Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Insulator<.>)
Общее количество найденных документов : 86
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Ovchinnikov S. G. Analysis of the sequence of insulator-metal phase transitions at high pressure in systems with spin crossovers/S. G. Ovchinnikov // Journal of Experimental and Theoretical Physics, 2013. т.Vol. 116,N Is. 1.-С.123-127
2.

New magnetic materials Cu x Mn1 − x S with a metal-insulator transition/G. M. Abramova [et al.] // Physics of the Solid State:MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. т.Vol. 54,N Is. 3.-С.531–536
3.

Metallic transition of the colossal magnetoresistance material FexMn1-xS (x= 0.18) under high pressure/Y. Mita [et al.] // Journal of the Korean Physical Society, 2013. т.Vol. 63,N Is. 3.-С.325-328
4.

Magnetic-field- and bias-sensitive conductivity of a hybrid Fe/SiO 2/p-Si structure in planar geometry/N. V. Volkov [et al.] // Journal of Applied Physics, 2011. т.Vol. 109,N Is. 12.- Ст.123924
5.

Ovchinnikov S. G. Temperature and field dependent electronic structure and magnetic properties of LaCoO3 and GdCoO3/S. G. Ovchinnikov, Yu. S. Orlov, V. A. Dudnikov // Journal of Magnetism and Magnetic Materials:Elsevier Science BV, 2012. т.Vol. 324,N Is. 21.-С.3584-3587
6.

Nikolaev S. V. Effect of hole doping on the electronic structure and the Fermi surface in the Hubbard model within norm-conserving cluster pertubation theory/S. V. Nikolaev, S. G. Ovchinnikov // Journal of Experimental and Theoretical Physics:MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. т.Vol. 114,N Is. 1.-С.118-131
7.

The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier/N. V. Volkov [et al.] // Applied Physics Letters:American Institute of Physics, 2014. т.Vol. 104,N Is. 22.- Ст.222406
8.

Reversible UV induced metal-semiconductor transition in In2O3 thin films prepared by autowave oxidation/I. A. Tambasov [et al.] // Semiconductor Science and Technology:IOP Publishing, 2014. т.Vol. 29,N Is. 8.- Ст.82001
9.

A comparative study of transport properties of composites HTSC+MgTiO3 and HTSC + NiTiO3. The effect of paramagnetic NiTiO3/M. I. Petrov, D. A. Balaev, K. A. Shaikhutdinov, K. S. Aleksandrov // Physica C-Superconductivity and its Applications, 2000. т.Vol. 341-348,N Pt. 3.-С.1863-1864
10.

Lobach K. A. Specific features of insulator-metal transitions under high pressure in crystals with spin crossovers of 3d ions in tetrahedral environment/K. A. Lobach, S. G. Ovchinnikov, T. M. Ovchinnikova // Journal of Experimental and Theoretical Physics:MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. т.Vol. 120,N Is. 1.-С.132-138
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)