1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Волочаев, Михаил Николаевич, Калинин Ю. Е., Каширин М. А., Макагонов В. А., Панков С. Ю., Бассараб В. В.
Заглавие : Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25
Место публикации : Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511. - ISSN 0015-3222, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185
Примечания : Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6).
Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН