Поисковый запрос: (<.>K=Bias<.>) |
Общее количество найденных документов : 48
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Эффекты обменного смещения и магнитной близости в трехслойных пленках FeNi/V2O3/FeNi/Г. С. Патрин, А. В. Кобяков, В. И. Юшков [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии. -Иркутск, 2023.-С.71-72
|
2.
| Морфология границ и обменное смещение в системе AL2O3 – кобальт/А. В. Кобяков, Г. С. Патрин, В. И. Юшков, Н. Н. Косырев // Новое в магнетизме и магнитных материалах, 2024,N Секция 8 [Сборник 8]:Магнитные пленки, многослойные и ван-дер-ваальсовы структуры.-С.5-8
|
3.
| Микромагнитное моделирование и численный анализ процессов перемагничивания двухслойных тонкопленочных структур ферромагнетик/антиферромагнетик/Б. А. Беляев [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика, 2013. т.Т. 56,N № 8/2.-С.230-232
|
4.
| The role of the semiconductor layer in the exchange-bias film structure of CoNi / Si / FeNi / Si with a spin spring effect/A. V. Kobyakov [et al.] // Journal of Physics: Conference Series, 2019. т.Vol. 1389,N Is. 1.- Ст.012028
|
5.
| The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device/N. V. Volkov [et al.] // Journal of Surface Investigations. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques:MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. т.Vol. 9,N Is. 5.-С.984-994
|
6.
| The magnetic-field-driven effect of microwave detection in a manganite granular system/N. V. Volkov [et al.] // Journal of Physics D - Applied Physics, 2008. т.Vol. 41,N Is. 1.- Ст.15004
|
7.
| The investigation of long-range exchange interaction in spin valve structures/P. D. Kim [et al.] // Solid State Phenomena:Trans Tech Publications, 2014. т.Vol. 215:Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013).-С.489-494
|
8.
| The bias-controlled magnetoimpedance effect in a MIS structure/D. A. Smolyakov [et al.] // Solid State Phenomena:Trans Tech Publications Ltd, 2015. т.Vol. 233-234:Achievements in Magnetism.-С.451-455
|
9.
| The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier/N. V. Volkov [et al.] // Applied Physics Letters:American Institute of Physics, 2014. т.Vol. 104,N Is. 22.- Ст.222406
|
10.
| The Bias-Controlled Frequency-Dependent ac Transport Properties of the FeNi/SiO2/p-Si Schottky Diode/A. O. Gustaitsev [et al.] // Internnational conference "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", 2015.-С.84
|
|
|
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Стандартный
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН