Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=Shockley–Queisser limit<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Oreshonkov A. S., Roginskii E. M., Atuchin V. V.
Заглавие : New candidate to reach Shockley–Queisser limit: The DFT study of orthorhombic silicon allotrope Si(oP32)
Место публикации : J. Phys. Chem. Solids. - 2020. - Vol. 137. - Ст.109219. - ISSN 00223697 (ISSN), DOI 10.1016/j.jpcs.2019.109219
Примечания : Cited References: 44. - The authors are grateful for the support from RFBR , according to the research projects 18-03-00750 and 18-32-20011 . The computations were performed using the facilities of the Computational Center of the Research Park of St. Petersburg State University. This study was also supported by the Russian Science Foundation (project 19-42-02003 , in part of conceptualization).
Аннотация: In the present study, the unit cell parameters and atomic coordinates are predicted for the Pbcm orthorhombic structure of Si(oP32) modification. This new allotrope of silicon is mechanically stable and stable with respect to the phonon states. The electronic structure of Si(oP32) is calculated for LDA and HSE06 optimized structures. The band gap value Eg = 1.361 eV predicted for Si(oP32) is extremely close to the Shockley–Queisser limit and it indicates that the Si(oP32) modification is a promising material for efficient solar cells. The frequencies of Raman and Infrared active vibrations is calculated for allotrope Si(oP32).
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие