Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=EuO<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Магнитосопротивление туннельного типа в структуре EuO[0.7]PbO[0.3]MnO[3] (монокристалл)/Fe (пленка) / Н. В. Волков [и др.] // Письма в журн. техн. физ. - 2003. - Т. 29, Вып. 5. - С. 54-60 . - ISSN 0320-0116

ГРНТИ

29.19.27

Аннотация: Исследованы магниторезистивные свойства структуры, представляющей собой монокристалл манганита Eu[0,7]Pb[0,3]MnO[3] с нанесенной на него эпитаксиальной пленкой Fe. При температурах ниже T[C] кристалла манганита для структуры наблюдается эффект положительного магнитосопротивления. Поведение зависимости сопротивления структуры от магнитного поля имеет вид, характерный для туннельных переходов с электродами из ферромагнитных материалов, разделенных тонким слоем диэлектрика. Эффект связывается с формированием в приконтактной области манганит-Fe переходного слоя, обедненного кислородом, обладающего диэлектрич. свойствами. Чувствительность сопротивления исследуемой структуры к магнитному полю определяется как отрицательным магнитосопротивлением кристалла манганита, так и туннельным вкладом в механизм проводимости, при котором величина туннельного тока зависит от взаимной ориентации магн. моментов электродов (кристалл Eu[0,7]Pb[0,3]MnO[3] и пленка Fe)

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Петраковский, Герман Антонович; Petrakovskii, G. A.; Саблина, Клара Александровна; Sablina, K. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.
}
Найти похожие

Probing proximity effects in the ferromagnetic semiconductor EuO / D. V. Averyanov, A. M. Tokmachev, O. E. Parfenov [et al.] // Appl. Surf. Sci. - 2019. - Vol. 488. - P. 107-114, DOI 10.1016/j.apsusc.2019.05.191. - Cited References: 57. - This work is partially supported by NRC "Kurchatov Institute" (synthesis), the Russian Foundation for Basic Research [grant 19-07-00249] (magnetization measurements), and the Russian Science Foundation [grant 19-19-00009] (transport measurements). The measurements have been carried out using the equipment of the resource centers of electrophysical, laboratory X-ray, and electron microscopy techniques of NRC "Kurchatov Institute". The authors also gratefully acknowledge the beamtime allocation (MA-3167) by the ESRF. . - ISSN 0169-4332. - ISSN 1873-5584

РУБ Chemistry, Physical + Materials Science, Coatings & Films + Physics, Applied + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
INTERFACE
   FIELD
   POLARIZATION
   INSULATOR
   SILICON
Кл.слова (ненормированные):
EuO -- Gd -- Ferromagnetism -- Proximity effect
Аннотация: Ferromagnetic insulators are widely employed to induce magnetic phenomena in adjacent layers via proximity effect. This approach could make non-magnetic materials (ranging from silicon to graphene) available for spintronic applications. Eu chalcogenides, EuO in particular, are highly efficient spin generators but suffer from low Curie temperatures. Here, experiments aimed at T-C increase in EuO by its integration with the ferromagnetic metal Gd are reported. The epitaxial bilayers Gd/EuO are synthesized on different substrates and characterized by a combination of diffraction and microscopy techniques. Their magnetic structure - established with magnetization and transport measurements as well as element-selective X-ray magnetic circular dichroism study - comprises coupled magnetic orders of EuO and Gd. EuO is robust against proximity effects - its T-C is still low, increased at most by a few tens of K. Nevertheless, the results encourage further studies of proximity-enhanced ferromagnetism to extend the range of applications of ultrathin layers of EuO in spintronics.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Natl Res Ctr Kurchatov Inst, Kurchatov Sq 1, Moscow 123182, Russia.
ESRF, F-38054 Grenoble, France.

Доп.точки доступа:
Averyanov, D. V.; Tokmachev, Andrey M.; Parfenov, Oleg E.; Karateev, Igor A.; Sokolov, I. S.; Taldenkov, Alexander N.; Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Wilhelm, Fabrice; Rogalev, Andrei; Storchak, V. G.; NRC "Kurchatov Institute"; Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR) [19-07-00249]; Russian Science FoundationRussian Science Foundation (RSF) [19-19-00009]
}
Найти похожие