Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Lithium<.>)

Общее количество найденных документов : 49
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-49

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Попов, Захар Иванович, Федоров, Александр Семенович, Сержантова, Мария Викторовна, Денисов, Виктор Михайлович, Томилин, Феликс Николаевич
Заглавие : Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736. - DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Попов, Захар Иванович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163. - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Михалева Н. С., Кузубов, Александр Александрович, Попов, Захар Иванович, Еремина А. Д., Высотин, Максим Александрович
Заглавие : Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 55
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--dft--diffusion--lithium--silicon
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Михалева Н. С., Попов, Захар Иванович, Краснов, Павел Олегович, Николаева К. М.
Заглавие : Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--кремний--допирование--метод функционала плотности (dft)--diffusion--lithium--silicon--doping--dft
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Vyunishev A. M., Aleksandrovsky A. S., Zaitsev A. I., Slabko V. V.
Заглавие : Čerenkov nonlinear diffraction in random nonlinear photonic crystal of strontium tetraborate
Место публикации : Appl. Phys. Lett.: American Institute of Physics, 2012. - Vol. 101, Is. 21. - Ст.211114. - ISSN 0003-6951, DOI 10.1063/1.4767385
Примечания : Cited References: 29. - The work was supported by RFBR through the Grant No. 12-02-31167, by the Ministry of Education and Science of Russian Federation (Contract No. 14.B37.21.0730 and Grant No. 2.1.1/3455), by RAS Projects 24.29 and 24.31, by PSB RAS Projects 2.5.2 and 3.9.5, by SB RAS Projects 43 and 101, and by SFU Grant F12.
Предметные рубрики: POLED LITHIUM-NIOBATE
2ND-HARMONIC GENERATION
BARIUM NIOBATE
PULSES
Аннотация: Čerenkov-type second harmonic generation of femtosecond pulses in random one-dimensional nonlinear photonic crystal of strontium tetraborate is investigated experimentally and theoretically. Sidebands in angular-spectral dependence of generated second harmonic were detected and found to be in perfect agreement with calculations. Spectral maximum of generated radiation experiences deviation from Čerenkov relation due to influence of nonlinear photonic crystal structure. Pulse duration and local spectrum of Čerenkov second harmonic are measured and found to be in fair agreement with each other.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Makarova I. P., Verin I. A., Aleksandrov K. S.
Заглавие : X-ray diffraction study of RbLiCrO4
Коллективы : European meeting on ferroelectricity
Место публикации : Ferroelectrics. - 1991. - Vol. 124, Is. 1. - P.91-96. - ISSN 0015-0193, DOI 10.1080/00150199108209420
Примечания : Cited References: 12
Предметные рубрики: LITHIUM POTASSIUM-SULFATE
THERMAL VIBRATIONS
CRYSTALS
PROGRAM
KLISO4
LIKSO4
Аннотация: Crystal structure of RbLiCrO4 was determined in G3 phase (sp. gr. P31c) at 293, 428, 493, 523 K and in G2 phase (sp. gr. P63) at 553, 583 K applying X-ray diffraction data. The investigated crystals exhibit ‘twinning by merohedry’. The analysis of intensities and influence of anomalous scattering on them allowed us to choose twin elements and atomic configurations of twin domains for all the investigated specimens.
WOS,
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Chen M., Xia Z., Molokeev M. S., Wang T., Liu Q.
Заглавие : Tuning of photoluminescence and local structures of substituted cations in xSr2Ca(PO4)2-(1 - x)Ca10Li(PO4)7:Eu2+ phosphors
Место публикации : Chem. Mater.: American Chemical Society, 2017. - Vol. 29, Is. 3. - P.1430-1438. - ISSN 08974756 (ISSN), DOI 10.1021/acs.chemmater.7b00006
Примечания : Cited References: 37. - The present work was supported by the National Natural Science Foundation of China (Grants 91622125 and 51572023), Natural Science Foundations of Beijing (2172036), and Fundamental Research Funds for the Central Universities (FRF-TP-15-003A2).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): calcium--energy transfer--europium--light emission--lithium--luminescence--phosphors--photoionization--photoluminescence--single crystals--composition ranges--crystal-field splitting--luminescence measurements--non-linear variation--photoionization process--polyhedra distortion--rare earth doped solids--temperature dependent--solid solutions
Аннотация: Local structure modification in solid solution is an essential part of photoluminescence tuning of rare earth doped solid state phosphors. Herein we report a new solid solution phosphor of Eu2+-doped xSr2Ca(PO4)2-(1 - x)Ca10Li(PO4)7 (0 ≤ x ≤ 1), which share the same β-Ca3(PO4)2 type structure in the full composition range. Depending on the x parameter variation in xSr2Ca(PO4)2-(1 - x)Ca10Li(PO4)7:Eu2+, the vacancies generated in the M(4) site enable the nonlinear variation of cell parameters and volume, and this increases the magnitude of M(4)O6 polyhedra distortion. The local structure modulation around the Eu2+ ions causes different luminescent behaviors of the two-peak emission and induces the photoluminescence tuning. The shift of the emission peaks in the solid solution phosphors with different compositions has been discussed. It remains invariable at x ≤ 0.5, but the red-shift is observed at x 0.5 which is attributed to combined effect of the crystal field splitting, Stokes shift, and energy transfer between Eu2+ ions. The temperature-dependent luminescence measurements are also performed, and it is shown that the photoionization process is responsible for the quenching effect.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gorev M. V., Bondarev V. S., Raevskaya S. I., Flerov I. N., Malitskaya M. A., Raevskii I. P.
