Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=adatoms<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Calculating the energy of vacancies and adatoms in a hexagonal SiC monolayer / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A. - 2012. - Vol. 86, Is. 7. - P. 1091-1095, DOI 10.1134/S0036024412070138. - Cited References: 21 . - ISSN 0036-0244

РУБ Chemistry, Physical
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
ELECTRONIC-PROPERTIES
ABSORPTION-SPECTRA
Кл.слова (ненормированные):
silicon carbide -- defects -- adatoms -- density functional method
Аннотация: It is noted that the development of semiconductor SiC-electronics is prevented by a low quality of grown silicon carbide single crystals. It is found that structural defects of a substrate penetrating into an epitaxial layer upon subsequent homoepitaxial growth can considerably degrade a device's characteristics. We investigate the effect of the deformation of a hexagonal SiC monolayer on vacancy stability and material properties, and study the processes of silicon and carbon adatom migration over a surface of SiC.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC [Текст] / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86 № 7. - С. 1207-1211

Держатели документа:
[Kuzubov, A. A.
Eliseeva, N. S.
Tomilin, F. N.
Tolstaya, A. V.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
[Kuzubov, A. A.
Krasnov, P. O.
Tomilin, F. N.
Fedorov, A. S.] Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Kuzubov, A. A.
Krasnov, P. O.] Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk 660049, Russia

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Tolstaya, A. V.
}
Найти похожие

Theoretical Study of Vacancies and Adatoms in White Graphene / A. A. Kuzubov [et al.] // JETP Letters. - 2011. - Vol. 93, Is. 6. - P. 335-338, DOI 10.1134/S0021364011060051. - Cited References: 35 . - ISSN 0021-3640

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
HEXAGONAL BORON-NITRIDE
   INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   BRILLOUIN LIGHT-SCATTERING
   BN NANOTUBES
   AB-INITIO
   ELASTIC PROPERTIES
   MONOLAYER
   GRAPHITE
   COMPRESSION
   TRANSITION
Аннотация: The stability of the B and N atomic vacancies and divacancies in an h-BN monolayer deformed by 2 and 4% along one of the axes has been investigated. It has been established that the N atomic vacancies are most stable; their concentration is insignificant and does not affect the properties of white graphene. The number of vacancies depends on the mobility of N and B atoms on the layer surface; therefore, the probability of recombination with the vacancies has been estimated. It has been revealed that the energy barrier for the migration of the B and N adatoms is about 0.23 and 1.23 eV, respectively. In view of such a low barrier for the B adatom, this type of adatoms will quite rapidly move over the surface and recombine with vacancies, in contrast to the N adatoms. Therefore, only nitrogen atom vacancies can exist in the h-BN monolayer grown by the methods, where the adatoms could possibly appear on the surface.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Держатели документа:
[Kuzubov, A. A.
Serzhantova, M. V.
Kozhevnikova, T. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660028, Russia
[Kuzubov, A. A.
Kozhevnikova, T. A.] Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk 660049, Russia
[Kuzubov, A. A.
Fedorov, A. S.
Tomilin, F. N.
Kozhevnikova, T. A.] Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Serzhantova, M. V.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
ИФ СО РАН
Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660028, Russian Federation
Siberian State Technological University, Krasnoyarsk 660049, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Serzhantova, M. V.; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич; Kozhevnikova, T. A.
}
Найти похожие

538.915
Т 33


    Теоретическое исследование влияния деформации на электронную структуру монослоя гексагонального нитрида бора / М . В. Сержантова, А. А. Кузубов, А. С. Федоров [и др.] // Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева. - 2011. - № 3. - С. 150-155 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of the influence of deformation on the electronic structure of a hexagonal boron nitride monolayer

ГРНТИ	29.19
УДК	538.915

Рубрики:

Кл.слова (ненормированные):
адатомы -- adatoms -- hexagonal boron nitride monolayer (h-bn) -- density functional theory (dft) -- electronic structure -- vacancies -- монослой гексагонального нитрида бора (h-bn) -- теория функционала плотности (dft) -- электронная структура -- вакансии
Аннотация: Работа посвящена исследованию влияния деформации на электронную структуру и свойства монослоя гексагонального нитрида бора, а также изучению поведения адатомов бора и азота на поверхности монослоя.
Work is devoted research of influence of deformation on electronic structure and properties of a monolayer hexagonal boron nitride, and also to behavior studying adatoms of boron and nitrogen on a monolayer surface.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук
Институт цветных металлов и материаловедения Сибирского федерального университета
Сибирский государственный технологический университет

Доп.точки доступа:
Сержантова, Мария Викторовна; Serzhantova M.V.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov P. O.
}
Найти похожие