1.
|
Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25 / М. Н. Волочаев [и др.]> // Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185. - Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6).
. - ISSN 0015-3222 Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- многослойные структуры -- оксидные полупроводники -- прыжковая проводимость -- термическая стабильность Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.
Смотреть статью, РИНЦ, Читать в сети ИФ Переводная версия
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия Доп.точки доступа: Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Калинин, Ю. Е.; Каширин, М. А.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Бассараб, В. В. } Найти похожие
|