Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=относительная диэлектрическая проницаемость<.>)

Общее количество найденных документов : 1

    Волошин, Александр Сергеевич.
    Исследование полосно-пропускающих фильтров на слоистых диэлектрических структурах / А. С. Волошин, А. Ю. Ефимов, С. А. Ходенков // Ural Radio Eng. J. - 2022. - Vol. 6, Is. 3. - P. 231-258, DOI 10.15826/urej.2022.6.3.001. - Библиогр.: 25. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования России по госзаданию No FEFE-2020-0013 «Развитие теории самоконфигурирующихся алгоритмов машинного обучения для моделирования и прогнозирования характеристик компонентов сложных систем» . - ISSN 2588-0454. - ISSN 2588-0462
   Перевод заглавия: Investigation of bandpass filters based on layered dielectric structures
Кл.слова (ненормированные):
полосно-пропускающий фильтр -- резонатор -- относительная диэлектрическая проницаемость -- волновое сопротивление -- bandpass filter -- resonator -- dielectric constant -- characteristic impedance
Аннотация: Исследованы конструкции полосно-пропускающих фильтров на мультислойных диэлектрических структурах, состоящих исключительно из полуволновых резонаторов, а также с четвертьволновыми резонаторами по краям рассмотренных конструкций. Описаны принципы построения устройств с заданными характеристиками и объяснены основные закономерности поведения частотно-селективных свойств мультислойных структур от их конструктивных параметров. Впервые показано, что в многослойных полосно-пропускающих фильтрах на одномерных диэлектрических структурах амплитудно-частотные характеристики остаются неизменными при инверсии скачков волнового сопротивления между соседними слоями конструкции. Определены границы реализуемых характеристик фильтров с использованием имеющегося набора современных широко распространенных в радиотехнике материалов (1 ≤ ε ≤ 1000). Обнаружено, что достижимые значения относительных полос пропускания в конструкциях, состоящих исключительно из полуволновых слоев, составили от 21 до 93 %, при этом самые узкополосные фильтры можно реализовать с интерфейсными средами, обладающими характеристиками Z0 ≈ 85 Ом (ε ≈ 19,7) в случае прямого скачка и Z0 ≈ 53 Ом (ε ≈ 50,4) – в случае обратного. Показано, что для конструкций с крайними четвертьволновыми слоями (все внутренние слои – полуволновые) при прочих равных условиях селективные свойства становятся лучше, однако относительная ширина полосы пропускания может изменяться лишь от 45 до 115 %, при этом нижняя граница достижима только в случае с интерфейсными средами из воздуха (Z0 ≈ 377 Ом, ε = 1).
The designs of band-pass filters on multilayer dielectric structures consisting of half-wave resonators exclusively, as well as with quarterwave resonators at the edges of the considered structures are investigated. The principles of constructing devices with specified characteristics are described and the basic laws of the behavior of frequency-selective properties of multilayer structures on their design parameters are explained. It is shown for the first time that in multilayer bandpass filters on one-dimensional dielectric structures, the frequency responses remain unchanged when the steps of the characteristic impedance between adjacent layers of the structure are inverted. The boundaries of the realized characteristics of filters are determined using the existing set of modern materials widely used in radio engineering (1 ≤ ε ≤ 1000). It was found that the achievable values of relative passband in constructions consisting exclusively of half-wave layers ranged from 21% to 93%, while the most narrow-band filters can be realized with interface media having characteristics of Z0 ≈ 85 Ohm (ε ≈ 19.7) in the case of a forward step of the characteristic impedance at the edge interfaces of the structure and Z0 ≈ 53 Ohm (ε ≈ 50.4) – in the case of the reverse step (inversely proportional to the original). It is demonstrated that for the structures with the edge quarter-wave layers (all the inner layers are half-wave), other things being equal, the selective properties become better, but the relative passband can vary from only 45% to 115%, while the lower limit is achievable only in the case of air interface media (Z0 ≈ 377 Ohm, ε = 1).

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Россия, 660037, г. Красноярск, ул. им. Газеты «Красноярский рабочий»
Сибирский федеральный университет, Россия, 660041, г. Красноярск, Проспект Свободный, 79
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Россия, 660036, г. Красноярск, Академгородок 50, строение 38

Доп.точки доступа:
Ефимов, Артем Юрьевич; Efimov, A. Yu.; Ходенков, С. А.; Voloshin, A. S.
}
Найти похожие