Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (38)Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Semiconductors<.>)
Общее количество найденных документов : 80
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

A novel Mn4+-activated fluoride red phosphor Cs30(Nb2O2F9)9(OH)3·H2O:Mn4+ with good waterproof stability for WLEDs/Y. Chen, F. Liu, Z. Zhang [et al.] // Journal of Materials Chemistry C, 2022. т.Vol. 10,N Is. 18.-С.7049-7057
2.

Admittance spectroscopy of dopants implanted in silicon and impurity state-induced AC magnetoresistance effect/D. A. Smolyakov, A. S. Tarasov, M. A. Bondarev [et al.] // Materials Science in Semiconductor Processing, 2021. т.Vol. 126.- Ст.105663
3.

Aliovalent substitution toward reinforced structural rigidity in Ce3+-doped garnet phosphors featuring improved performance/T. Hu [et al.] // Journal of Materials Chemistry C, 2019. т.Vol. 7,N Is. 46.-С.14594-14600
4.

Lukyanenko A. V. Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography/A. V. Lukyanenko, T. E. Smolyarova // Semiconductors, 2018. т.Vol. 52:25th International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology (Jun 26-30, 2017, Saint Petersburg, Russia),N Is. 5.-С.636-638
5.

Atomic layer deposition ZnO on porous Al2O3 nanofibers film/A. S. Voronin, A. N. Masiygin, M. S. Molokeev, S. V. Khartov // Journal of Physics: Conference Series, 2020. т.Vol. 1679,N Is. 2.- Ст.022072
6.

ERUKHIMOV M. S. CARRIER ENERGY FLUCTUATION SHIFT IN WIDE-GAP ANTIFERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS/M. S. ERUKHIMOV, S. G. OVCHINNIKOV // FIZIKA TVERDOGO TELA:MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1986. т.Vol. 28,N Is. 8.-С.2306-2309
7.

Gavrichkov V. A. Characteristic features of the extrinsic electric resistance in ferromagnets with low carrier density/V. A. Gavrichkov, S. G. Ovchinnikov // PHYSICS OF THE SOLID STATE:AMER INST PHYSICS, 1999. т.Vol. 41,N Is. 1.-С.59-66
8.

Characterization of LSMO/C60 spinterface by first-principle calculations/E. A. Kovaleva [et al.] // Organic Electronics: physics, materials, applications:Elsevier, 2016. т.Vol. 37.-С.55-60
9.

Collective Spin Glass State in Nanoscale Particles of Ferrihydrite/S. V. Stolyar, R. N. Yaroslavtsev, V. P. Ladygina [et al.] // Semiconductors, 2020. т.Vol. 54,N Is. 12.-С.1710-1712
10.

Colossal magnetoresistance of FexMn1-xS magnetic semiconductors/G. A. Petrakovskii [et al.] // JETP Letters, 1999. т.Vol. 69,N Is. 12.-С.949-953
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)