Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>S=FE1-XVXBO3<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kazak N. V., Gavriliuk A. G., Ovchinnikov S. G., Lyubutin I. S., Edel'man I. S., Rudenko V. V.
Заглавие : Evolution of the optical absorption spectra and electronic structure of the VBO3 crystal under high pressures
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [07-02-00490a, 08-02-00897a, 08-02-90708 mob_st, 09-02-00171a, 07-02-00226]; Federal Agency for Science and Innovation [MK-4278.2008.2, 01.164.12.HB11]; Russian Academy of Sciences
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys. - 2009. - Vol. 109, Is. 3. - P.455-465. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/S1063776109090118
Примечания : Cited References: 27. - We would like to thank A. D. Vasil'ev for performing the X-ray diffraction investigations.This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 07-02-00490a, 08-02-00897a, 08-02-90708 mob_st, 09-02-00171a, and 07-02-00226), the Federal Agency for Science and Innovation (Rosnauka) (project no. MK-4278.2008.2, contract no. 01.164.12.HB11), and the Branch of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences within the framework of the program "Strongly Correlated Electrons."
Предметные рубрики: BAND-STRUCTURE
PHASE-TRANSITION
FEBO3
FE1-XVXBO3
STATE
MODEL
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): charge-transfer excitations--d-d transitions--ferromagnetic semiconductor--fundamental absorption edge--high pressure--optical absorption spectrum--absorption--boron--boron compounds--electronic properties--electronic structure--optical materials--oxygen--vanadium--light absorption
Аннотация: The evolution of optical absorption spectra of the ferromagnetic semiconductor VBO3 under high pressures up to 70 GPa has been investigated. It has been revealed that, below the fundamental absorption edge (E (g1) = 3.02 eV), the spectra exhibit a series of bands V1 (2.87 eV), V2 (2.45 eV), V3 (1.72 eV), and V4(1.21 eV) due to the d-d transitions in the V3+ ion and charge-transfer excitations. A model of the electronic structure of the VBO3 semiconductor has been constructed. This model combines the one-electron description of the s and p states of boron and oxygen and the many-electron description of the vanadium d states.
WOS,
Scopus,
РИНЦ,
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие