Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=substrate<.>)

Общее количество найденных документов : 68
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпов, Сергей Васильевич, Рассказов, Илья Леонидович
Заглавие : Моделирование условий синтеза оптических нановолноводов из цепочек сферических металлических наночастиц методом электростатической функционализации технологической подложки
Место публикации : Коллоид. журн. - 2013. - Т. 75, № 3. - С. 308-318. - DOI 10.7868/S0023291213030099
Аннотация: Для получения упорядоченных структур из близкорасположенных плазмонно-резонансных наночастиц предложен электростатический метод функционализации подложек, обеспечивающий избирательное осаждение на них наночастиц из объема коллоидной системы. Метод основан на размещении с обратной стороны подложки металлического наношаблона требуемой конфигурации, на который подается электрический потенциал. Разработана математическая модель, позволяющая определить соответствие условиям реального эксперимента тех параметров системы, которые обеспечивают осаждение металлических наночастиц в одномерные упорядоченные структуры на подложку из объема золя в неоднородном электрическом поле, создаваемом наношаблоном. С помощью модели броуновской динамики исследована зависимость степени дефектности синтезируемых цепочек от физико-химических и электрических параметров системы, определяющая пригодность такого типа структур для передачи оптического возбуждения на частоте поверхностного плазмона частиц. Приведены примеры расчетов спектральных и трансмиссионных свойств нановолноводов данного типа.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Avramov P. V., Kuzubov A. A., Sakai, Seiji, Ohtomo, Manabu, Entani, Shiro, Matsumoto, Yoshihiro, Naramoto, Hiroshi, Eleseeva N. S.
Заглавие : Contact-induced spin polarization in graphene/h-BN/Ni nanocomposites
Место публикации : J. Appl. Phys.: American Institute of Physics, 2012. - Vol. 112, Is. 11. - Ст.114303. - P. - ISSN 0021-8979, DOI 10.1063/1.4767134
Примечания : Cited References: 47. - This work was supported by JAEA Research fellowship (P.V.A.). P.V.A. also acknowledges JAEA ASRC and Molecular Spintronics Group for hospitality and fruitful collaboration. The authors are grateful to the ICS SB RAS and SFU CC (Krasnoyarsk), ISC RAS and MSU CRC, (SKIF MSU "Chebyshev", Moscow) for computer resources. This work was partially supported by the RFBR grant 12-02-31417.
Предметные рубрики: HEXAGONAL BORON-NITRIDE
TRILAYER GRAPHENE
NI(111) SURFACE
GRAPHITE
APPROXIMATION
SPINTRONICS
DIFFRACTION
SIMULATION
SUBSTRATE
CARBON
Аннотация: Atomic and electronic structure of graphene/Ni(111), h-BN/Ni(111) and graphene/h-BN/Ni(111) nanocomposites with different numbers of graphene and h-BN layers and in different mutual arrangements of graphene/Ni and h-BN/Ni at the interfaces was studied using LDA/PBC/PW technique. Using the same technique corresponding graphene, h-BN and graphene/h-BN structures without the Ni plate were calculated for the sake of comparison. It was suggested that C-top:C-fcc and N-top:B-fcc configurations are energetically favorable for the graphene/Ni and h-BN/Ni interfaces, respectively. The Ni plate was found to induce a significant degree of spin polarization in graphene and h-BN through exchange interactions of the electronic states located on different fragments. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4767134]
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Karpov S. V., Рассказов, Илья Леонидович
Заглавие : Simulation of conditions for fabrication of optical nanowaveguides in the form of chains of spherical metal nanoparticles by electrostatic functionalization of the process substrate
Место публикации : Colloid J. - 2013. - Vol. 75, Is. 3. - P.279-288. - ISSN 1061-933X, DOI 10.1134/S1061933X13030083
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): deposition of metals--electrical parameter--experimental conditions--nonuniform electric field--ordered structures--selective deposition--single-domain structure--transmission property--deposition--electric fields--mathematical models--metal nanoparticles--photoexcitation--plasmons--sols--substrates
Аннотация: A method is proposed for electrostatic functionalization of substrates used to prepare ordered structures composed of closely spaced plasmon-resonant nanoparticles. The method ensures selective deposition of nanoparticles from the bulk of a colloidal system onto the substrates. This method is based on placing a metal nanotemplate of a required configuration at the opposite side of a substrate, with an electric potential being applied to the template. A mathematical model is developed to ensure that the system parameters responsible for the deposition of metal nanoparticles into ordered single-domain structures on the substrate from a bulk sol in a nonuniform electric field generated by the nanotemplate correspond to the real experimental conditions. Since the degree of imperfection of the synthesized chains governs the applicability of these structures to transmission of the optical excitation at the frequency of the surface plasmon of the particles, the dependence of the degree of imperfection on the physicochemical and electrical parameters of the system is studied using the Brownian-dynamics model. The calculations of the spectral and transmission properties of nanowaveguides of this type are exemplified. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Лексиков, Александр Александрович, Изотов, Андрей Викторович, Сержантов, Алексей Михайлович, Соловьев, Платон Николаевич, Лемберг, Константин Вячеславович
