Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (25)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=монокристаллы<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.


   
    XX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. ВКС-XX : сб. тр. конф. / Мин-во образов. и науки Рос. Федер., Рос. акад. наук, Науч. совет по физ. конденс. сред, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Краснояр. науч. центр, Сиб. федер. ун-т. Шк. мол. ученых "Актуальные пробл. физики сегнетоэлектриков" ; чл. орг. ком. В. Ф. Шабанов ; орг. ком. А. С. Сигов [и др.]. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2014. - 399 с. - Загл. обл. : ВКС-XX. Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. - 150 экз. - ISBN 978-5-90460-304-5 : Б. ц.
    Содержание:
Фазовые переходы, критические явления . - С .39-132
Теоретические расчеты свойств сегнетоэлектриков . - С .133-150
Структура и динамика кристаллической решетки . - С .151-174
Физические свойства сегнетоэлектриков (монокристаллы, керамика, композиты, жидкие кристаллы, новые материалы) . - С .175-240
Сегнетоэлектрики - релаксоры . - С .241-264
Мультиферроики . - С .265-294
Доменная структура и процессы переключения . - С .295-334
Сегнетоэлектрические пленки, сверхрешетки и наноструктуры. Размерные эффекты в сегнетоэллектриках . - С .335-366
Практическое применение сегнетоэлектриков и родственных материалов (пиро- и пьезоэлектрические, оптические и нелинейно-оптические, СВЧ) . - С .367-392
Аннотация: Сборник предназначен для научных сотрудников, аспирантов, преподавателей и студентов, интересующихся проблемами физики сегнетоэлектриков. Подготовка и проведение конференции осуществлены при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности. Печатается по решению Оргкомитета конференции ВКС-XX в авторской редакции.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шабанов, Василий Филиппович \чл. орг. ком.\; Shabanov, V. F.; Сигов, А. С. \орг. ком.\; Вахрушев, С. Б. \орг. ком.\; Волков, Никита Валентинович \орг. ком.\; Volkov, N. V.; Чугуева, И. Н. \орг. ком.\; Волков, А. А. \орг. ком.\; Втюрин, Александр Николаевич \орг. ком.\; Vtyurin, A. N.; Гриднев, С. А. \орг. ком.\; Зайцев, Александр Иванович \орг. ком.\; Zaitsev, A. I.; Зиненко, Виктор Иванович \орг. ком.\; Zinenko, V. I.; Иванова, Е. С. \орг. ком.\; Лушников, С. Г. \орг. ком.\; Малиновский, В. К. \орг. ком.\; Патрин, Геннадий Семёнович \орг. ком.\; Patrin, G. S.; Печерская, Р. М. \орг. ком.\; Сахненко, В. П. \орг. ком.\; Флёров, Игорь Николаевич \орг. ком.\; Flerov, I. N.; Шур, Владимир Яковлевич \орг. ком.\; Министерство образования и науки Российской Федерации; Российская академия наук; Научный совет по физике конденсированных сред РАН; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН; Сибирский федеральный университет; Школа молодых ученых "Актуальные проблемы физики сегнетоэлектриков" (18-22 августа 2014 г. ; Красноярск); Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (20 ; 2014 ; 18-22 авг. ; Красноярск)
Свободных экз. нет}
Найти похожие
2.


   
    Изучение структуры легированных хромом и алюминием монокристаллов феррита бария, полученных методом спонтанной кристаллизации / Д. А. Винник [и др.] // Электрометаллургия. - 2015. - № 8. - С. 33-35. - Библиогр.: 12 . - ISSN 1684-5781
Кл.слова (ненормированные):
феррит бария -- монокристаллы -- легирование
Аннотация: Представлены результаты исследования монокристаллов феррита бария, нелегированного и легированного Cr и Al методом спонтанной кристаллизации. Химические формулы выращенных кристаллов — BaFe12O19, BaFe11,95Cr0,05O19, BaFe11,76Al0,24O19. Приведены результаты рентгенографического исследования полученных образцов. Для нелегированного гексаферрита бария BaFe12O19 параметры ячейки составляют 5,8824(7) Å и 23,155(3) Å, для BaFe11,95Cr0,05O19 — 5,8817(11) Å и 23,161(3) Å, для BaFe11,76Al0,24O19 — 5,8833(8) Å и 23,155(4) Å. Проведено исследование магнитных свойств. При температуре 300 К остаточная намагниченность для BaFe12O19, BaFe11,95Cr0,05O19, BaFe11,76Al0,24O19 равна 65,1; 65,6; 65,0 emu / g соответственно.

