Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=epitaxy<.>)

Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-16

Asymmetric interfaces in epitaxial off-stoichiometric Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x hybrid structures: Effect on magnetic and electric transport properties / A. S. Tarasov, I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev [et al.] // Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 1. - Ст. 131, DOI 10.3390/nano12010131. - Cited References: 61. - The research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-243007, and by the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886). I.A.T. and S.N.V. thank RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-240012, for partial work related to the development of the simulation model of the pore autocorrelated radial distribution function coupled with the near coincidence site model, the Fe3+xSi1-x lattice distortion analysis, and processing Rutherford backscattering spectroscopy data. The Rutherford backscattering spectroscopy measurements were supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008) . - ISSN 2079-4991

РУБ Chemistry, Multidisciplinary + Nanoscience & Nanotechnology + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
FILMS
   ANISOTROPY
   SI(001)
   DEVICES
   SURFACE
   GROWTH
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- germanium -- molecular beam epitaxy -- epitaxial stress -- lattice distortion -- dislocation lattices -- FMR -- Rutherford backscattering -- spintronics
Аннотация: Three-layer iron-rich Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x (0.2 < x < 0.64) heterostructures on a Si(111) surface with Ge thicknesses of 4 nm and 7 nm were grown by molecular beam epitaxy. Systematic studies of the structural and morphological properties of the synthesized samples have shown that an increase in the Ge thickness causes a prolonged atomic diffusion through the interfaces, which significantly increases the lattice misfits in the Ge/Fe3+xSi1-x heterosystem due to the incorporation of Ge atoms into the Fe3+xSi1-x bottom layer. The resultant lowering of the total free energy caused by the development of the surface roughness results in a transition from an epitaxial to a polycrystalline growth of the upper Fe3+xSi1-x. The average lattice distortion and residual stress of the upper Fe3+xSi1-x were determined by electron diffraction and theoretical calculations to be equivalent to 0.2 GPa for the upper epitaxial layer with a volume misfit of -0.63% compared with a undistorted counterpart. The volume misfit follows the resultant interatomic misfit of |0.42|% with the bottom Ge layer, independently determined by atomic force microscopy. The variation in structural order and morphology significantly changes the magnetic properties of the upper Fe3+xSi1-x layer and leads to a subtle effect on the transport properties of the Ge layer. Both hysteresis loops and FMR spectra differ for the structures with 4 nm and 7 nm Ge layers. The FMR spectra exhibit two distinct absorption lines corresponding to two layers of ferromagnetic Fe3+xSi1-x films. At the same time, a third FMR line appears in the sample with the thicker Ge. The angular dependences of the resonance field of the FMR spectra measured in the plane of the film have a pronounced easy-axis type anisotropy, as well as an anisotropy corresponding to the cubic crystal symmetry of Fe3+xSi1-x, which implies the epitaxial orientation relationship of Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Ge(111)[1-10] || Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Si(111)[1-10]. Calculated from ferromagnetic resonance (FMR) data saturation magnetization exceeds 1000 kA/m. The temperature dependence of the electrical resistivity of a Ge layer with thicknesses of 4 nm and 7 nm is of semiconducting type, which is, however, determined by different transport mechanisms.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia.
RAS, Boreskov Inst Catalysis SB, Synchrotron Radiat Facil SKIF, Nikolskiy Prospekt 1, Koltsov 630559, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Smart Mat & Biomed Applicat, Kaliningrad 236041, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Funct Nanomat, Kaliningrad 236016, Russia.
Univ Duisburg Essen, Fac Phys, D-47057 Duisburg, Germany.
Univ Duisburg Essen, Ctr Nanointegrat, D-47057 Duisburg, Germany.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Efimov, Dmitriy D.; Goikhman, Aleksandr Yu.; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Shanidze, Lev V.; Шанидзе, Лев Викторович; Farle, M.; Фарле, Михаель; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240012]; Government of the Russian Federation [075-15-2019-1886]; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [FZWN-2020-0008]
}
Найти похожие

CEMS analysis of phase formation in nanostructured films (Fe/Si) 3 / S. N. Varnakov [et al.] // Solid State Phenomena. - 2011. - Vol. 168-169. - P. 277-280, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.277 . - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
interfaces metal/semiconductor -- magnetic silicides -- molecular beam epitaxy technology -- semiconductor and magnetic geterostructures
Аннотация: Determination of stable phases formed at the Fe/Si interface in (Fe/Si)n structure, grown by thermal evaporation in an ultrahigh vacuum system was performed using conversion electron Mossbauer spectroscopy (CEMS).

РИНЦ
Держатели документа:
Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon,Departamento de Ciencia de Materiales e Ingenieria Metalurgica,CSIC-Universidad de Zaragoza
Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon,Departamento de Fisica de la Materia Condensada,CSIC-Universidad de Zaragoza
Kirensky Institute of Physics,Siberian Division,Russian Academy of Sciences
Siberian Aerospace University

Доп.точки доступа:
Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Bartolomé, J.; Rubin, J.; Badia, L.; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg)
}
Найти похожие

Examination of structure, optical and magnetic properties of epitaxial Fe1–xSix/Si(111) alloy films / I. A. Tarasov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. O10.20. - P. 464. - References: 1. - The work was supported by State contract No. 02.G25.31.0043, State task No.16.663.2014К, the Complex program of SB RAS № II.2P, project 0358-2015-0007 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
epitaxy -- iron silicides -- optical and magnetic properties -- structure, defects

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Zamkova, N. G.; Замкова, Наталья Геннадьевна; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Shemukhin, A. A.; Чемухин А. А.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

Growth of α-FeSi2 nanocrystals on si(100) with Au catalyst / I. A. Tarasov [et al.] // Mater. Lett. - 2016. - Vol. 168. - P. 90-94, DOI 10.1016/j.matlet.2016.01.033. - Cited References: 25. - The work was supported by the Program of the President of the Russian Federation for the support of leading scientific schools (Scientific School 2886.2014.2), The Russian Foundation for Basic Research (RFBR) (Grants no. 13-02-01265), State Contract no. 02.G25.31.0043 and State Task no. 16.663.2014К). . - ISSN 0167-577X

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
EPITAXIAL-GROWTH
   LOW-TEMPERATURE
   FeSi2
   NANOWIRES
   Si(111)
   FILMS
   Si
Кл.слова (ненормированные):
Nanomaterials -- Molecular beam epitaxy -- α-FeSi2 -- Electrode
Аннотация: Self-organized α-FeSi2 nanocrystals on (100) silicon substrate were synthesized by molecular beam epitaxy with Au catalyst. The microstructure and basic orientation relationship between the silicide nanocrystals and silicon substrate were analyzed in detail. α-FeSi2 nanocrystals appeared to be inclined trapezoid and rectangular nanoplates, polyhedral nanobars and pyramid-like ones, aligned along 011 directions on (100) silicon substrate with the length up to 1.5 μm, width ranging between 80 and 500 nm and thickness from 30 to 170 nm. As has been proposed metallic iron silicide may be used for manufacturing electric contacts on silicon. A current-voltage characteristic of the structure was measured at room temperature and showed good linearity.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Siberian State Aerospace University, 31 Krasnoyarsky Rabochiy Av., Krasnoyarsk, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, bld. 38, Krasnoyarsk, Russian Federation
Far Eastern State Transport University, Serysheva str. 47, Khabarovsk, Russian Federation
Krasnoyarsk Scientific Centre, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

    Growth, optical and microstructural properties of PbB4O7 plate crystals / A. I. Zaitsev [et al.] // 17th Int. Conf. on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) : Book of Abstracts. - 2013. - P. 452
   Перевод заглавия: Рост, оптические и микроструктурные свойства пластинчатых кристаллов PbB4O7

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Pokrovsky, L.; Atuchin, V. V.; Атучин, Виктор Валерьевич; Kokh, K. A.; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (17 ; 2013 ; Aug. ; 11-16 ; Warsaw, Poland)
}
Найти похожие

Growth, optical and microstructural properties of PbB4O7 plate csystals : Poster / A. I. Zaitsev [et al.] // 17th Int. conf. on crystal growth and epitaxy (ICCGE-17) : Book of abstracts. - 2013. - P. 452-453

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Pokrovsky, L.; Atuchin, V. V.; Kokh, K. A.; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (17 ; 2013 ; Aug. ; 11-16 ; Warsaw, Poland)
}
Найти похожие

Investigation of Fe structure formation on Si (100) molecular-beam epitaxy and solid-phase epitaxy / I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinyikov // Proceedings Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2011) / Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia), Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов (1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток). - 2011

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I.A.; Varnakov, S.N.; Ovchinyikov, S.G.; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток)
}
Найти похожие

MBE of iron silicide heterostructures for spintronics / S. N. Varnakov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. I4.3. - P. 213. - References: 4. - The work was supported by The Complex program of SB RAS № II.2P, project 0358-2015-0003, the Ministry of Education and Science of the RF (State task . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
molecular beam epitaxy -- iron silicides -- spintronic devices

Доп.точки доступа:
Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Bartolomé, J.; Badía-Romano, L.; Rubín, J. ; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

Molecular-beam epitaxy of Fe/Cu multilayered films and its magnetooptical properties / V. P. KONONOV [et al.] // Int. J. Mod. Phys. B. - 1993. - Vol. 7, Is. 1-3. - P. 466-469, DOI 10.1142/S0217979293000974. - Cited References: 2 . - ISSN 0217-9792

РУБ Physics, Applied + Physics, Condensed Matter + Physics, Mathematical

Аннотация: Multilayered structures of 10 Fe layers (25 angstrom each) and 9 layers of Cu (50 angstrom) have been obtained by MBE technique using a 3-chambers MBE installation ''Angara''. For comparison Fe film with the thickness d = 250 angstrom have been prepared. The chemical composition and structure of the films were controlled by X-ray fluorescent analysis, Auger spectroscopy and electron microscopy measurements. Field dependencies of the magnetooptical Faraday effect were measured at different geometries. Spectral dependence of the Faraday effect revealed a maximum at 700 rum wavelength for this multilayered structure.

WOS
Держатели документа:
KRASNOYARSK PHYS INST,KRASNOYARSK 660036,RUSSIA
ИФ СО РАН

Доп.точки доступа:
KONONOV, V. P.; OVCHINNIKOV, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; VASILYEVA, E. P.; ZABLUDA, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; POPEL, V. M.; EDELMAN, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; KHUDYAKOV, A. E.; BLECHER, B. E.; PARSHIN, A. S.; STAROVEROVA, I. V.; International Conference on the Physics of Transition Metals(1992 ; July ; 20-24 ; Darmstadt, Germany)
}
Найти похожие

10.

    Morphology of a polar twin structure in Czochralski grown α-SrB4O7 crystals / A. I. Zaitsev [et al.] // 17th Int. Conf. on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) : Book of Abstracts. - 2013. - P. 444-445
   Перевод заглавия: Морфология полярных двойниковых структур в кристаллах α-SrB4O7 выращенных методом Чехральского

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Cherepakhin, A. V.; Черепахин, Александр Владимирович; Radionov, N. V.; Радионов, Никита Вячеславович; Zamkov, A. V.; Замков, Анатолий Васильевич; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (17 ; 2013 ; Aug. ; 11-16 ; Warsaw, Poland)
}
Найти похожие