1.
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания :
Автор(ы) : Семенова О. В., Патрушева Т. Н., Юзова В. А., Лемберг, Константин Вячеславович, Раилко М. Ю., Подорожняк С. А., Холькин А. И.
Заглавие : Влияние режимов обработки конденсаторных структур на основе пористого кремния и сегнетоэлектрика на их диэлектрические потери в ВЧ- и СВЧ-диапазонах
Место публикации : Хим. технол. - 2022. - Т. 23, № 4. - С. 168-173. - ISSN 1684-5811, DOI 10.31044/1684-5811-2022-23-4-168-173 Примечания : Библиогр.: 9
Аннотация: В высокочастотных приложениях в текущем десятилетии нынешнего века получили развитие конденсаторы с использованием кремниевых материалов и технологий. С целью уменьшения диэлектрических потерь кремниевых конденсаторов в области ВЧ- и СВЧ-диапазонов рассмотрена возможность создания конденсаторных структур на основе пористого кремния с внедренными в поры оксидными сегнетоэлектриками — титанатами бария и стронция, которые имеют размытый фазовый переход. Проведены исследования по созданию сегнетоэлектрических структур на основе матрицы пористого кремния с внедрением титаната бария и титаната стронция с помощью метода электрохимического анодирования и экстракционно-пиролитического метода. Проведены экспериментальные исследования диэлектрических потерь конденсаторных структур на основе матрицы пористого кремния с внедренным сегнетоэлектриком, которые показали возможность применения полученных конденсаторных структур в ВЧ- и СВЧ-диапазонах.
Смотреть статью, РИНЦ Найти похожие
|