Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (326)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводники<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-14

Романова, Оксана Борисовна.
Влияние электронного и дырочного допирования на транспортные характеристики халькогенидных систем / О. Б. Романова, С. С. Аплеснин, Л. В. Удод // Физ. тверд. тела. - 2021. - Т. 63, Вып. 5. - С. 606-609, DOI 10.21883/FTT.2021.05.50808.269. - Библиогр.: 21. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и БРФФИ в рамках научного проекта N 20-52-00005 . - ISSN 0367-3294
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- проводимость -- константа Холла -- подвижность
Аннотация: Проведены исследования электрических свойств и эффекта Холла в полупроводниковых соединениях Ag0.01Mn0.99S и Tm0.01Mn0.99S в интервале температур 80-400 K в магнитном поле 12 kOe. Установлен механизм проводимости, зависящий от типа допирования и концентрации из вольт-амперных характеристик. При замещении марганца серебром найден моттовский тип, а замещение тулием вызывает омическую проводимость. Из константы Холла найдена подвижность и тип носителей заряда.

Смотреть статью,
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Romanova O. B. Effect of electron and hole doping on the transport characteristics of chalcogenide systems [Текст] / O. B. Romanova, S. S. Aplesnin, L. V. Udod // Phys. Solid State. - 2021. - Vol. 63 Is. 5.- P.754-757

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Удод, Любовь Викторовна; Udod, L. V.; Romanova, O. B.
}
Найти похожие

    Аверьянов, Евгений Михайлович.
    Новые методы исследования ориентационного порядка одноосных молекулярных пленок на основе оптических данных / Е. М. Аверьянов // Жидк. кристаллы и их практич. использ. - 2020. - Т. 20, № 1. - С. 41-46 ; Liq. Cryst. Appl., DOI 10.18083/LCAppl.2020.1.41. - Библиогр.: 7 . - ISSN 1991-3966
   Перевод заглавия: New methods for studying the orientation order of uniaxial molecular films on the base of optical data
Кл.слова (ненормированные):
тонкие молекулярные пленки -- органические полупроводники -- PTCDA -- ориентационный порядок -- эффекты локального поля -- molecular thin films -- organic semiconductors -- PTCDA -- orientation order -- local-field effects
Аннотация: Установлена связь компонент ε(1,2)j(ω) диэлектрической функции εj(ω) = ε1j(ω) + iε2j(ω) для одноосной молекулярной пленки в области изолированной полосы поглощения света, поляризованного вдоль (j = ||) и нормально (j = ⊥) оптической оси пленки, с параметром ориентационного порядка S дипольных моментов молекулярных переходов, отвечающих данной полосе поглощения. Развиты новые методы определения S, подтвержденные для пленки органического полупроводника PTCDA нанометровой толщины с известными зависимостями ε(1,2)j(ω) в областях прозрачности и низкочастотного электронного поглощения. Показано влияние ориентационного порядка и анизотропии динамических диполь-дипольных межмолекулярных взаимодействий (эффектов локального поля) на положение максимумов полос ε2j(ω).
The components ε(1,2)j(ω) of the dielectric function εj(ω) = ε1j(ω) + iε2j(ω) for uniaxial molecular film in the region of an isolated absorption band of the light polarized along (j = ||) and across (j = ⊥) the film optical axis were considered. The connection of the components with the orientation order parameter S of the dipole moments of molecular transitions corresponding to a given absorption band was established. New methods for determining S are developed. They are confirmed for the organic semiconductor PTCDA film of nanoscale thickness with the known dependences ε(1,2)j(ω) in the transparency and low-frequency electron absorption regions. The effect of the orientation order and anisotropy of dynamic dipole-dipole intermolecular interactions (local-field effects) on the maxima position of the ε2j(ω) bands was shown.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН, Академгородок, 50, строение № 38, 660036 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Aver'yanov, E. M.

}
Найти похожие

Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25 / М. Н. Волочаев [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185. - Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6). . - ISSN 0015-3222
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- многослойные структуры -- оксидные полупроводники -- прыжковая проводимость -- термическая стабильность
Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия

Доп.точки доступа:
Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Калинин, Ю. Е.; Каширин, М. А.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Бассараб, В. В.
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Вольт-амперная характеристика джозефсоновского перехода, сформированного регулярной структурой спиновых димеров [Текст] / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // "Полупроводники 2015" : тезисы докладов [XII Рос. конф. по физике полупроводников]. - 2015. - С. 287

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Val'kov, V. V.; Российская конференция по физике полупроводников(12 ; 2015 ; 21-25 сент. ; Ершово, Моск. обл.); Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН; Московский государственный университет им. М.В. ЛомоносоваИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Научный совет по физике полупроводников Отделения физических наук РАН
}
Найти похожие

Оптические и структурные свойства плёнок β-FeSi2/Si(001), полученных соосаждением в сверхвысоком вакууме при различных соотношениях потоков Fe и Si / И. А. Тарасов [и др.] // Сборник трудов IX международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". - СПб., 2014. - С. 351-352

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.; Крылов, Александр Сергеевич; Krylov, A. S.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", международная конференция (9 ; 2014 ; июль; 7-10 ; Санкт-Петребург)
}
Найти похожие

Лазерно-индуцированная микромодификация поверхностного слоя дисульфида меди-хрома / А. А. Жохова [и др.] // Сборник трудов IX международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". - СПб., 2014. - С. 195-196

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Жохова, А. А.; Vetrov S.Y.; Абрамова, Галина Михайловна; Abramova, G. M.; Крылов, Александр Сергеевич; Krylov, A. S.; Шабанов, Александр Васильевич; Shabanov, A. V.; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.; "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", международная конференция (9 ; 2014 ; июль; 7-10 ; Санкт-Петребург)
}
Найти похожие

Магнитоимпеданс в сульфиде марганца, замещенного лютецием / М. Н. Ситников, С. С. Аплеснин, А. М. Харьков [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2023. - Т. 65, Вып. 2. - С. 219-225, DOI 10.21883/FTT.2023.02.54293.527. - Библиогр.: 28. - Работа выполнена при поддержке гранта Президента Российской Федерации № MK-620.2021.1.2 . - ISSN 0367-3294. - ISSN 1726-7498
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- импеданс -- магнитоимпеданс -- затухание ультразвука
Аннотация: Исследованы компоненты импеданса, импеданс твердого раствора LuxMn1-xS (x < 0.2) в интервале температур 80-500 K и частот 100-106 Hz. Найдена смена знака магнитоимпеданса по концентрации и температуре. Определен вклад реактивной и активной компонент в магнитоимпеданс. Установлена корреляция температур магнитоимпеданса с температурами максимумов затухания ультразвука и электрозвука. Частотные зависимости реактивной части импеданса описываются в модели Коул-Коула.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Magnetoimpedance in manganese sulfide substituted with lutetium [Текст] / M. N. Sitnikov, S. S. Aplesnin, A. M. Kharkov [et al.] // Phys. Solid State. - 2023. - Vol. 65 Is. 2.- P.211-217

Держатели документа:
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Ситников, Максим Николаевич; Sitnikov, M. N.; Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Харьков, А. М.; Абдельбаки, Х.; Зеленов, Ф. В.
}
Найти похожие

    Тезисы докладов на совещании по ферромагнетизму и антиферромагнетизму / Акад. наук СССР, Науч. совет по пробл. "Физ. магн. явл.", Ин-т полупроводников ; отв. ред.: С. В. Вонсовский, Г. А. Смоленский. - М. ; Л. : Изд-во АН СССР, 1961. - 154 с. - Библиогр. в конце ст. - 1000 экз. - Б. ц.
    Содержание:
Лаптей, Дмитрий Алексеевич. Влияние ультразвукового воздействия и переменных магнитных полей на доменную структуру кремнистого железа при намагничивании / Д. А. Лаптей, В. С. Черкашин. - С .40
Власов, Александр Яковлевич. Скачки магнитострикции и намагниченности в никеле / А. Я. Власов, Ю. Д. Тропин. - С .35
Пак, Н. Г. Осциллографирование петли гистерезиса тонких плоских ферромагнитных пленок с помощью магнитооптического эффекта Керра / Н. Г. Пак, С. В. Кан. - С .142-143
Прокопенко, В. С. О механизме медленного перемагничивания пленок / В. С. Прокопенко, С. В. Кан. - С .110-111
Ким, Пётр Дементьевич. О длительности скачков перемагничивания / П. Д. Ким, А. М. Родичев. - С .35
Игнатченко, Вальтер Алексеевич. Ферромагнитный резонанс в тонких ферромагнитный пленках / В. А. Игнатченко, М. К. Савченко. - С .127
Савченко, Михаил Кириллович. Исследование граничных слоев меду доменами в ферромагнетиках / М. К. Савченко, В. И. Синегубов. - С .28
Ким, Пётр Дементьевич. Необратимое перемагничивание отдельных областей в тонких рленках / П. Д. Ким, А. М. Родичев. - С .111
Родичев, Александр Михайлович. К теории перемагничивания тонких ферромагнитных пленок в сильных полях / А. М. Родичев, Э. Н. Руманов. - С .106
Явления ферромагнитного и антиферромагнитного резонанса, процессы релаксации, магнитные спектры
Ферромагнетизм в мелких частицах (порошках) и тонких пленках
Игнатченко, Вальтер Алексеевич. Спонтанная анизотропия тонких ферромагнитных пленок / В. А. Игнатченко. - С .113
Методы исследования
Изучение процессов намагничивания ферро- и антиферромагнетиков и их магнитной (доменной) структуры
Ферромагнитные и антиферромагнитные полупроводники-ферриты
Ферромагнитные металлы и сплавы
Киренский, Леонид Васильевич. Вращательный гистерезис магнитострикции в ферромагнетиках / Л. В. Киренский, В. С. Афошин. - С .37-38
Киренский, Леонид Васильевич. Границы доменов тонких ферромагнитных пленок и их поведение в магнитном поле / Л. В. Киренский, В. А. Буравихин. - С .109
Саланский, Наум Моисеевич. Обратимые и необратимые процессы при перемагничивании монокристаллов кремнистого железа / Н. М. Саланский, А. М. Родичев, В. А. Буравихин. - С .27
Киренский, Леонид Васильевич. Изучение процессов намагничивания и перемагничивания тонких магнитных пленок с помощью кинофильмирования / Л. В. Киренский [и др.]. - С .105
Другие авторы: Савченко М. К., Буравихин В. А., Кан, Сергей Викторович
Киренский, Леонид Васильевич. Динамика доменной структуры в процессе намагничивания / Л. В. Киренский, Д. А. Лаптей, И. Ф. Дегтярёв. - С .23-24
Киренский, Леонид Васильевич. Температурная зависимость первой константы анизотропии и магнитная структура железо-марганцевых ферритов / Л. В. Киренский [и др.]. - С .59
Другие авторы: Дрокин А. И., Дылгеров В. Д., Судаков Н. И., Загирова Е. К.
Игнатченко, Вальтер Алексеевич. Поведение доменной структуры на монокристалле кремнистого железа под действием магнитного поля / В. А. Игнатченко, И. Ф. Дегтярёв, Ю. В. Захаров. - С .26
Киренский, Леонид Васильевич. Доменная структура и коэрцитивная сила тонких ферромагнитных пленок / Л. В. Киренский, В. А. Буравихин, А. Г. Звегинцев. - С .107
Савченко, Михаил Кириллович. Влияние технологии получения тонких магнитных пленок на их анизотропию / М. К. Савченко [и др.]. - С .113
Другие авторы: Судаков Н. И., Изотова Т. П., Преснецов В. Н.
Киренский, Леонид Васильевич. Поведение доменной структуры тонких ферромагнитных пленок с изменением температуры / Л. В. Киренский, С. В. Кан, М. К. Савченко. - С .106
Киренский, Леонид Васильевич. К вопросу о прямоугольности петли гистерезиса / Л. В. Киренский, А. М. Родичев, Н. М. Саланский. - С .24-25
Дрокин, Александр Иванович. О безгистерезисных кривых намагничивания ферромагнитных металлов / А. И. Дрокин [и др.]. - С .29
Другие авторы: Черкашин В. С., Смолин Р.П., Ершов, Радий Ефимович
Власов, Александр Яковлевич. Термомагнитные свойства элинвара / А. Я. Власов [и др.]. - С .86
Другие авторы: Лаптей Д. А., Смолин Р.П., Аюрзанайн Б. А.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Вонсовский, Сергей Васильевич \отв. ред.\; Смоленский, Георгий Анатольевич \отв. ред.\; Ершов, Радий Ефимович; Судаков, Н. И.; Загирова, Е. К.; Аюрзанайн, Б. А.; Кан, Сергей Викторович; Преснецов, В. Н.; Академия наук СССР; Научный совет по проблеме "Физика магнитных явлений" АН СССР; Институт полупроводников АН СССР; Совещание по ферромагнетизму и антиферромагнетизму (1961 ; 5-11 мая ; Ленинград)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

   В37
   Г 12

    Гавричков, Владимир Александрович.
    Многоэлектронная теория оптических и электрических свойств ферромагнитных хромовых шпинелей : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 : защищена 10.03.1989 / В. А. Гавричков ; науч. рук. С. Г. Овчинников ; офиц. опп.: И. Н. Яссиевич, Е. В. Кузьмин ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг. Сиб. физ.-техн. ин-т ТГУ. - Красноярск, 1988. - 20 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.19.31

29.19.37

Рубрики:
Полупроводники магнитные--Свойства физические--Исследование

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. рук.\; Яссиевич, И. Н. \офиц. опп.\; Кузьмин, Евгений Всеволодович \офиц. опп.\; Gavrichkov, V. A.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР; Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета
Свободных экз. нет}
Найти похожие

10.

   В37

    Чжан, Анатолий Владимирович.
    Доменная структура и процессы намагничивания пленок магнитного полупроводника CdCr[[d]]2[[/d]]Se[[d]]4[[/d]] : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 : защищена 20.06.1986 / А. В. Чжан ; науч. рук.: П. Д. Ким, Н. А. Дрокин ; офиц. опп.: С. Г. Овчинников, А. А. Лепишев ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Ин-т общ. физики. - Красноярск, 1986. - 19 с. - Библиогр.: 5 назв. . - 100 экз. -

ГРНТИ

Рубрики:
Полупроводники магнитные--Пленки тонкие--Исследование

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ким, Петр Дементьевич \науч. рук.\; Дрокин, Николай Александрович \науч. рук.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич \офиц. опп.\; Лепишев, А. А. \офиц. опп.\; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР; Институт общей физики АН СССР
Свободных экз. нет}
Найти похожие