1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Воронин А. С., Евсевская Н. П., Кузнецов Ю. М., Лукьяненко, Анна Витальевна, Тамбасова Е. В., Горнаков М. О., Дорохин М. В., Логинов Ю. Ю.
Заглавие : Экспериментальное исследование коэффициента теплопроводности в тонких пленках на основе одностенных углеродных нанотрубок
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2020. - Т. 62, Вып. 6. - С. 960-964. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2020.06.49358.625
Примечания : Библиогр.: 21. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта: ”Исследование коэффициента теплопроводности и структурных особенностей в тонких наноструктурированных оксидных пленках, перспективных для термоэлектрического применения“ (проект No 18-42-243010) и стипендии Президента Российской Федерации (СП-2235.2019.1)
Аннотация: Тонкие пленки на основе одностенных углеродных нанотрубок с толщиной от 11±3 до 157± 18 nm были сформированы с помощью вакуумной фильтрации. Коэффициент теплопроводности в тонких пленках был исследован в зависимости от толщины и температуры до 450 K с помощью 3omega-метода. Обнаружено, что в области 49 nm подведенное тепло от золотой полоски начинало эффективно распространяться в плоскость тонкой пленки. Коэффициент теплопроводности для тонких пленок с толщиной от 49± 8 nm был измерен согласно 3omega-метода для объемных образцов. Было обнаружено, что коэффициент теплопроводности в тонких пленках на основе одностенных углеродных нанотрубок сильно зависит от толщины и температуры. Коэффициент теплопроводности резко повышался (~ 60 раз) при увеличении толщины с 11± 3 до 65± 4 nm. Kроме этого, было выявлено, что коэффициент теплопроводности для 157± 18 nm тонкой пленки стремительно уменьшался с 211± 11 до 27.5± 1.4 W·m-1·K-1 для 300 и 450 K соответственно.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ,
РИНЦ
Найти похожие
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН