Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=многослойные структуры<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25 / М. Н. Волочаев [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185. - Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6). . - ISSN 0015-3222
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- многослойные структуры -- оксидные полупроводники -- прыжковая проводимость -- термическая стабильность
Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия

Доп.точки доступа:
Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Калинин, Ю. Е.; Каширин, М. А.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Бассараб, В. В.
}
Найти похожие

Бикбаев, Рашид Гельмединович.
Описание спектральных свойств системы гран хлоропласта методом гомогенизации / Р. Г. Бикбаев, И. В. Тимофеев, В. Ф. Шабанов // Доклады Академии наук. Физика, технические науки. - 2022. - Т. 502, № 1. - С. 15-18, DOI 10.31857/S2686740022010059. - Библиогр.: 10 . - ISSN 2686-7400
Кл.слова (ненормированные):
модель эффективной среды -- многослойные структуры -- мягкая материя
Аннотация: В работе исследованы спектральные свойства треугольной решетки из гран. Методом конечных разностей во временной области рассчитаны спектры пропускания структуры и определены компоненты матрицы рассеяния, позволяющие определить эффективные параметры структуры. В результате было показано, что двумерная решетка из гран может быть представлена в виде гомогенной пленки с толщиной равной высоте граны. Показано, что положения резонансов до и после гомогенизации структуры совпадают, что делает этот метод привлекательным для проведения оценочных расчетов структуры.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Bikbaev R. G. Investigation of spectral properties of chloroplast grana system by effective medium theory [Текст] / R. G. Bikbaev, I. V. Timofeev, V. F. Shabanov // Dokl. Phys. - 2022. - Vol. 67 Is. 2.- P.44-46

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тимофеев, Иван Владимирович; Timofeev, I. V.; Шабанов, Василий Филиппович; Shabanov, V. F.; Bikbaev, R. G.
}
Найти похожие