Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
Регистрация
Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Базы данных
Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска
Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
Место работы автора
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный
информационный
краткий
Отсортировать найденные документы по:
автору
заглавию
году издания
типу документа
Поисковый запрос:
(<.>K=adatoms<.>)
Общее количество найденных документов
:
3
Показаны документы
с 1 по 3
1.
Вид документа
: Статья из журнала
Шифр издания
:
Автор(ы)
: Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Krasnov P. O., Tomilin F. N., Fedorov A. S., Tolstaya A. V.
Заглавие
: Calculating the energy of vacancies and
adatoms
in a hexagonal SiC monolayer
Место публикации
: Russ. J. Phys. Chem. A: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 86, Is. 7. - P.1091-1095. - ISSN 0036-0244,
DOI
10.1134/S0036024412070138
Примечания
: Cited References: 21
Предметные рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
ELECTRONIC-PROPERTIES
ABSORPTION-SPECTRA
Ключевые слова
(''Своб.индексиров.''): silicon carbide--defects--
adatoms
--density functional method
Аннотация:
It is noted that the development of semiconductor SiC-electronics is prevented by a low quality of grown silicon carbide single crystals. It is found that structural defects of a substrate penetrating into an epitaxial layer upon subsequent homoepitaxial growth can considerably degrade a device's characteristics. We investigate the effect of the deformation of a hexagonal SiC monolayer on vacancy stability and material properties, and study the processes of silicon and carbon adatom migration over a surface of SiC.
Смотреть статью
,
Scopus
,
WoS
,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
2.
Вид документа
: Статья из журнала
Шифр издания
: 538.915/Т 33
Автор(ы)
: Сержантова, Мария Викторовна, Кузубов, Александр Александрович, Федоров, Александр Семенович, Томилин, Феликс Николаевич, Краснов, Павел Олегович
Заглавие
: Теоретическое исследование влияния деформации на электронную структуру монослоя гексагонального нитрида бора
Место публикации
: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева. - Красноярск: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева, 2011. - № 3. - С. 150-155. - ISSN 1816-9724
ГРНТИ
: 29.19
УДК
: 538.915
Предметные рубрики:
Ключевые слова
(''Своб.индексиров.''): адатомы--
adatoms
--hexagonal boron nitride monolayer (h-bn)--density functional theory (dft)--electronic structure--vacancies--монослой гексагонального нитрида бора (h-bn)--теория функционала плотности (dft)--электронная структура--вакансии
Аннотация:
Работа посвящена исследованию влияния деформации на электронную структуру и свойства монослоя гексагонального нитрида бора, а также изучению поведения адатомов бора и азота на поверхности монослоя.Work is devoted research of influence of deformation on electronic structure and properties of a monolayer hexagonal boron nitride, and also to behavior studying
adatoms
of boron and nitrogen on a monolayer surface.
РИНЦ
Найти похожие
3.
Вид документа
: Статья из журнала
Шифр издания
:
Автор(ы)
: Kuzubov A. A., Serzhantova M. V., Fedorov A. S., Tomilin F. N., Kozhevnikova T. A.
Заглавие
: Theoretical Study of Vacancies and
Adatoms
in White Graphene
Разночтения заглавия
:авие SCOPUS: Theoretical study of vacancies and
adatoms
in white graphene
Место публикации
: JETP Letters. - 2011. - Vol. 93, Is. 6. - P.335-338. - ISSN 0021-3640,
DOI
10.1134/S0021364011060051
Примечания
: Cited References: 35
Предметные рубрики:
HEXAGONAL BORON-NITRIDE
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
BRILLOUIN LIGHT-SCATTERING
BN NANOTUBES
AB-INITIO
ELASTIC PROPERTIES
MONOLAYER
GRAPHITE
COMPRESSION
TRANSITION
Аннотация:
The stability of the B and N atomic vacancies and divacancies in an h-BN monolayer deformed by 2 and 4% along one of the axes has been investigated. It has been established that the N atomic vacancies are most stable; their concentration is insignificant and does not affect the properties of white graphene. The number of vacancies depends on the mobility of N and B atoms on the layer surface; therefore, the probability of recombination with the vacancies has been estimated. It has been revealed that the energy barrier for the migration of the B and N
adatoms
is about 0.23 and 1.23 eV, respectively. In view of such a low barrier for the B adatom, this type of
adatoms
will quite rapidly move over the surface and recombine with vacancies, in contrast to the N
adatoms
. Therefore, only nitrogen atom vacancies can exist in the h-BN monolayer grown by the methods, where the
adatoms
could possibly appear on the surface.
WOS
,
Scopus
,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
полный формат
краткий формат
все найденные
отмеченные
кроме отмеченных
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Другие библиотеки
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)