1.
|
Романова, Оксана Борисовна. Влияние электронного и дырочного допирования на транспортные характеристики халькогенидных систем / О. Б. Романова, С. С. Аплеснин, Л. В. Удод> // Физ. тверд. тела. - 2021. - Т. 63, Вып. 5. - С. 606-609, DOI 10.21883/FTT.2021.05.50808.269. - Библиогр.: 21. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и БРФФИ в рамках научного проекта N 20-52-00005
. - ISSN 0367-3294 Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- проводимость -- константа Холла -- подвижность Аннотация: Проведены исследования электрических свойств и эффекта Холла в полупроводниковых соединениях Ag0.01Mn0.99S и Tm0.01Mn0.99S в интервале температур 80-400 K в магнитном поле 12 kOe. Установлен механизм проводимости, зависящий от типа допирования и концентрации из вольт-амперных характеристик. При замещении марганца серебром найден моттовский тип, а замещение тулием вызывает омическую проводимость. Из константы Холла найдена подвижность и тип носителей заряда.
Смотреть статью, Смотреть статью, Читать в сети ИФ Переводная версия Romanova O. B. Effect of electron and hole doping on the transport characteristics of chalcogenide systems [Текст] / O. B. Romanova, S. S. Aplesnin, L. V. Udod // Phys. Solid State. - 2021. - Vol. 63 Is. 5.- P.754-757
Держатели документа: Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия Доп.точки доступа: Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Удод, Любовь Викторовна; Udod, L. V.; Romanova, O. B. } Найти похожие
|