Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (36)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=кремний<.>)

Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-17

Влияние ионов диспрозия на физические свойства кристалла моносилицида железа / Г. С. Патрин [и др.] // Кремний-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 68

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Закиева, О. В. ; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Исхаков, Рауф Садыкович.
Синтез и свойства композитов магнитный металл-пористый кремний / Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова, С. В. Комогорцев // Кремний-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 83

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Чеканова, Лидия Александровна; Chekanova, L. A.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.; Iskhakov, R. S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Исхаков, Рауф Садыкович.
Структуры на основе пористого кремния и возможное их применение в микроэлектронике / Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова, С. В. Комогорцев // Кремний-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 84

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Чеканова, Лидия Александровна; Chekanova, L. A.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.; Iskhakov, R. S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Магнитные и резонансные свойства многослойных магнитных пленок с немагнитной кремниевой прослойкой / Г. С. Патрин [и др.] // Кремний-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 87

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Щеглова М. А.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Многослойные магнитные наноструктуры на основе кремния, полученные термическим испарением в сверхвысоком вакууме / С. Н. Варнаков [и др.] // Кремний-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 92

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Bondarenko, G. V.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Исследование интерфейса мультислоев Fe/Si методом спектроскопии потерь энергии отраженных электронов / А. С. Паршин, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, Г. А. Александрова // Кремний-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 107

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Паршин, Анатолий Сергеевич; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Александрова, Галина Алексеевна; Aleksandrova, G. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Автоматизированная система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии / Н. Н. Косырев [и др.] // Кремний-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 112

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Худяков, Алексей Евгеньевич; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Реализация серверного программного обеспечения для получения кремниевых пленок / А. В. Шайдуров [и др.] // Кремний-2006 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2006. - С. 119

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шайдуров, А. В.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Кремний-2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства(3 ; 4-6 июля 2006 г. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ЛИТИЙ -- КРЕМНИЙ -- DFT -- DIFFUSION -- LITHIUM -- SILICON
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие

10.

    Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- литий -- кремний -- кремний -- допирование -- метод функционала плотности (DFT) -- diffusion -- lithium -- silicon -- doping -- DFT
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие