Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=magnetoresistance<.>)

Общее количество найденных документов : 176
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

    Особенности магнетосопротивления двухслойного монокристаллического манганита La1,4Sr1,6Mn2O7 / С. Е. Никитин [и др.] // Вестник НГУ. Физика. - 2015. - Т. 10, Вып. 1. - С. 63-66. - Библиогр.: 8 . - ISSN 1818-7994
   Перевод заглавия: Features of magnetoresistance in the bilayer single crystal manganite La1.4Sr1.6Mn2O
Кл.слова (ненормированные):
манганиты лантана -- положительное магнетосопротивление -- manganite -- positive magnetoresistance
Аннотация: Представлены результаты исследования магнетосопротивления на двухслойном монокристаллическом манганите лантана La1,4Sr1,6Mn2O7 при пропускании транспортного тока вдоль оси с ( j ‖ c ) и приложении внешнего магнитного поля H ‖ j и H ⊥ j. В монокристалле La1,4Sr1,6Mn2O7 в случае, когда H ⊥ j, помимо присущего всем замещенным манганитам лантана отрицательного магнетосопротивления в температурном диапазоне T < 60 K, обнаружен эффект положительного магнетосопротивления. Механизм возникновения данного эффекта принципиально отличается от эффекта колоссального магнетосопротивления, присущего всем манганитам лантана. Мы считаем, что появление положительного магнетосопротивления вызвано спин-зависимым туннелированием носителей между марганец-кислородными бислоями, при данной конфигурации «магнитное поле - ток», и может быть объяснено особенностями магнитной структуры данных составов.
We investigate magnetoresistance of single-crystal bilayer lanthanum manganite La1.4Sr1.6Mn2O7 at a transport current flowing along the crystal c axis and in external magnetic fields applied parallel to the crystal c axis or ab plane. It is demonstrated that the La1.4Sr1.6Mn2O7 manganite exhibits the positive magnetoresistance effect in the magnetic field applied in the ab plane of the sample at the temperatures T < 60 K. The mechanism of this effect is shown to be fundamentally different from the colossal magnetoresistance effect typical of lanthanum manganites. The positive magnetoresistance originates from spin-dependent tunneling of carriers between the manganese-oxygen bilayers and can be explained by features of the magnetic structure of the investigated compounds.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Никитин, Станислав Евгеньевич; Nikitin, S. E.; Попков, Сергей Иванович; Popkov, S. I.; Петров, Михаил Иванович; Petrov, M. I.; Терентьев, Константин Юрьевич; Terent'yev, K. Yu.; Семенов, Сергей Васильевич; Semenov, S. V.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Shaikhutdinov, K. A.; Сибирский молодежный семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур – ОКНО 2014 (X ; 13 - 14 ноября 2014 г. ; Новосибирск)
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Теплоемкость и магнитосопротивление слаболегированного двумерного антиферромагнетика в неколлинеарной фазе / В. В. Вальков, А. Д. Федосеев // Изв. РАН. Сер. физич. - 2013. - Т. 77, № 3. - С. 387-389DOI 10.7868/S0367676513030381
Аннотация: Исследован энергетический спектр подвижных носителей заряда в двумерном антиферромагнетике, помещенном во внешнее магнитное поле. Показано, что учет скоса магнитных подрешеток модифицирует эффективную массу подвижных носителей заряда слаболегированного антиферромагнетика. Этот факт существенным образом сказывается на транспортных и термодинамических свойствах системы. Обнаружено явление перехода в полуметаллическую фазу под воздействием внешнего магнитного поля.

Смотреть статью

Переводная версия Heat capacity and magnetoresistance of a lightly doped two-dimensional antiferromagnet in the noncollinear phase. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федосеев, Александр Дмитриевич; Fedoseev, A. D.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

Zakharov, Yu. V.
Magnetoresistance of ferromagnets with domain-structure / Yu. V. Zakharov, Yu. I. Mankov // Phys. Status Solidi B. - 1984. - Vol. 125, Is. 1. - P. 197-205, DOI 10.1002/pssb.2221250122. - Cited References: 21 . - ISSN 0370-1972

РУБ Physics, Condensed Matter

WOS,
Scopus
Держатели документа:
Acad of Sciences of the USSR, L. V., Kirenskii Inst of Physics,, Krasnoyarsk, USSR, Acad of Sciences of the USSR, L. V. Kirenskii Inst of Physics, Krasnoyarsk, USSR
ИФ СО РАН
Доп.точки доступа:
Mankov, Yu. I.; Маньков, Юрий Иннокентьевич; Захаров, Юрий Владимирович
}
Найти похожие

Zakharov, Yu. V.
Anisotropy of the magnetoresistance along and across domain-walls in a ferromagnet / Yu. V. Zakharov, Yu. I. Mankov, L. S. Titov // J. Phys. I. - 1991. - Vol. 1, Is. 5. - P. 759-764. - Cited References: 20 . - ISSN 1155-4304

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
SUPERCONDUCTIVITY
HOMO6S8
Аннотация: We discuss some peculiarities of the conduction electron motion in the vicinity of domain walls which lead to an anisotropy of the magnetoresistance. We also discuss the case of single crystals of ErRh4B4 and HoMo6S8 where magnetoresistance with the same qualitative features has been observed.

WOS

Доп.точки доступа:
Mankov, Yu. I.; Маньков, Юрий Иннокентьевич; Titov, L. S.; Захаров, Юрий Владимирович
}
Найти похожие

Zakharov, Y. V.
Negative magnetoresistance of iron single-crystal whiskers in the course of magnetization reversal / Y. V. Zakharov, L. S. Titov // Phys. Solid State. - 2004. - Vol. 46, Is. 2. - P. 303-305, DOI 10.1134/1.1649428. - Cited References: 9 . - ISSN 1063-7834

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
RESISTIVITY
WALLS
Аннотация: The change in the low-temperature resistance of iron single-crystal whiskers during magnetization reversal form a single-domain state to a state with a plane-parallel domain structure is studied theoretically. The negative magnetoresistance (similar to45%) is calculated from the Kubo formula with due regard for the change in the trajectories of conduction electrons in a magnetic induction field of domains. The magnetoresistance thus calculated is of the same order of magnitude as the magnetoresistance obtained in the experiment performed by Isin and Coleman.(C) 2004 MAIK "Nauka / Interperiodica".

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Div, Krasnoyarsk 660036, Russia
Krasnoyarsk State Univ, Krasnoyarsk 660062, Russia
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Krasnoyarsk State University, Svobodnyi pr. 79, Krasnoyarsk 660062, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Titov, L. S.
}
Найти похожие

Zakharov, Y. V.
Negative low-temperature magnetoresistance of a magnetically nonuniform compensated metal / Y. V. Zakharov, Y. I. Mankov, L. S. Titov // Fiz. Nizk. Temp. - 1986. - Vol. 12, Is. 4. - P. 408-416. - Cited References: 24 . - ISSN 0132-6414

РУБ Physics, Applied

WOS
Доп.точки доступа:
Mankov, Y. I.; Маньков, Юрий Иннокентьевич; Titov, L.S.
}
Найти похожие

    Weak localization and size effects in thin In2O3 films prepared by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // Physica E. - 2016. - Vol. 84. - P. 162-167, DOI 10.1016/j.physe.2016.06.005. - Cited References:70. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (Grants # 16-32-00302 MOJI_a, # 15-02-00948-A, # 16-03-00069-A), by the Council for Grants of the President of the Russian Federation (SP-317.2015.1), and by the Program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology (No. 6662 Gamma Y2015, 9607 Gamma Y/2015) ("UMNIK" Program). Electron microscopic studies were performed on the equipment of CCU KSC SB RAS. . - ISSN 1386-9477. - ISSN 1873-1759
   Перевод заглавия: Слабая локализация и размерные эффекты в тонких пленках In2O3 приготовленные автоволновым окислением

РУБ Nanoscience & Nanotechnology + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
SOLID-STATE SYNTHESIS
   INDIUM TIN OXIDE
   DOPED ZNO FILMS
   OPTICAL-PROPERTIES
   MAGNETIC-FIELD
   NEGATIVE MAGNETORESISTANCE
   CARBON NANOTUBES
   TEMPERATURE
   SEMICONDUCTOR
   TRANSPORT
Кл.слова (ненормированные):
Thin indium oxide films -- Weak localization -- Electron-electron -- interaction -- Disordered semiconductors -- Nanostructured films -- Phase-coherent length
Аннотация: The negative magnetoresistance of thin In2O3 films, obtained by an autowave oxidation reaction, was detected within a temperature range of 4.2-80 K. The magnetoresistance was -1.35% at a temperature of 4.2 K and an external magnetic field of 1 T. A weak localization theory was used to explain the negative magnetoresistance and to determine the phase-coherence length in a temperature range of 4.2-80 K. The phase-coherence length was found to oscillate as the temperatures increased to around 30 K. From the maximum and minimum values of the oscillation of the phase-coherence length, it was suggested that the In2O3 film has two structure characteristic parameters. Transmission electron microscopy showed the structure of the thin In2O3 film to have structural features of a crystal phase- amorphous phase. It was found that the crystalline phase characteristic size was consistent with the maximum phase-coherence length and the amorphous phase characteristic size was consistent with the minimum phase-coherence length. It has been suggested that the temperature measurements of the magnetoresistance and the theory of weak localization can be used to evaluate the structural features of nanocomposite or nanostructured thin films. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Svobodny Prospect 79, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk Worker 31, Krasnoyarsk 660014, Russia.