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Винник, Д. А.; Машковцева, Л. С.; Жеребцов, Д. А.; Немрава, С.; Нива, Р.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Исаенко, Л. И.
}
Найти похожие
3.
   В37

    Бабкин, Евгений Владимирович.
    Наведенная магнитная анизопропия в эпитаксиальных кристаллах феррита марганца : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / Е. В. Бабкин ; науч. рук. В. Г. Пынько ; Ин-т физики им. Л.В. Киренского СО АН СССР. - Красноярск, 1980. - 24 с. - Библиогр.: 8 назв. - 100 экз. -
ГРНТИ

Рубрики:
Ферриты--Монокристаллы--Пленки тонкие--Исследование

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Пынько, Виталий Григорьевич \науч. рук.\; Pyn'ko, V. G.; Веселаго, Виктор Георгиевич \офиц. опп.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич \офиц. опп.\; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССР; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Свободных экз. нет}
Найти похожие
4.
   В37
   Ф 34


    Федотов, Анатолий Петрович.
    Влияние динамики протонной системы на спектры комбинационного рассеяния света тригидроселенита натрия : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / А. П. Федотов ; науч. рук. В. Ф. Шабанов ; офиц. опп.: В. С. Горелик, А. И. Рубайло ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг. Ин-т физики АН ЭССР. - Красноярск, 1982. - 24 с. - Библиогр.: 13 назв. . - 100 экз. -
ГРНТИ

Рубрики:
Кристаллы сегнетоэлектрические--Спектры комбинационного рассеяния--Исследование
   Монокристаллы--Связь водородная--Исследование


Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шабанов, Василий Филиппович \науч. рук.\; Горелик, Владимир Семенович \офиц. опп.\; Рубайло, Анатолий Иосифович \офиц. опп.\; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения АН СССРИнститут физики АН Эстонской ССР
Свободных экз. нет}
Найти похожие
5.
   В37
   Р 69


    Романова, Оксана Борисовна.
    Исследование магнитосопротивления в сульфидах марганца : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 : защищена 23.10.2003 / О. Б. Романова ; науч. рук. Г. А. Петраковский ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2003. - 18 с. - Библиогр. - 80 экз. -
ГРНТИ

Рубрики:
Монокристаллы--Свойства электромагнитные--Магнитосопротивление--Исследование

Смотреть автореферат,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Петраковский, Герман Антонович \науч. рук.\; Petrakovskii, G. A.; Бабкин, Евгений Владимирович \офиц. опп.\; Петров, Михаил Иванович \офиц. опп.\; Petrov, M. I.; Romanova, O. B.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета
Свободных экз. нет}
Найти похожие
6.


   
    Lead-Free Perovskite Derivative Cs2SnCl6−xBrx Single Crystals for Narrowband Photodetectors / J. Zhou [et al.] // Adv. Opt. Mater. - 2019. - Vol. 7, Is. 10. - Ст. 1900139, DOI 10.1002/adom.201900139. - Cited References: 26. - J.Z., J.J.L., X.M.R. contributed equally to this work. The present work was supported by the National Natural Science Foundation of China (Grants 51722202, 91622125, 51572023, and 11774239), Natural Science Foundations of Beijing (2172036), and National Key R&D Program of China (grant no. 2016YFB0700700). . - ISSN 2195-1071
   Перевод заглавия: Бессвинцовые монокристаллы производного перовскита Cs2SnCl6-xBrx для узкополосных фотоприемников
Кл.слова (ненормированные):
band structure -- Cs2SnBr6 -- Cs2SnCl6 -- lead-free perovskite derivatives -- narrowband photodetection
Аннотация: Lead-free and stable Sn halide perovskites demonstrate tremendous potential in the field of optoelectronic devices. Here, the structure and optical properties of the “defect” perovskites Cs2SnCl6−xBrx are reported, as well as their use as photodetector materials. Millimeter‐sized Cs2SnCl6−xBrx single crystals are grown by the hydrothermal method, with the body color continuously changing from transparent to yellow and finally to dark red. Narrowband single‐crystal photodetectors using Cs2SnCl6−xBrx crystals are presented, which show a high detectivity of ≈2.71 × 1010 Jones, with narrowband photodetection (full‐width at half‐maximum ≈45 nm) and high ion diffusion barriers. Moreover, the response spectra are continuously tuned from near violet to orange depending on the variation of the bandgap of the single crystals by changing the halide compositions. The strong surface charge recombination of the excess carriers near the crystal surfaces produced by short wavelength light elucidates the narrowband photodetection behavior. This work provides a new paradigm in the design of lead‐free, stable, and high‐performance perovskite derivatives for optoelectronics applications.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
The Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, School of Materials Sciences and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China
Sargent Joint Research Center, Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, China
Shenzhen Key Laboratory of Flexible Memory Materials and Devices, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China
Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China
Laboratory of Crystal Physics, Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Department of Engineering Physics and Radioelectronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Department of Physics, Far Eastern State Transport University, Khabarovsk, 680021, Russian Federation
State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices and Institute of Optical Communication Materials, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China

