Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=электрическое сопротивление<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Электрические свойства тонких пленок In2O3/С / И. В. Бабкина, М. Н. Волочаев, О. В. Жилова [и др.] // Неорган. матер. - 2020. - Т. 56, № 4. - С. 393-401, DOI 10.31857/S0002337X20040016. - Библиогр.: 26. - Работа выполнена при поддержке Минобрнауки в рамках государственного задания (проект №. 3.1867.2017/4.6). . - ISSN 0002-337X
Кл.слова (ненормированные):
аморфная и кристаллическая структура -- электрическое сопротивление -- термическая обработка
Аннотация: Исследованы структура и электрические свойства тонких пленок на основе полупроводника In2O3 и углерода, полученных послойным осаждением с применением метода ионно-лучевого распыления. Структура изученных материалов, сформированная в процессе послойного осаждения островковых слоев, представляет собой нанокристаллические гранулы In2O3, хаотически распределенные в аморфном углероде. Электрофизические свойства тонких пленок In2O3/С зависят от толщины. Для тонких пленок In2O3/С толщиной h<70 нм с увеличением температуры в диапазоне 80–300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма электропереноса: прыжковый механизм с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми (от 80 до 120 K), по ближайшим соседям (от 120 до 250 K), по локализованным состояниям в хвосте зоны проводимости (от 250 до 300 K). При h > 70 нм обнаружен переход от проводимости, связанной с сильной локализацией носителей заряда, к проводимости, обусловленной наличием перколляционных кластеров, образованных нанокристаллами In2O3, что проявляется в виде линейной температурной зависимости проводимости с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Electrical properties of thin In2O3/C films [Текст] / I. V. Babkina, M. N. Volochaev, O. V. Zhilova [et al.] // Inorg. Mater. - 2020. - Vol. 56 Is. 4.- P.374-381

Держатели документа:
Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Московский пр., 14, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО Российской академии наук, 660036 Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38, Россия

Доп.точки доступа:
Бабкина, И. В.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Жилова, О. В.; Калинин, Ю. Е.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Ситников, А. В.
}
Найти похожие