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Tambasova, E. V.; Russian Foundation for Basic Research [16-32-00302 MOJI_a, 15-02-00948-A, 16-03-00069-A]; Council for Grants of the President of the Russian Federation [SP-317.2015.1]; Program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology ("UMNIK" Program) [6662GammaY2015, 9607GammaY/2015]
}
Найти похожие

Volkov, N. V.
Spintronics: manganite-based magnetic tunnel structures / N. V. Volkov // Phys. Usp. - 2012. - Vol. 55, Is. 3. - P. 250-269, DOI 10.3367/UFNe.0182.201203b.0263. - Cited References: 91. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (grant No. 11-02-00367-a); the program of the Presidium of the RAS, Fundamental Research on Nanotechnologies and Nanomaterials (grant No. 21.1); the program of the Department of Physical Sciences of the RAS "Spin Phenomena in Solid Nanostructures and Spintronics" (grant No. 2.4.4.1); integration projects of the Siberian Branch, RAS, Nos 5 and 134; and the Federal Special Purpose Program "Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia" (state contract No. NK-556P_15). . - ISSN 1063-7869

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
HIGH-FREQUENCY RECTIFICATION
   THIN INSULATING FILM
   COLOSSAL MAGNETORESISTANCE
   GIANT MAGNETORESISTANCE
   ELECTRONIC-STRUCTURE
   SANDWICH STRUCTURES
   SPIN POLARIZATION
   IDENTICAL METALS
   PHASE-SEPARATION
   ROOM-TEMPERATURE
Аннотация: A topical and highly promising aspect of the field of spintronics is the physics involved in the flow of a spin-polarized current through magnetic tunnel structures. This review focuses on manganite-based structures, which are appealing for their high Curie temperature, highly spin-polarized conduction electrons, high chemical stability, and well-developed fabrication technology. Particular emphasis is placed on some novel approaches to studying the tunnel structures, including the use of planar geometry and the application of combined external factors (microwave and optical radiation) to investigate spin-polarized transport.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Val'kov, V. V.
Heat capacity and magnetoresistance of a lightly doped two-dimensional antiferromagnet in the noncollinear phase / V. V. Val'Kov, A. D. Fedoseev // Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2013. - Vol. 77, Is. 3. - P. 349-351, DOI 10.3103/S1062873813030386 . - ISSN 1062-8738
Аннотация: The energy spectrum of mobile charge carriers in a two-dimensional Antiferromagnet placed in external magnetic field is analyzed. It is shown that allowing for the magnetic sublattice skew the effective mass of mobile charge carriers in a lightly doped Antiferromagnet. This affects substantially the transport and thermodynamic properties of the system. A insulator-semimetal transition is induced with external magnetic field. В© 2013 Allerton Press, Inc.

Scopus,
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теплоемкость и магнитосопротивление слаболегированного двумерного антиферромагнетика в неколлинеарной фазе. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Fedoseev, A. D.; Федосеев, Александр Дмитриевич; Вальков, Валерий Владимирович
}
Найти похожие

10.

Val'kov, V. V.
Effects of inelastic spin-dependent electron transport through a spin nanostructure in a magnetic field / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov // J. Exp. Theor. Phys. - 2011. - Vol. 113, Is. 2. - P. 266-275, DOI 10.1134/S1063776111060070. - Cited References: 30. - This study was carried out under the program of the Physical Science Department of the Russian Academy of Sciences, Federal Target Program "Scientific and Scientific-Pedagogical Personnel of Innovative Russia in 2009-2013," Interdisciplinary Integration project no. 53 of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, and under partial support from the Russian Foundation for Basic Research (project no. 09-02-00127). The research work of one of the authors (S.V.A) was supported by grant no. MK-1300.2011.2 from the President of the Russian Federation. . - ISSN 1063-7761

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
CONDUCTION
ANISOTROPY
JUNCTIONS
Кл.слова (ненормированные):
Antiferromagnetic coupling -- Colossal magnetoresistance effect -- IV characteristics -- Metallic contacts -- Potential profiles -- Spectral characteristics -- Spin dependent transport -- Spin dimer -- Spin moments -- Spin-dependent electron transport -- Spin-flip process -- Tight-binding approximations -- Transmission coefficients -- Antiferromagnetism -- Colossal magnetoresistance -- Current voltage characteristics -- Electric resistance -- Nanostructures -- Transport properties -- Magnetic field effects
Аннотация: The transport properties and current-voltage (I-V) characteristics of a system of spin dimers with antiferromagnetic coupling arranged between metallic contacts are investigated in the tight binding approximation using the Landauer-Buttiker formalism. It is shown that the s-d(f) exchange interaction between the spin moments of the electrons being transported and the spins of the nanostructure leads to the formation of a potential profile as well as its variation due to spin-flip processes. As a result, the spin-dependent transport becomes inelastic, and the transmission coefficient and the I-V characteristic are strongly modified. It is found that the application of a magnetic field induces additional transparency peaks in the spectral characteristic of the system and causes the colossal magnetoresistance effect.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Val'kov, V. V.
Aksenov, S. V.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Val'kov, V. V.
Aksenov, S. V.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
[Val'kov, V. V.] Reshetnikov Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
ИФ СО РАН
Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russian Federation
Reshetnikov Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Вальков, Валерий Владимирович
}
Найти похожие