Доп.точки доступа:
Zhou, J.; Luo, J.; Rong, X.; Wei, P.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Huang, Y.; Zhao, J.; Liu, Q.; Zhang, X.; Tang, J.; Xia, Z.
}
Найти похожие
7.


   
    Single crystals of EuScCuSe3: Synthesis, experimental and DFT investigations / M. V. Grigoriev, A. V. Ruseikina, V. A. Chernyshev [et al.] // Materials. - 2023. - Vol. 16, Is. 4. - Ст. 1555, DOI 10.3390/ma16041555. - Cited References: 39. - This research was funded by the Tyumen Oblast Government as part of the West-Siberian Interregional Science and Education Center’s project No. 89-DON (3). The work was supported by The Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, project, No. FEUZ-2023-0017 . - ISSN 1996-1944
   Перевод заглавия: Монокристаллы EuScCuSe3: синтез, экспериментальные и DFT-исследования
Кл.слова (ненормированные):
quaternary chalcogenides -- crystal structure -- DFT calculations -- semiconductors -- vibrational spectroscopy
Аннотация: EuScCuSe3 was synthesized from the elements for the first time by the method of cesium-iodide flux. The crystal belongs to the orthorhombic system (Cmcm) with the unit cell parameters a = 3.9883(3) Å, b = 13.2776(9) Å, c = 10.1728(7) Å, V = 538.70(7) Å3. Density functional (DFT) methods were used to study the crystal structure stability of EuScCuSe3 in the experimentally obtained Cmcm and the previously proposed Pnma space groups. It was shown that analysis of elastic properties as Raman and infrared spectroscopy are powerless for this particular task. The instability of EuScCuSe3 in space group Pnma space group is shown on the basis of phonon dispersion curve simulation. The EuScCuSe3 can be assigned to indirect wide-band gap semiconductors. It exhibits the properties of a soft ferromagnet at temperatures below 2 K.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Laboratory of Theory and Optimization of Chemical and Technological Processes, University of Tyumen, Tyumen 625003, Russia
Institute of Inorganic Chemistry, University of Stuttgart, D-70569 Stuttgart, Germany
Institute of Natural Sciences and Mathematics, Ural Federal University named after the First President of Russia B.N. Yeltsin, Mira Str. 19, Ekaterinburg 620002, Russia
Laboratory of Molecular Spectroscopy, Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
School of Engineering and Construction, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia
Institute of Physics and Technology, University of Tyumen, Tyumen 625003, Russia
Institute of Engineering Physics and Radioelectronic of Siberian State University, Krasnoyarsk 660041, Russia
Laboratory of Crystal Physics, Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Department of Physics, Far Eastern State Transport University, Khabarovsk 680021, Russia

Доп.точки доступа:
Grigoriev, Maxim V.; Ruseikina, Anna V.; Chernyshev, Vladimir A.; Oreshonkov, A. S.; Орешонков, Александр Сергеевич; Garmonov, Alexander A.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Locke, Ralf J. C.; Elyshev, Andrey V.; Schleid, Thomas
}
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)