Заглавие : Thermophysical study of structural phase transitions in Na0.95Li0.05NbO3 solid solution
Место публикации : Bull. Russ. Acad. Sci. Phys.: Allerton Press, 2016. - Vol. 80, Is. 9. - P.1046-1050. - ISSN 10628738 (ISSN), DOI 10.3103/S1062873816090148
Примечания : Cited References: 18. - This work was supported by Southern Federal University, project no. 213.01-2014/012-VG.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): niobium oxide--sodium--specific heat--temperature distribution--thermal expansion--ceramic samples--effect of heat treatments--possible mechanisms--sodium lithium niobate--structural distortions--structural phase transition--temperature dependence--temperature range--lithium
Аннотация: Temperature dependences of specific heat Cp(T) and coefficient of thermal expansion α(T) for Na0.95Li0.05NbO3 sodium-lithium niobate ceramic samples are investigated in the temperature range of 100–800 K. The Cp(T) and α(T) anomalies at T3 = 310 ± 3 K, T2 = 630 ± 8 K, and T1 = 710 ± 10 K are observed, which correspond to the sequence of phase transitions N ↔ Q ↔ S(R) ↔ T2(S). The effect of heat treatment of the samples on the sequence of structural distortions was established. It is demonstrated that annealing of the samples at 603 K leads to splitting of the anomaly corresponding to the phase transition Q → R/S in two anomalies. After sample heating to 800 K, the only anomaly is observed in both the Cp(T) and α(T) dependence. Possible mechanisms of the observed phenomena are discussed.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kurus, Alexey, Yelisseyev, Alexander, Lobanov, Sergei, Plyusnin, Pavel, Molokeev M. S., Solovyev, Leonid, Samoshkin, Dmitry, Stankus, Sergei, Melnikova S. V., Isaenko, Lyudmila
Заглавие : Thermophysical properties of lithium thiogallate that are important for optical applications
Коллективы : Russian Science Foundation, RussiaRussian Science Foundation (RSF) [19-12-00085]; RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR) [20-42-543006\20]; Novosibirsk region [20-42-543006\20]
Место публикации : RSC Adv. - 2021. - Vol. 11, Is. 62. - P.39177-39187. - ISSN 2046-2069(eISSN), DOI 10.1039/d1ra05698k
Примечания : Cited References: 41. - Crystal growth and investigation of physical properties were supported by Russian Science Foundation, Russia (#19-12-00085). Spectroscopic study was performed on a state assignment of the Institute of Geology and Mineralogy, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences Russia and Ministry of Science and Higher Education, Russia. Measurements of thermal conductivity were funded by RFBR and Novosibirsk region (grant #20-42-543006\20)
Предметные рубрики: NON-ENANTIOMORPHOUS CRYSTAL
MID-IR
SINGLE-CRYSTALS
FLASH METHOD
Аннотация: Lithium thiogallate LiGaS2 is one of the most common nonlinear crystals for mid-IR due to its extreme beam strength and wide transparency range; however, its thermophysical properties have not yet been practically studied. Large crystals of high optical quality are grown. DTA revealed features at 1224 K below melting point (1304 K) that are associated with the oxygen containing compounds of the LiGaO2−xSx type. The thermal conductivity of LiGaS2 (about 10.05 W (m−1 K−1)) and band gap value (3.93 eV at 300 K) are found to be the highest in the LiBC2 family. Isotropic points in the dispersion characteristics for the refractive index are found and LiGaS2-based narrow-band optical filters, smoothly tunable with temperature changes, are demonstrated. Intense blue photoluminescence of anionic vacancies VS is observed at room temperature after annealing LiGaS2 in vacuum, whereas orange low-temperature emission is related to self-trapped excitons. When LiGaS2 crystals are heated, spontaneous luminescence (pyroluminescence) takes place, or thermoluminescence after preliminary UV excitation; the parameters of traps of charge carriers are estimated. The obtained data confirm the high optical stability of this material and open up prospects for the creation of new optical devices based on LiGaS2.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Vyunishev A. M., Arkhipkin V. G., Chirkin, A. S.
Заглавие : Theory of second-harmonic generation in a chirped 2D nonlinear optical superlattice under nonlinear Raman-Nath diffraction
Коллективы : Council of the President of the Russian Federation [MK-2908.2015.2]; Russian Foundation for Basic Research (RFBR) [15-02-03838]
Место публикации : J. Opt. Soc. Am. B: Optical Society of America, 2015. - Vol. 32, Is. 12. - P.2411-2416. - ISSN 0740-3224, DOI 10.1364/JOSAB.32.002411. - ISSN 1520-8540(eISSN)
Примечания : Cited References:31. - Council of the President of the Russian Federation (MK-2908.2015.2); Russian Foundation for Basic Research (RFBR) (15-02-03838).
Предметные рубрики: FEMTOSECOND LASER-PULSES
POLED LITHIUM-NIOBATE
PHOTONIC CRYSTAL
COMPRESSION
CONVERSION
Аннотация: We analyze second-harmonic generation (SHG) in a two-dimensional nonlinear optical superlattice (NLOS) with its modulation period being chirped in the propagation direction and constant in the transverse direction. This results in efficient multiple SHG via nonlinear Raman–Nath diffraction. We obtain exact analytical expressions for a SH amplitude generated in chirped 2D NLOSs and for its quasi-phase-matching bandwidth. The results of analytical calculations are in excellent agreement with the numerical ones. We show that the process is robust to angular deviations of NLOS and it can be applied to enable tunable and broadband frequency conversion.
Смотреть статью,
WOS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие