Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=элементы с переменной валентностью<.>)

Общее количество найденных документов : 1

    Romanova, O. B.
    Electronic Structure Change at Cationic Substitition of Manganese Sulfide by Elements with Variable Valence / O. B. Romanova, S. S. Aplesnin, L. V. Udod // Sib. J. Sci. Technol. - 2020. - Vol. 21, Is. 3. - P. 441-450 ; Сибирский журнал науки и технологий, DOI 10.31772/2587-6066-2020-21-3-441-450. - Cited References: 27. - The reported study was funded by RFBR and BRFBR, project number 20-00005 Bel_a . - ISSN 2587-6066
   Перевод заглавия: Изменение электронной структуры при катионном замещении сульфида марганца элементами с переменной валентностью
Кл.слова (ненормированные):
elements with variable valence -- structure -- IR spectroscopy -- attenuation coefficient -- conductivity -- electronic structure -- элементы с переменной валентностью -- структура -- ИК-спектроскопия -- коэффициент затухания -- проводимость -- электронная структура
Аннотация: Cation-substituted solid solutions YbxMn1-xS were prepared by the melt method from polycristalline sulfide powders. The synthesized samples are antiferromagnetic semiconductors and, according to the results of X-ray structural analysis, have an FCC structure of the NaCl type. Structural, electrical, optical, and acoustic properties of the chalcogenide system YbxMn1-xS were studied in the temperature range 80 - 500 K. The effect of variable valence elements on the electronic structure of cationic substitution of manganese sulfide has been studied. The change in the electronic structure in the YbxMn1-xS system occurs due to the electron-phonon interaction. Samples with variable valence have anomalous compressibility, which is confirmed by the data on the thermal expansion coefficient and the change in the attenuation coefficient. As a result of inelastic interaction with d- electrons, the density of states at the Fermi level changes, this is reflected in the temperature dependence of the conductivity. The positions of the f-level and two electronic transitions were determined from the IR spectra. A zone of temperatures and concentrations was found, where a correlation of structural, electrical, optical and acoustic properties is observed. To explain the experimantal results, the electronic structure of the semiconductor is considered and a model is proposed that qualitatively describes the experiment.
Методом расплава из поликристаллических порошков сульфидов приготовлены катион замещенные твердые растворы YbxMn1-xS. Синтезированные образцы являются антиферромагнитными полупроводниками и согласно результатам рентгеноструктурного анализа имеют ГЦК структуру типа NaCl. Проведены исследования структурных, электрических, оптических и акустических свойств халькогенидной системы YbxMn1-xS в интервале температур 80 - 500 К. Исследовано влияние на электронную структуру элементов переменной валентности при катионном замещении сульфида марганца. Изменение электронной структуры в системе YbxMn1-xS происходит за счет электрон-фононного взаимодействия. Образцы с переменной валентностью обладают аномальной сжимаемостью, что подтверждается данными коэффициента теплового расширения и изменением коэффициента затухания. В результате неупругого взаимодействия с d-электронами меняется плотность состояний на уровне Ферми, что отражается на температурной зависимости проводимости. Из ИК спектров определены положения f-уровня и два электронных перехода. Обнаружена область температур и концентраций, где наблюдается корреляция структурных, электрических, оптических и акустических свойств. Для объяснения экспериментальных результатов рассмотрена электронная структура полупроводника и предложена модель, качественно описывающая эксперимент.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Researh Center KSC SB RAS, 50-38, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, 31, Krasnoyarskii rabochii prospect, Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Udod, L. V.; Удод, Любовь Викторовна; Романова, Оксана Борисовна

}
Найти похожие