Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (22)Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=semiconductor<.>)
Общее количество найденных документов : 126
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Metal–semiconductor transition in SmxMn1−xS solid solutions/S. S. Aplesnin [и др.] // Physica status solidi B - Basic Solid State Physics, 2012. т.Vol. 249,N Is. 4.-С.812-817
2.

Influence of band-to-band transition on light-controlled self-assembly of semiconductor nanoparticles/V. V. Slabko [et al.] // ICONO/LAT 2013 : Advance conference program, 2013.- Ст.IWS8.-С.67
3.

Magnetic and thermoelectric properties of the Mn1-X Ni (X) S solid solutions/G. Makovetskii [et al.] // Journal of the Korean Physical Society, 2013. т.Vol. 62,N Is. 12.-С.2059-2062
4.

Light passage through the polymer film of liquid crystal droplets with modified boundary conditions/V. A. Loiko [et al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2013. т.Vol. 16,N № 1.-С.185-189
5.

Bias-current and optically driven transport properties of the hybrid Fe/SiO 2/p-Si structures/N. V. Volkov [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena, 2012. т.Vol. 190.-С.526-529
6.

Magnetic-field- and bias-sensitive conductivity of a hybrid Fe/SiO 2/p-Si structure in planar geometry/N. V. Volkov [et al.] // Journal of Applied Physics, 2011. т.Vol. 109,N Is. 12.- Ст.123924
7.

Slabko V. V. Resonant light-controlled self-assembly of ordered nanostructures/V. V. Slabko, A. S. Tsipotan, A. S. Aleksandrovsky // Photonics and Nanostructures -Fundamentals and Applications:Elsevier Science BV, 2012. т.Vol. 10,N Is. 4.-С.636-643
8.

The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier/N. V. Volkov [et al.] // Applied Physics Letters:American Institute of Physics, 2014. т.Vol. 104,N Is. 22.- Ст.222406
9.

Reversible UV induced metal-semiconductor transition in In2O3 thin films prepared by autowave oxidation/I. A. Tambasov [et al.] // Semiconductor Science and Technology:IOP Publishing, 2014. т.Vol. 29,N Is. 8.- Ст.82001
10.

Magnetic and electrical properties of Co/Ge bilayer films/G. S. Patrin [et al.] // Solid State Phenomena:Trans Tech Publications, 2014. т.Vol. 215:Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013).-С.348-351
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)