Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
Регистрация
Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Базы данных
Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска
Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
Место работы автора
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный
информационный
краткий
Поисковый запрос:
(<.>K=Photoelectricity<.>)
Общее количество найденных документов
:
1
1.
Вид документа
: Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания
:
Автор(ы)
: Volkov N. V., Eremin E. V., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие
: Bias-current and optically driven transport properties of the hybrid Fe/SiO 2/p-Si structures
Коллективы
: Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации
: Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.526-529. - ISBN 1012-0394,
DOI
10.4028/www.scientific.net/SSP.190.526. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова
(''Своб.индексиров.''): hybrid structure--mis transition--photoelectric effect--schottky barrier--channel switching--comparative analysis--electron hole pairs--fe films--fe layer--ferromagnetic films--hybrid structure--optical effects--optical radiations--photogeneration--planar geometries--schottky barriers--semiconductor substrate--temperature variation--critical currents--interfaces (materials)--magnetic materials--
photoelectricity
--schottky barrier diodes--silicon--switching circuits--transport properties
Аннотация:
Pronounced optical- and bias-current-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO 2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the MIS transition with a Schottky barrier near the interface between SiO 2 and p- Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and optical radiation. The mechanism of the optical effect is photogeneration of electron-hole pairs in the semiconductor substrate near its boundary with SiO 2 layer. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие
полный формат
краткий формат
все найденные
отмеченные
кроме отмеченных
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Другие библиотеки
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)