Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=карбид кремния<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1207-1211. - Библиогр.: 21 назв. . - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- дефекты -- адатомы -- метод функционала плотности
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Calculating the energy of vacancies and adatoms in a hexagonal SiC monolayer [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 86 Is. 7.- P.1091-1095

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Толстая, А. В.
}
Найти похожие

Плазмохимический способ модификации карбида кремния для получения частиц с управляемой морфологией поверхности / Т. А. Шалыгина, М. С. Руденко, И. В. Немцев [и др.] // Письма в Журн. технич. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 4. - С. 15-19, DOI 10.21883/PJTF.2022.04.52078.19042. - Библиогр.: 9. - Работа выполнена в рамках государственного задания Минобрнауки России на выполнение коллективом научной лаборатории "Интеллектуальные материалы и структуры" проекта "Разработка многофункциональных интеллектуальных материалов и структур на основе модифицированных полимерных композиционных материалов, способных функционировать в экстремальных условиях" (номер темы FEFE-2020-0015) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- плазмохимия -- морфология поверхности -- наночастицы -- нитевидные нанокристаллы -- углеродная оболочка -- ядро-оболочка
Аннотация: Представлен плазмохимический способ модификации частиц карбида кремния, позволяющий получить частицы с управляемой морфологией поверхности. Изменяющимся параметром обработки частиц являлось соотношение объемных долей плазмообразующего (Ar) и дополнительного (Н) газов. Показано, что при соотношении Ar/H = 100/0 наблюдается образование углеродной оболочки, при соотношениях Ar/H, равных 91/9 и 84/16, частицы характеризуются углеродной оболочкой, декорированной кремниевыми наночастицами или нитевидными нанокристаллами соответственно. Модифицированные частицы проанализированы с помощью сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Plasma-chemical method of silicon carbide modification to obtain particles with controlled surface morphology [Текст] / T. A. Shalygina, M. S. Rudenko, I. V. Nemtsev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48 Is. 2.- P.57-60

Держатели документа:
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Шалыгина, Т. А.; Руденко, М. С.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Парфенов, В. А.; Воронина, С. Ю.
}
Найти похожие