic range 10(–5)–10(–12) T.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Govorun I. V., Leksikov A. A., Serzhantov A. M.
Заглавие : Compact microwave power limiter with htsc element
Место публикации : J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2018. - Vol. 11, Is. 1. - P.35-39. - ISSN 19971397 (ISSN), DOI 10.17516/1997-1397-2018-11-1-35-39; Журн. СФУ. Сер. "Математика и физика"
Примечания : Cited References: 9. - The work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, grant СП-3036.2016.3. of the President of the Russian Federation for State Support of Young Russian Scientists.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): power limiter--microwave--damping pole--microstripe structure--htsc--ограничитель мощности--свч--полюс затухания--микрополосковая структура--втсп
Аннотация: A design of microwave power limiter having a structure of three-pole microstrip filter is developed. In the device outer resonators are coupled through an inner resonator containing high-temperature super- conducting film. Prototype of the device with central frequency 7.9 GHz and relative bandwidth 9% has insertion loss 1.5 dB in the open state and suppress a signal not less 30 dB in the limitation state.Была разработана конструкция ограничителя СВЧ-мощности, имеющая структуру трехзвенного микрополоскового фильтра. В устройстве внешние резонаторы связаны посредством внутреннего, содержащего ВТСП-пленку. Макет устройства с центральной частотой 7.9 ГГц и относительной полосой пропускания 9% имеет потери 1.5 дБ в открытом состоянии и не менее 30 дБ ослабления в режиме ограничения.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Afonin A. O., Alexandrovsky A. S., Govorun I. V., Leksikov A. A., Ugryumov A. V., Ogorodnikov D. K.
Заглавие : Dual band HTSC power limiter
Колич.характеристики :7 с
Место публикации : J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2024. - Vol. 17, Is. 2. - P.162-168. - ISSN 19971397 (ISSN); Журн. СФУ. Матем. и физ.
Примечания : Cited References: 10
Аннотация: A new construction of dual band HTSC power limiter is proposed. The device consists of two microstrip bandpass filters. Each filter consists of two quarter-wave resonators which couple through a composite half-wave resonator with HTSC-element. The prototype of the device in the open mode has operation passband of about 10% and 11% with central frequency being equal to 1.48 GHz and 2.03 GHz, the minimum loss in the passband is equal 1.9 dB and 1.7 dB for LF-channel and HF-channel correspondingly. The transfer characteristics of the device were investigated in the case of microwave power level up to 3.15 W.Предложена новая конструкция ВТСП ограничителя мощности с двумя рабочими полосами. Ограничитель содержит два микрополосковых полосно-пропускающих фильтра. Каждый фильтр состоит из двух четвертьволновых резонаторов, которые связаны между собой через составной полуволновый резонатор, содержащий пленку из высокотемпературного сверхпроводника. Макет устройства в открытом режиме имеет ширины рабочих полос пропускания 10% и 11% с центральными частотами 1.48 ГГц и 2.03 ГГц. Минимальные вносимые потери составили 1.9 дБ и 1.7 дБ для НЧ- и ВЧ-каналов соответственно. Передаточные характеристики устройства были исследованы до уровня СВЧ-мощности 3.15 Вт.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие