Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=adatoms<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Krasnov P. O., Tomilin F. N., Fedorov A. S., Tolstaya A. V.
Заглавие : Calculating the energy of vacancies and adatoms in a hexagonal SiC monolayer
Место публикации : Russ. J. Phys. Chem. A: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 86, Is. 7. - P.1091-1095. - ISSN 0036-0244, DOI 10.1134/S0036024412070138
Примечания : Cited References: 21
Предметные рубрики: INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
ELECTRONIC-PROPERTIES
ABSORPTION-SPECTRA
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): silicon carbide--defects--adatoms--density functional method
Аннотация: It is noted that the development of semiconductor SiC-electronics is prevented by a low quality of grown silicon carbide single crystals. It is found that structural defects of a substrate penetrating into an epitaxial layer upon subsequent homoepitaxial growth can considerably degrade a device's characteristics. We investigate the effect of the deformation of a hexagonal SiC monolayer on vacancy stability and material properties, and study the processes of silicon and carbon adatom migration over a surface of SiC.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Serzhantova M. V., Fedorov A. S., Tomilin F. N., Kozhevnikova T. A.
Заглавие : Theoretical Study of Vacancies and Adatoms in White Graphene
Разночтения заглавия :авие SCOPUS: Theoretical study of vacancies and adatoms in white graphene
Место публикации : JETP Letters. - 2011. - Vol. 93, Is. 6. - P.335-338. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364011060051
Примечания : Cited References: 35
Предметные рубрики: HEXAGONAL BORON-NITRIDE
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
BRILLOUIN LIGHT-SCATTERING
BN NANOTUBES
AB-INITIO
ELASTIC PROPERTIES
MONOLAYER
GRAPHITE
COMPRESSION
TRANSITION
Аннотация: The stability of the B and N atomic vacancies and divacancies in an h-BN monolayer deformed by 2 and 4% along one of the axes has been investigated. It has been established that the N atomic vacancies are most stable; their concentration is insignificant and does not affect the properties of white graphene. The number of vacancies depends on the mobility of N and B atoms on the layer surface; therefore, the probability of recombination with the vacancies has been estimated. It has been revealed that the energy barrier for the migration of the B and N adatoms is about 0.23 and 1.23 eV, respectively. In view of such a low barrier for the B adatom, this type of adatoms will quite rapidly move over the surface and recombine with vacancies, in contrast to the N adatoms. Therefore, only nitrogen atom vacancies can exist in the h-BN monolayer grown by the methods, where the adatoms could possibly appear on the surface.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 538.915/Т 33
Автор(ы) : Сержантова, Мария Викторовна, Кузубов, Александр Александрович, Федоров, Александр Семенович, Томилин, Феликс Николаевич, Краснов, Павел Олегович
Заглавие : Теоретическое исследование влияния деформации на электронную структуру монослоя гексагонального нитрида бора
Место публикации : Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева. - Красноярск: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева, 2011. - № 3. - С. 150-155. - ISSN 1816-9724
ГРНТИ : 29.19
УДК : 538.915
Предметные рубрики:
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): адатомы--adatoms--hexagonal boron nitride monolayer (h-bn)--density functional theory (dft)--electronic structure--vacancies--монослой гексагонального нитрида бора (h-bn)--теория функционала плотности (dft)--электронная структура--вакансии
Аннотация: Работа посвящена исследованию влияния деформации на электронную структуру и свойства монослоя гексагонального нитрида бора, а также изучению поведения адатомов бора и азота на поверхности монослоя.Work is devoted research of influence of deformation on electronic structure and properties of a monolayer hexagonal boron nitride, and also to behavior studying adatoms of boron and nitrogen on a monolayer surface.
РИНЦ
Найти похожие