1. 
|
Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1207-1211. - Библиогр.: 21 назв.
. - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- дефекты -- адатомы -- метод функционала плотности
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Переводная версия Calculating the energy of vacancies and adatoms in a hexagonal SiC monolayer [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 86 Is. 7.- P.1091-1095
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Толстая, А. В.
}
Найти похожие
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Стандартный
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН