Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (68)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=диффузия<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-14

Беляев, Борис Афанасьевич.
Влияние ионных примесей на импедансные спектры жидких кристаллов / Б. А. Беляев, Н. А. Дрокин, А. Н. Масленников // Жидкие кристаллы и их практическое использование. - 2012. - Вып. 4. - С. 39-46 . - ISSN 1991-3966
Кл.слова (ненормированные):
электрический импеданс -- ионная проводимость -- сурфактант -- релаксация -- диффузия -- жидкие кристаллы -- адсорбция
Аннотация: Проведены исследования полного комплексного сопротивления (импеданса) жидкого кристалла 8СВ, допированного ионным сурфактантом цетил-триметил-аммонием бромистым (ЦТАБ) в диапазоне частот f = 10-2 − 108 Гц. Установлено, что введение ионов в составе сурфактанта приводит к увеличению действительной и мнимой компонент импеданса в области низких частот. Используя метод замещения образца эквивалентной электрической схемой, проведена аппроксимация импедансных спектров и определены электрофизические характеристики материала.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Дрокин, Николай Александрович; Drokin, N.A.; Масленников, Алексей Николаевич; Maslennikov, A.N.; Belyaev B. A.
}
Найти похожие

Ивлев, В. Ф.
Положение протонов и диффузия молекул воды в апофиллите KFCa4Si8O20-8H2O [Текст] / И. П. Александрова [и др.] // Кристаллография. - 1968. - Т. 13, Вып. 5. - С. 815-820. - Библиогр.: 7 назв.

Держатели документа:
Институт физики Сибирского отделения АН СССР

Доп.точки доступа:
Заварзина, Н. И.; Габуда, Святослав Петрович; Gabuda, S.P.
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ЛИТИЙ -- КРЕМНИЙ -- DFT -- DIFFUSION -- LITHIUM -- SILICON
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- литий -- кремний -- кремний -- допирование -- метод функционала плотности (DFT) -- diffusion -- lithium -- silicon -- doping -- DFT
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие

Диффузия ионов фтора в нестехиометрических твердых растворах Pb1-xLaxF2+x / В. А. Вопилов, Е. А. Вопилов, В. М. Бузник [и др.] // Современные методы ЯМР и ЭПР в химии твердого тела : сборник статей всесоюз. сов. - Черноголовка, 1985. - С. 73-75. - Библиогр.: 3

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Вопилов, Владимир Александрович; Vopilov, V. A.; Вопилов, Евгений Александрович; Vopilov, E. A.; Бузник, Вячеслав Михайлович; Buznik, V. M.; Мурин, И. В.; Чернов, С. В.; Всесоюзное координационное совещание ученых и специалистов институтов АН СССР, отраслевых институтов и вузов по проблеме применения в химии твердого тела современных методов ЯМР и ЭПР(4 ; 1985 ; 20-22 мая ; Черноголовка)
}
Найти похожие

Диффузия стронция в межгранульной границе La2−xSrxCuO4 / А. А. Быков, Д. М. Гохфельд, К. Ю. Терентьев [и др.] // Журн. физ. химии. - 2021. - Т. 95, № 6. - С. 903-907, DOI 10.31857/S0044453721060066. - Библиогр.: 11. - Работы выполнены при поддержке Российского научного фонда, проект № 17-72-10067 . - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
композиты -- сверхпроводимость -- диффузия -- межгранульные границы -- диффузионный фронт -- LSCO (La1.56Sr0.44CuO4)
Аннотация: Энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия и сканирующая электронная микроскопия применены для исследования композитов La2CuO4–La1.56Sr0.44CuO4 с различным временем отжига. Рассчитаны карты распределения стронция для таких систем и проведено сравнение с экспериментальными данными, полученными на области контакта двух разнородных гранул. Найден коэффициент решеточной диффузии стронция. На участках соприкосновения гранул La2CuO4 и La1.56Sr0.44CuO4 концентрация стронция соответствует сверхпроводящей фазе La2−xSrxCuO4 с x = 0.05–0.25. Технологические параметры синтеза влияют на размер и количество сверхпроводящих и нормальных областей. Увеличение времени отжига приводит к падению градиента концентрации стронция, что вызывает прекращение увеличения размеров сверхпроводящих областей. Такое насыщение подтверждает модель диффузионного фронта.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Diffusion of strontium in the intergranular boundaries of La2–xSrxCuO4 [Текст] / A. A. Bykov, D. M. Gokhfeld, K. Y. Terent’ev [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A. - 2021. - Vol. 95 Is. 6.- P.1165-1168

Держатели документа:
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт” – ПИЯФ Гатчина, Россия
Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Быков, А. А.; Гохфельд, Денис Михайлович; Gokhfeld, D. M.; Терентьев, Константин Юрьевич; Terent'ev, K. Yu.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Петров, Михаил Иванович; Petrov, M. I.
}
Найти похожие

Одномерный дрейф газа магнитных вихрей в хаотичном поле дефектов / В. А. Орлов, А. А. Иванов, И. Н. Орлова [и др.] // Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXIV международной конференции / прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2021. - Секция 11: Магнитные наноструктуры. - Ст. 11-53-58. - Библиогр.: 3. - Исследование выполнено в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российcкой Федерации (№ темы FSRZ-2020-0011).
Кл.слова (ненормированные):
магнитные вихри -- скирмионы -- диффузия -- закон Аррениуса
Аннотация: работе теоретически решается задача о термоактивированном одномерном движении газа невзаимодействующих магнитных вихрей/скирмионов в поле хаотично расположенных дефектов -закрепляющих центров. Свойства центров закрепления так же могут флуктуировать. Фактор, приводящий в движение газ квазичастиц, может быть любой физической природы (поля, токи, градиенты магнитных характеристик магнетика...).

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович \прогр. ком.\; Iskhakov, R. S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Орлов, Виталий Александрович; Orlov, V. A.; Иванов, Анатолий Александрович; Орлова, И. Н.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Исхаков, Рауф Садыкович; "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция(24 ; 2021 ; 1-8 июля ; Москва); Научный совет по физике конденсированных сред РАН; МИРЭА - Российский технологический университет; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Магнитное общество России
}
Найти похожие

Калинин, Юрий Дмитриевич.
Диффузия частиц в радиационных поясах : [рецензия] / Ю. Д. Калинин // Геомагнетизм и аэрономия. - 1975. - Т. 15, N 1. - С. 187
Рец. на M. Schulz, L. J. Lanzerotti. - 1974
. - ISSN 0016-7940

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Kalinin, Yu. D.
}
Найти похожие

Коршунов, Михаил Анатольевич.
Ускоренная диффузия молекул парадихлорбензола в наночастицах твердого раствора парадибромбензола/парадихлорбензола / M. А. Коршунов // Упорядочение в минералах и сплавах (OMA-2009) = Ordering in Minerals and Alloys : 12th International meeting : 12-й Международный симпозиум : 10-16 октября 2009, г. Ростов-на-Дону, пос. Лоо, Россия. - 2009. - Vol. 1. - P. 259-260

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Korshunov, M. A.; "Ordering in Minerals and Alloys", international meeting(18 ; 2009 ; Sept. ; Rostov-on-Don)"Упорядочение в минералах и сплавах", международный симпозиум(12 ; 2009 ; сент. ; 10-16 ; Ростов-на-Дону, п.Лоо)
}
Найти похожие

10.

Габуда, Святослав Петрович.
Диффузия молекул воды в натролите / С. П. Габуда // Докл. АН СССР. - 1962. - Т. 146, № 4. - С. 840-843. - Библиогр.: 9

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Gabuda, S. P.
}
Найти похожие