Заглавие : Экспериментальное и теоретическое исследование влияния на высокочастотные свойства тонких магнитных пленок искусственной текстуры подложек
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8/2. - С. 263-266
Примечания : Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ, госконтракт № 14.513.11.0010, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009−2013» и гранта РФФИ № 12-02-12008-офи_м
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): текстура подложки--тонкие магнитные пленки--ферромагнитный резонанс--микромагнитное моделирование--artificial texture in substrate--magnetic films--ferromagnetic resonance--numerical micromagnetic simulation
Аннотация: С помощью сканирующего спектрометра ферромагнитного резонанса (ФМР) получены экспериментальные зависимости резонансного поля и ширины линии ФМР тонких пермаллоевых магнитных пленок, осажденных в вакууме на подложки с искусственно созданной текстурой. Текстура получена нанесением алмазным резцом параллельных рисок на стеклянные подложки с периодичностью от 5 до 200 мкм. Обнаружено, что наличие текстуры приводит к существенному росту резонансного поля и ширины линии ФМР, когда внешнее поле направлено ортогонально рискам. На основе численного микромагнитного моделирования дано объяснение природы наблюдаемых в магнитных пленках эффектов.Using the scanning spectrometer of ferromagnetic resonance (FMR) the experimental dependences of the resonance field and FMR line width of thin permalloy magnetic films, which were deposited in vacuum on the substrate with an artificial texture, were obtained. The texture was produced by putting parallel grooves using a diamond cutter on glass substrates with period from 5 to 200 μm. It was found that the presence of the texture was leading to an essential increase of th resonance field and FMR line width, when the external field was directed orthogonal to the grooves. On the base of a numerical micromagnetic simulation the explanation of nature of observable in thin magnetic films effects was given.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Сержантов, Алексей Михайлович, Бальва, Ярослав Федорович
Заглавие : Исследование миниатюрного полоскового резонатора и полосно-пропускающего фильтра с широкой полосой заграждения на его основе
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8/3. - С. 57-59
Примечания : Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, Госконтракт № 14.513.11.0010, и ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009−2013».
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полосковый резонатор--подвешенная подложка--полосно-пропускающий фильтр--bandpass filter--miniature filter--suspended stripline resonator--double-layer substrate--wide stopband
Аннотация: Исследована конструкция миниатюрного трехпроводного полоскового резонатора на подвешенной подложке. На ее основе разработаны полосно-пропускающие фильтры с протяженной полосой заграждения и высоким уровнем подавления в ней. Изготовлен макет полосно-пропускающего фильтра четвертого порядка с относительной шириной полосы пропускания 5 %, у которого граничная частота полосы заграждения по уровню -100 дБ более чем в 10 раз превышает центральную частоту.The novel suspended stripline resonator is proposed. The four-order bandpass filter based on this resonator was fabricated. The filter has 5% fractional bandwidth and stopband that extends up to 10f0 at rejection level of –100 dB.
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Рассказов, Илья Леонидович, Alecseenko I. V., Karpov S. V.
Заглавие : Optical properties of the waveguides in the form of various configurations of arrays of nanoparticles, synthesized on the lectrostatical functionalized substrate
Коллективы : Всероссийская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых, посвященной 155-летию со дня рождения К.Э. Циолковского (8; 2012 ; апр. ; 19-27; Красноярск)
Место публикации : Молодежь и наука [Электронный ресурс]: сборник материалов VIII Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвященной 155-летию со дня рождения К.Э.Циолковского. - Красноярск: СФУ, 2012
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Eremin E. V., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Bias-current and optically driven transport properties of the hybrid Fe/SiO 2/p-Si structures
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.526-529. - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.526. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structure--mis transition--photoelectric effect--schottky barrier--channel switching--comparative analysis--electron hole pairs--fe films--fe layer--ferromagnetic films--hybrid structure--optical effects--optical radiations--photogeneration--planar geometries--schottky barriers--semiconductor substrate--temperature variation--critical currents--interfaces (materials)--magnetic materials--photoelectricity--schottky barrier diodes--silicon--switching circuits--transport properties
Аннотация: Pronounced optical- and bias-current-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO 2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the MIS transition with a Schottky barrier near the interface between SiO 2 and p- Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and optical radiation. The mechanism of the optical effect is photogeneration of electron-hole pairs in the semiconductor substrate near its boundary with SiO 2 layer. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Eremin E. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Zharkov S. M.
Заглавие : Magnetic-field- and bias-sensitive conductivity of a hybrid Fe/SiO 2/p-Si structure in planar geometry
Место публикации : J. Appl. Phys. - 2011. - Vol. 109, Is. 12. - Ст.123924. - P. - ISSN 0021-8979, DOI 10.1063/1.3600056
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): channel switching--comparative analysis--fe films--fe layer--ferromagnetic films--high temperature--hybrid structure--inversion layer--metal-insulator-semiconductors--negative magneto-resistance--planar geometries--positive magnetoresistance--schottky barriers--semiconductor substrate--temperature variation--weak localization--critical currents--electric resistance--ferromagnetic materials--geometry--magnetic fields--magnetoelectronics--magnetoresistance--metal insulator boundaries--metal insulator transition--mis devices--schottky barrier diodes--silicon--silicon compounds--switching circuits--transport properties--semiconducting silicon
Аннотация: Pronounced magnetic-field- and bias-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the metal-insulator-semiconductor (MIS) transition with a Schottky barrier near the interface between SiO2 and p-Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and a magnetic field. Positive magnetoresistance of the structures at high temperatures is determined, most likely, by disorder-induced weak localization. In the structure with the gap, negative magnetoresistance is observed at certain temperature and bias. Its occurrence should be attributed to an inversion layer formed in the semiconductor near the SiO2/p-Si interface when MIS transition is in the inversion regime. В© 2011 American Institute of Physics.
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Myagkov V. G., Ivanenko A. A., Bykova L. E., Yozhikova E. V., Maksimov I. A., Ivanov V. V.
Заглавие : Effect of exposure to optical radiation and temperature on the electrical and optical properties of In2O3 films produced by autowave oxidation
Коллективы : Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.513.11.0023]
Место публикации : Semiconductors: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 48, Is. 2. - P.207-211. - ISSN 1063-7826, DOI 10.1134/S1063782614020286. - ISSN 1090-6479
Примечания : Cited References: 42. - This study was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Federal Targeted Program "Research and Development in Priority Fields of Development of the Science and Technology Complex of Russia for 2007-2013", state contract no. 14.513.11.0023.
Предметные рубрики: GAS SENSOR RESPONSE
INDIUM OXIDE-FILMS
THIN-FILMS
HIGH-PERFORMANCE
TIN OXIDE
TRANSPARENT CONDUCTORS
SUBSTRATE-TEMPERATURE
ROOM-TEMPERATURE
TRANSISTORS
PHOTOREDUCTION
Аннотация: Indium-oxide films are synthesized by the autowave-oxidation reaction. It is shown that, upon exposure to optical radiation, the resistance of the films sharply decreases and the maximal relative change in the resistance is 52% at room temperature. Two resistance relaxation rates after termination of the irradiation, 15 Omega s(-1) during the first 30 s and 7 Omega s(-1) over the remaining time, are determined. The data of infrared spectroscopy of the films show that exposure to optical radiation induces a 2.4% decrease in the transmittance at a wavelength of 6.3 mu m. It is found that, after termination of the irradiation, the transmittance gradually increases with a rate of 0.006% s(-1). It is suggested that photoreduction is the dominant mechanism responsible for changes in the electrical and optical properties of the In2O3 films.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Myagkov V. G., Tarasov A. S., Ivanenko A. A., Bykova L. E., Nemtsev I. V., Eremin E. V., Yozhikova E. V.
Заглавие : Reversible UV induced metal-semiconductor transition in In2O3 thin films prepared by autowave oxidation
Коллективы : Federal Target Program [14.513.11.0023]; Russian Foundation for Basic Research [14-02-31156]
Место публикации : Semicond. Sci. Technol.: IOP Publishing, 2014. - Vol. 29, Is. 8. - Ст.82001. - ISSN 0268-1242, DOI 10.1088/0268-1242/29/8/082001. - ISSN 1361-6641
Примечания : Cited References: 56. - This work was supported by the Federal Target Program through Contract No 14.513.11.0023; the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 14-02-31156.
Предметные рубрики: TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES
Ga-DOPED ZnO
LOW-TEMPERATURE
HIGH-PERFORMANCE
SUBSTRATE-TEMPERATURE
INSULATOR-TRANSITION
ROOM-TEMPERATURE
TRANSISTORS
COMBUSTION
PHOTOREDUCTION
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): indium oxide thin films--autowave oxidation--metal-semiconductor transition--uv irradiation--photoreduction
Аннотация: We have prepared thin indium oxide films by the autowave oxidation reaction. Measurements of temperature dependence of resistivity, Hall carrier concentration and Hall mobility have been conducted in the temperature range 5-272 K. Before ultraviolet (UV) irradiation, the indium oxide film had a semiconductor-like temperature dependence of resistivity. and the ratio of rho (5 K)/rho(272 K) was very limited (similar to 1.2). It was found that after UV irradiation of the In2O3 film, the metal-semiconductor transition (MST) was observed at similar to 100 K. To show that this MST is reversible and repeatable, two full cycles of 'absence of MST-presence of MST' have been done using UV irradiation (photoreduction) as the induced mechanism and exposure to an oxygen environment as the reversible mechanism, respectively. MST in transparent conducting oxide (TCO) is possibly associated with the undoped structure of metal oxide, which has some disorder of oxygen vacancies. It was suggested that reversible UV induced metal-semiconductor transition would occur in other TCOs.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие