Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электронный транспорт<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Вальков, Валерий Владимирович, Аксенов, Сергей Владимирович, Уланов Е. А.
Заглавие : Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
Место публикации : Физ. низких температур: Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины, 2015. - Т. 41, Вып. 2. - С. 129-138. - ISSN 0132-6414
Примечания : Библиогр.: 33. - Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные системы», Российского фонда фундаментальных исследований (гранты No3-02-00523, No13-02-98013, No14-02-31280).Один из авторов (С.В.А.) выражает благодарность гранту Президента РФ МК-526.2013 и стипендии Президента РФ СП-6361.2013.5 за оказанную поддержку.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): техника келдыша--атомное представление--отрицательная дифференциальная проводимость--электронный транспорт--наноразмерные материалы--туннелирование
Аннотация: Представлено решение задачи о квантовом транспорте электронов через магнитный атом, адсорбированный в разломный контакт между металлическими парамагнитными электродами. В соответствии с экспериментальными данными считалось, что электроны проводимости испытывают неупругое рассеяние на адсорбате, связанное с инициируемыми s - d ( f )-обменным взаимодействием переходами между магнитными подуровнями. При получении общего выражения, описывающего ток через многоуровневую структуру при конечных температурах, для вычисления неравновесных функций Грина применен метод Келдыша. Введение атомного представления позволило точно учесть неэквидистантную структуру энергетического спектра магнитного атома и применить теорему Вика для построения неравновесной диаграммной техники для операторов Хаббарда. Показано, что в магнитном поле вольт-амперные характеристики магнитного адатома с туннельной связью при низких температурах содержат участки с отрицательной дифференциальной проводимостью.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукьяненко, Анна Витальевна, Тарасов, Антон Сергеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Волочаев, Михаил Николаевич, Зеленов Ф. В., Яковлев, Иван Александрович, Бондарев, Илья Александрович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства
Место публикации : Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79. - ISSN 1028-0960, DOI 10.31857/S1028096021010106
Примечания : Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022)
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие