Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (40)Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=films<.>)
Общее количество найденных документов : 840
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.


   
    ЯМР-исследования магнитного состояния кобальта на границе раздела в пленках (Co/Ge)n / Г. С. Патрин [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 144, Вып. 6. - С. 1246-1250DOI 10.7868/S0044451013120134
Аннотация: Представлены результаты ЯМР-исследований пленочных структур в системе кобальт-германий в зависимости от толщины кобальтового слоя. Обнаружено, что существуют две фазы кобальта, одна из них - гранецентрированная кубическая фаза, а другая, предположительно, сплав Co-Ge со слабоферромагнитным порядком. На границе раздела образуется «мертвый» слой толщиной не более 2 нм.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия NMR studies of the magnetic state of interfacial cobalt in (Co/Ge)(n) films. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin G.S.; Мальцев, Вадим Константинович; Maltsev V.K.; Краюхин, Иван Николаевич; Krayukhin, I.N.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov I.A.
}
Найти похожие
2.


    Яковлев, Иван Александрович.
    Сравнение магнитной анизотропии поликристаллической и монокристаллической пленок Fe3Si / И. А. Яковлев // Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 398-405, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-2-398-405. - Библиогр.: 19. - Автор статьи выражает благодарность Беляеву Борису Афанасьевичу (ИФ СО РАН) за проведенные измерения на сканирующем спектрометре ферромагнитного резонанса . - ISSN 2712-8970
   Перевод заглавия: The magnetic anisotropy comparison of polycrystalline and single-crystal Fe3Si films
Кл.слова (ненормированные):
магнитная анизотропия -- ферромагнитные пленки -- Fe3Si -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- magnetic anisotropy -- ferromagnetic films -- molecular beam epitaxy
Аннотация: Постоянное совершенствование высокотехнологичных приборов требует от науки постоянного развития технологий и поиска новых материалов. На сегодняшний день развитие области магнетизма достигло очень широких знаний, что позволило создать и изучить множество искусственных ферромагнитных материалов, которые уже сейчас активно применяются в науке и технике. Последние научные знания показывают, что один и тот же материал в различном состоянии может проявлять разные электрические, магнитные свойства. Так в современных приборах активно применяются тонкие магнитные пленки. Физические процессы в тонких пленках протекает иначе, чем в массивных материалах. В результате пленочные элементы имеют характеристики, отличные от характеристик массивных образцов и позволяют наблюдать эффекты, не свойственные массивным образцам. Пленка – это тонкий слой связанного конденсированного вещества, толщина которого сравнивается с расстоянием действия поверхностных сил; представляет собой термодинамически стабильную или метастабильную часть гетерогенной системы «пленка – подложка». Дальнейшее изучение пленочных структур привело к созданию и исследованию многослойных магнитных систем. В таких структурах возможно присутствие как слоёв различных ферромагнитных материалов, так и неферромагнитных прослоек, а свойства многослойных систем могут значительно отличаться от свойств любого из компонентов системы. Для практики эти материалы также имеют множество применений, в том числе, радиосвязь и геологоразведка. В нашем эксперименте методом молекулярно-лучевой эпитаксии при совместном осаждении Fe и Si синтезированы ферромагнитные тонкие пленки силицида Fe3Si. На подложке SiO2/Si(111) была получена поликристаллическая пленка силицида, а на Si(111)7×7 – монокристаллическая. Структура была исследована с помощью дифракции отраженных быстрых электронов непосредственно в процессе роста. Методом ферромагнитного резонанса была изучена магнитная анизотропия полученных образцов. Установлено, что поликристаллическая пленка характеризуется одноосной магнитной анизотропией, которая составляет 13.42 Э и формируется в следствие «косого» напыления. А магнитная анизотропия для монокристаллической пленки Fe3Si формируется в большей степени внутренними магнитокристаллическими силами.
High-tech devices improvement requires development of technology and search for new materials from science. To date, the development of the magnetism research field has reached a very broad knowledge, which made it possible to create and study a variety of artificial ferromagnetic materials, which are already actively used in science and technology. The latest scientific knowledge shows that the same material in different states can exhibit different electrical and magnetic properties. So, thin magnetic films are actively used in modern devices. Physical processes in thin films proceed differently than in bulk materials. As a result, the film elements have characteristics that differ from those of bulk samples and make it possible to observe effects that are not characteristic of bulk samples. A film is a thin layer of a bound condensed substance, the thickness of which is compared with the distance of surface forces action; it is a thermodynamically stable or metastable part of a heterogeneous film-substrate system. Further study of film structures led to the creation and study of multilayer magnetic systems. In such structures, the presence of both various ferromagnetic materials layers and non-ferromagnetic interlayers is possible, and the multilayer systems properties can differ significantly from the properties of any system components. These materials also have many applications for practice, including radio communications and geological exploration. In our experiment, ferromagnetic thin films of Fe3Si silicide were synthesized by molecular beam epitaxy with co-deposition of Fe and Si. A polycrystalline silicide film was obtained on a SiO2/Si(111) substrate, and a single crystal film was on Si(111)7×7. The structure was investigated using the diffraction of reflected fast electrons directly during the growth process. The magnetic anisotropy of the obtained samples was studied by the ferromagnetic resonance. It was found that the polycrystalline film is characterized by uniaxial magnetic anisotropy, which is 13.42 Oe and is formed as a result of “oblique” deposition. And the magnetic anisotropy for a single-crystal Fe3Si film is formed to a greater extent by internal magnetocrystalline forces.

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН, Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38.

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I. A.
}
Найти похожие
3.


   
    Эффекты обменного смещения и магнитной близости в трехслойных пленках FeNi/V2O3/FeNi / Г. С. Патрин, А. В. Кобяков, В. И. Юшков [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. IX Байкал. междунар. конф. BICMM-2023 / чл. прогр. ком.: S. S. Aplesnin [et al.] ; чл. орг. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2023. - С. 71-72, DOI 10.26516/978-5-9624-2178-0.2023.1-207 . - ISBN 978-5-962402178-0
   Перевод заглавия: Effects of exchange bias and magnetic proximity in trilayer FeNi/V2O3/FeNi films

Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович \чл. прогр. ком.\; Aplesnin, S. S.; Балаев, Дмитрий Александрович \чл. прогр. ком.\; Balaev, D. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \чл. прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Исхаков, Рауф Садыкович \чл. орг. ком.\; Iskhakov, R. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Анисимов, И. О.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Семенов, Сергей Васильевич; Semenov, S. V.; Моисеенко, Евгений Тимофеевич; Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(9 ; 2023 ; сент. ; 11-14 ; Байкальск); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(9 ; 2023 ; сент. ; 11-14 ; Байкальск); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(9 ; 2023 ; Sept. ; 11-14 ; Baikalsk); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие
4.


   
    Эпитаксиальный рост металлических пленок при термическом напылении на сколотые в вакууме и в воздухе ионные кристаллы / Л. В. Киренский, В. Г. Пынько, Г. П. Пынько [и др.] // Рост кристаллов : сб. статей / Акад. наук СССР, Ин-т кристаллографии; отв. ред. Н. Н. Шефталь. - М. : Изд-во АН СССР, 1968. - Т. 8, Ч. 2 : Адсорбция примесей, эпитаксия и монокристаллические пленки. - С. 164-170. - Библиогр.: 6 назв.
   Перевод заглавия: Epitaxial qrowth of metal films by evaporation onto ionic crystals cleaved in vacuum and in air

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шефталь, Николай Наумович \отв. ред.\; Киренский, Леонид Васильевич; Kirenskii, L. V.; Пынько, Виталий Григорьевич; Pyn'ko, V. G.; Пынько, Галина Петровна; Pyn'ko G. P.; Сивков, Николай Иванович; Sivkov, N. I.; Комалов, Александр Семенович; Komalov A. S.; Академия наук СССР; Институт кристаллографии АН СССР; Международный конгресс кристаллографов(7 ; 1966 ; июль ; 12-21 ; Москва); Международный симпозиум по росту кристаллов(1966 ; июль ; 20-21 ; Москва)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
5.


   
    Эпитаксиальные пленки железа, никеля и кобальта / Л. В. Киренский, В. Г. Пынько [и др.] // Физ. металлов и металловед. - 1966. - Т. 22, вып. 3. - С. 380-391. - Библиогр.: 11 назв. - Phys. Abstr. - 1967. - Vol. 70, 14330
   Перевод заглавия: Epitaxial iron, nickel and cobalt films

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Киренский, Леонид Васильевич; Kirenskii, L. V.; Пынько, Виталий Григорьевич; Pyn'ko, V. G.; Суханова, Р. В.; Сивков, Николай Иванович; Sivkov, N. I.; Пынько, Галина Петровна; Pyn'ko, G. P.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Edelman, I. S.; Комалов, Александр Семенович; Komalov A. S.; Кан, Сергей Викторович; Kan, S. V.; Сырова, Н. И.; Звегинцев, Анатолий Георгиевич; Zvegintsev A. G.
}
Найти похожие
6.


   
    Электрооптический отклик пленок капсулированного полимером нематика с коническими граничными условиями / Фейзер К. А., Крахалев М. Н., Шабанов В. Ф., Зырянов В. Я // Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 1. - С. 201-209, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-1-201-209. - Библиогр.: 16 . - ISSN 2587-6066
   Перевод заглавия: Electrooptical response of the films of polymer dispersed nematic with conical boundary conditions
Кл.слова (ненормированные):
электрооптический материал -- капсулированный полимером жидкий кристалл -- нематик -- конические граничные условия -- ориентационная структура -- electro-optical material -- nematic -- polymer dispersed liquid crystal -- electro-optical response -- conical boundary conditions -- orientation structure
Аннотация: Исследован электрооптический отклик пленок капсулированного полимером нематика с коническими граничными условиями. В каплях нематика формируется аксиал-биполярная конфигурация директора. Показано, что изначально ориентация осей симметрии структуры капель хаотичная как в плоскости образца, так и по отношению к нормали к подложкам. Приложенное напряжение U ориентирует биполярные оси капель параллельно электрическому полю, а процесс переориентации является пороговым только в случае исходно ортогональной ориентации биполярной оси и нормали к подложкам. Соответственно, в исходном состоянии образцы интенсивно рассеивают свет, а процесс отклика на электрическое поле имеет беспороговый характер. Исследовались образцы с толщиной пленки 5, 10, 20 и 30 мкм. Для всех исследуемых образцов характерно высокое значение максимального коэффициента пропускания и коэффициента контрастности, которые для пленки толщиной 30 мкм равны 84 % и 5536, соответственно, и достигаются при напряжении U = 12 В. Полученные результаты актуальны для использования в оптоэлектронных устройствах с низким энергопотреблением, которые требуются для развития энергосберегающих технологий в аэрокосмической технике.
The electrooptic response of films of polymer dispersed nematic under conical boundary conditions has been investigated. An axial-bipolar director configuration is formed in nematic droplets. It has been shown that initially, the orientation of droplet’s bipolar axes is chaotic both in the sample plane and relative to the normal to the substrates. The applied voltage U orients the droplet’s bipolar axes parallel to the electric field and the reorientation process is threshold only when the bipolar axis is initially orthogonal to the substrate normal. Accordingly, the samples strongly scatter light in the initial state, and the optical response to an electric field is thresholdless. The samples with a film thickness of 5, 10, 20 and 30 μm have been studied. All the samples under study are characterized by a high transmittance and contrast ratio, which for a 30 μm sample are equal to 84 % and 5536, respectively, and achieved at U = 12 V. The results obtained are relevant for use in low-power optoelectronic devices required for the development of energy-saving technologies in aerospace engineering.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН, Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50/38
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Российская Федерация, 660041, г. Красноярск, просп. Свободный, 79
Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук», Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50

Доп.точки доступа:
Фейзер, Кристина Андреевна; Feyzer K. A.; Крахалев, Михаил Николаевич; Krakhalev, M. N.; Шабанов, Василий Филиппович; Shabanov, V. F.; Зырянов, Виктор Яковлевич; Zyryanov, V. Ya.
}
Найти похожие
7.


   
    Экспериментальное и теоретическое исследование влияния на высокочастотные свойства тонких магнитных пленок искусственной текстуры подложек / Б. А. Беляев [и др.] // Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8/2. - С. 263-266. - Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ, госконтракт № 14.513.11.0010, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009−2013» и гранта РФФИ № 12-02-12008-офи_м
   Перевод заглавия: Experimental and theoretical investigation of effect of the artificial texture in substrate on the high-frequency properties of thin magnetic films
Кл.слова (ненормированные):
текстура подложки -- тонкие магнитные пленки -- ферромагнитный резонанс -- микромагнитное моделирование -- artificial texture in substrate -- magnetic films -- ferromagnetic resonance -- numerical micromagnetic simulation
Аннотация: С помощью сканирующего спектрометра ферромагнитного резонанса (ФМР) получены экспериментальные зависимости резонансного поля и ширины линии ФМР тонких пермаллоевых магнитных пленок, осажденных в вакууме на подложки с искусственно созданной текстурой. Текстура получена нанесением алмазным резцом параллельных рисок на стеклянные подложки с периодичностью от 5 до 200 мкм. Обнаружено, что наличие текстуры приводит к существенному росту резонансного поля и ширины линии ФМР, когда внешнее поле направлено ортогонально рискам. На основе численного микромагнитного моделирования дано объяснение природы наблюдаемых в магнитных пленках эффектов.
Using the scanning spectrometer of ferromagnetic resonance (FMR) the experimental dependences of the resonance field and FMR line width of thin permalloy magnetic films, which were deposited in vacuum on the substrate with an artificial texture, were obtained. The texture was produced by putting parallel grooves using a diamond cutter on glass substrates with period from 5 to 200 μm. It was found that the presence of the texture was leading to an essential increase of th resonance field and FMR line width, when the external field was directed orthogonal to the grooves. On the base of a numerical micromagnetic simulation the explanation of nature of observable in thin magnetic films effects was given.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev B. A.; Лексиков, Александр Александрович; Leksikov Al. A.; Изотов, Андрей Викторович; Izotov A.V.; Сержантов, Алексей Михайлович; Serzhantov A.M.; Соловьев, Платон Николаевич; Лемберг, Константин Вячеславович; Lemberg, K.V.
}
Найти похожие
8.
Описание изобретения к патенту 2795378

   
    Феррометр для тонких магнитных пленок / С. А. Клешнина, И. В. Подшивалов, Н. М. Боев [и др.]. - № 2022132089 ; Заявл. 08.12.2022 ; Опубл. 03.05.2023 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2023. - № 13
   Перевод заглавия: Ferrometer for thin magnetic films
Аннотация: Феррометр для тонких магнитных пленок предназначен для измерения и построения петель гистерезиса тонкопленочных ферромагнитных образцов. Сущность: феррометр содержит магнитную систему, предназначенную для формирования перемагничивающего поля, подключенную через датчик тока к низкочастотному генератору, измерительные катушки чувствительного элемента, включенные встречно-последовательно, расположенные горизонтально в центре магнитной системы и нагруженные на вход дифференциального усилителя, аналого-цифровые преобразователи, цифровой интегратор, цифровой осциллограф. Оси измерительных катушек чувствительного элемента ортогональны осям катушек магнитной системы. Феррометр дополнительно содержит аналоговый сумматор, первый вход которого соединен с выходом дифференциального усилителя, и компенсационные катушки, расположенные соосно с катушками магнитной системы и нагруженные на два переменных резистора. Контакт движка первого переменного резистора соединен с дополнительным усилителем, нагруженным на второй вход аналогового сумматора. Контакт движка второго переменного резистора соединен с другим дополнительным усилителем, выход которого соединен с входом блока дифференцирования сигнала, выход которого подключен к третьему входу аналогового сумматора. Феррометр содержит также детектор перехода через ноль, вход которого подключен к сети промышленной частоты, а выход через первый блок цифровой задержки - к входу цифрового блока памяти, имеющего также вход записи сигнала помехи. Выход цифрового сумматора подключен к блоку цифрового интегрирования, выход которого подключен к каналу вертикальной развертки «Y» цифрового осциллографа. На вход канала горизонтальной развертки «X» осциллографа подключен выход второго блока цифровой задержки, вход которого соединен с выходом второго аналого-цифрового преобразователя, вход которого нагружен на датчик тока. Выход аналогового сумматора через первый аналого-цифровой преобразователь подключен к входу «+» цифрового сумматора и к входу цифрового блока памяти, выход которого подключен к входу «-» цифрового сумматора. Технический результат: повышение чувствительности.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Клешнина, Софья Андреевна; Kleshnina, S. A.; Подшивалов, Иван Валерьевич; Podshivalov, I. V.; Боев, Никита Михайлович; Boev, N. M.; Горчаковский, Александр Антонович; Соловьев, Платон Николаевич; Изотов, Андрей Викторович; Izotov, A. V.; Бурмитских, Антон Владимирович; Burmitskikh, A. V.; Крёков, Сергей Дмитриевич; Грушевский, Евгений Олегович; Grushevskii, Ye. O.; Негодеева, Ирина Александровна; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие
9.
Описание изобретения к патенту 2793577

   
    Устройство для измерения шумов тонких магнитных пленок в СВЧ-диапазоне / А. Н. Бабицкий, Н. М. Боев, С. А. Клешнина [и др.]. - № 2022133634 ; Заявл. 21.12.2022 ; Опубл. 04.04.2023 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2023. - № 10
   Перевод заглавия: Device for measuring noise of thin magnetic films in the microwave range
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля качества магнитных пленок и изучения их высокочастотных характеристик путем регистрации спектральной плотности амплитуды шумов образцов. Устройство содержит параллельный колебательный контур, включающий емкость и индуктивность, в качестве которой используется несимметричная полосковая линия. Внутри линии размещают исследуемый образец тонкой магнитной пленки, а сама линия вместе с образцом размещены внутри магнитной системы, формирующей постоянное магнитное поле. Параллельный колебательный контур соединен через конденсатор с СВЧ-генератором и напрямую с амплитудным детектором, нагруженным на вход низкочастотного анализатора спектра. Техническим результатом является обеспечение возможности измерения магнитных шумов в СВЧ-диапазоне.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бабицкий, Александр Николаевич; Babitskii, A. N.; Боев, Никита Михайлович; Boev, N. M.; Клешнина, Софья Андреевна; Kleshnina, S. A.; Подшивалов, Иван Валерьевич; Podshivalov, I. V.; Горчаковский, Александр Антонович; Соловьев, Платон Николаевич; Изотов, Андрей Викторович; Izotov, A. V.; Бурмитских, Антон Владимирович; Burmitskikh, A. V.; Крёков, Сергей Дмитриевич; Негодеева, Ирина Александровна; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие
10.


   
    Тонкие пленки железогадолиниевых сплавов [Текст] / Л. В. Киренский [и др.] // Изв. АН СССР, Сер. физич. - 1965. - Т. 29, № 4. - С. 689-694. - Библиогр.: 12 назв. - Phys. Abstr. - 1966. - Vol. 69, 31713
   Перевод заглавия: Thin films of iron-gadolinium alloys

Смотреть статью
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Киренский, Леонид Васильевич; Kirenskii, L. V.; Неделько, А. А.; Буравихин, Виктор Анатольевич; Пузей, Иван Михайлович; Всесоюзный симпозиум по физике тонких ферромагнитных пленок(2 ; 1964 ; июль ; 10-15 ; Иркутск)
}
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)