Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=Photoconductance<.>)

Общее количество найденных документов : 1

    Temperature-dependent photoconductance and optical properties of In2O3 thin films prepared by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2017. - Vol. 10, Is. 4. - P. 399-409 ; Журн. СФУ. Сер. "Математика и физика", DOI 10.17516/1997-1397-2017-10-4-399-409. - Библиогр.: 49. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (Grants no. 16-32- 00302 mon_a, no. 15-02-00948-A, no. 16-03-00069-A), by the Council for Grants of the President of the Russian Federation (SP-317.2015.1), by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research project no. 16-42-243059 p_mon_a, no. 16-42-243006 p_mon_a and no. 16-48-242092 p_m, and by the program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology (no. 6662y2015, 9607y/2015). . - ISSN 1997-1397
   Перевод заглавия: Температурная зависимость фотопроводимости и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисления
Кл.слова (ненормированные):
Autowave oxidation -- In2O3 thin films -- Photoconductance
Аннотация: The influences of ultraviolet (UV) irradiation and temperature on the electrical and optical properties in In2O3 films obtained by autowave oxidation were measured experimentally. The film resistance changed slightly for temperatures from 300 to 95 K, and more noticeably when the temperature was further decreased, measured in the dark. Under UV irradiation, the resistivity of the films at room temperature decreased sharply by ~25% and from 300 to 95 K, and continued to decrease by ~38% with a further decreasing temperature. When the UV source was turned off, the resistivity relaxed at a rate of 15 Ω/s for the first 30 seconds and 7 Ω/s for the remaining time. The transmittance decreased by 3.1% at a wavelength of 6.3 m after the irradiation ceased. The velocity of the relaxation transmittance was 0.006 %/s. The transmittance decreased by 3.1% at a wavelength of 6.3 µm after the irradiation ceased. The velocity of the relaxation transmittance was 0.006 %/s. The relaxation of the electrical resistance and transmittance after UV irradiation termination were similar. It was assumed that the dominant mechanism responsible for the change in the conductivity in the indium oxide films during UV irradiation was photoreduction.
Экспериментально исследовано влияние ультрафиолетового (УФ) излучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисления. При измерении в темноте сопротивление пленки менялось незначительно при температурах от 300 до 95 К и более заметно при дальнейшем уменьшении температуры. Под воздействием УФ–облучения удельное сопротивление пленок при комнатной температуре резко снизилось на 25 %, от 300 до 95 К, и продолжало снижаться до 38% с дальнейшим понижением температуры. При отключении УФ–источника значение сопротивления релаксировало со скоростью 15 Ом/с в течение первых 30 секунд и 7 Ом/с в течение оставшегося времени. После прекращения облучения коэффициент пропускания снизился на 3,1% при длине волны 6,3 мкм. Скорость релаксации коэффициента пропускания составила 0,006 %/с. Релаксации электрического сопротивления и коэффициента пропускания после прекращения УФ–облучения были одинаковыми. Предполагается, что доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости в пленках оксида индия в процессе УФ-облучения, было фотовосстановление.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics SB RAS, Akademgorodok, 50/38, Krasnoyarsk, Russian Federation
Krasnoyarsk Scientific Center SB RAS, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Svobodny 79, Krasnoyarsk, Russian Federation
Reshetnev Siberian State Aerospace University, Krasnoyarskii Rabochii, 31, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Voronin, A. S.; Ivanchenko, F. S.; Tambasova, E. V.

}
Найти похожие