Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=enthalpy<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

    Исследование теплоемкости Cu5Bi2B4O14 в области 396–633 К / Л. Т. Денисова [и др.] // Журн. СФУ. Сер. "Химия". - 2014. - Т. 7, № 3. - С. 326-330 ; J. Sib. Fed. Univ. Chem.
   Перевод заглавия: A study of Cu5Bi2B4O14 heat capacity in the range 396–633 K
Кл.слова (ненормированные):
heat capacity -- enthalpy -- oxocuprate -- теплоемкость -- энтальпия -- энтропия -- оксокупрат
Аннотация: Получены данные по теплоемкости Cu5Bi2B4O14 в температурном диапазоне 396–633 K. По экспериментальным данным рассчитаны термодинамические функции оксокупрата.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Денисова, Л. Т.; Денисов, Виктор Михайлович; Саблина, Клара Александровна; Sablina, K. A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G.S.; Чумилина, Любовь Геннадьевна; Кирик, С. Д.

}
Найти похожие

    Назарова, З. И.
    Прогнозирование образования конкурирующих фаз при росте тонких плёнок Cr2GaC на MgO(111) / З. И. Назарова, А. Н. Назаров // Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 383-390, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-2-383-390. - Библиогр.: 15. - Исследования выполняются при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта № 20-42-240012, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение № 075-15-2019-1886) . - ISSN 2712-8970
   Перевод заглавия: Prediction of formation of competing phases during the growth of Cr2GaC thin films on MgO(111)
Кл.слова (ненормированные):
МАХ материалы -- тонкие пленки -- конкурирующие фазы -- энтальпия образования -- хром -- галий -- углерод -- MAX materials -- thin films -- competing phases -- enthalpy of formation -- chromium -- galium -- carbon
Аннотация: MAX-фазы представляют собой семейство тройных слоистых соединений с формальной стехиометрией Mn+1AXn (n = 1, 2, 3…), где М – переходный d-металл; А – p-элемент (например, Si, Ge, Al, S, Sn и др.); Х – углерод или азот [1]. Слоистые тройные карбиды и нитриды d- и p-элементов (MAX-фазы) проявляют уникальное сочетание свойств, характерных как для металлов, так и для керамики, что делает их применение перспективным в космической отрасли в качестве различных покрытий. Получение требуемых свойств MAX-фаз зависит от технологических условий синтеза материала. Для этого необходимо тщательное теоретическое моделирование взаимодействия элементов на границе раздела. Одновременный рост конкурирующих фаз наряду с MAX-фазой может происходить из-за выгодности образования конкурирующих фаз, а также из-за более низко-энергетического интерфейса с подложкой по сравнению с MAX-фазой. В данной работе мы изучаем термодинамическую выгодность конкурирующих фаз и MAX-фазы Cr2GaC в зависимости от химического состава потока атомов. Для изучения этих соединений было необходимо рассмотреть систему Cr-Ga-C. Согласно модели эффективной теплоты образования каждую реакцию образования некоторой фазы можно охарактеризовать энтальпией [2]. Для выяснения наиболее вы-годных к формированию фаз было необходимо произвести расчёт энтальпии для всех возможных реакций. Таким образом, задача состояла в переборе всех возможных реакций между чистыми элементами, доступными в различных соотношениях, в частности, в соотношении, соответствующем заданной стехиометрии MAX-фазы, т. е. Cr:Ga:C=2:1:1. Кроме того, считается, что плотность совпадающих узлов [3; 4] для границ раздела между MAX-фазой, термодинамически выгодными конкурирующими фазами и поверхностью MgO(111) показывает роль интерфейса при определении структурного качества тонкой плёнки MAX-фазы, выращенной на MgO(111).
MAX-phases are a family of ternary layered compounds with the formal stoichiometry Mn+1AXn (n = 1, 2, 3...), where M is a transition d-metal; A is a p-element (for example, Si, Ge, Al, S, Sn, etc.); X is carbon or nitrogen [1]. Layered triple carbides and nitrides of d-and p-elements (MAX-phases) exhibit a unique combination of properties characteristic of both metals and ceramics, which makes their application as various coatings in space industry very promising. Obtaining the desired properties of the MAX-phases depends on the technological conditions of material synthesis. This requires thorough theoretical modelling of the elements’ interaction at the interface. Concurrent growth of competing phases along with the MAX-phase may occur due to the favorability of the formation of competing phases and also be promoted by lower energy interfaces with the substrate in comparison with a MAX-phase. In this work, we study thermodynamic favorability of competing phases and Cr2GaC MAX-phase depending on the chemical composition of the atomic flow. To study these compounds, it was necessary to consider the Cr-Ga-C system. According to the effective heat of formation model, each reaction of the formation of a certain phase can be characterized by enthalpy [2]. To find out the most favorable phases, it was necessary to calculate the enthalpy of all possible reactions. Thus, the task was to sort through all possible reactions between pure elements available in various ratios, in particular, in the ratio corresponding to the given MAX-phase stoichiometry, i.e. Cr:Ga:C=2:1: 1. Moreover, it is considered that the density of near-coincidence sites [3,4] for interfaces between MAX-phase, thermodynamically favourable competing phases and MgO(111) surface shows a role of the interface in the determination of the structural quality of the MAX-phase thin film grown on MgO(111).

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН; Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38.
Сибирский федеральный университет; Российская Федерация, 660041, Красноярский край, г. Красноярск, просп. Свободный, 79.

Доп.точки доступа:
Назаров, А. Н.; Nazarov, A. N.; Nazarova Z.I.
}
Найти похожие

Co-Cu Alloys synthesized by mechanical alloying from the powder precursors with excess enthalpy [Text] / Kuzovnikova , E. A. Denisova [et al.] // Physics, Chemistry and Application of nanostructures : Proceedings of the International conference "Nanomeeting - 2009" : Reviews and short notes / ред.: V. E. Borisenko, S. V. Gaponenko, V. S. Gurin. - 2009. - P. 272-275

РИНЦ,
Источник статьи
Держатели документа:
Institute of Chemistry and Chemical Technology SB RAS
L. V. Kirensky Institute of Physics

Доп.точки доступа:
Borisenko, V. E. \ред.\; Gaponenko, S. V. \ред.\; Gurin, V. S. \ред.\; Kuzovnikova, L. A.; Кузовникова, Людмила Александровна; Denisova, E. A.; Денисова, Елена Александровна; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Balaev, A. D.; Балаев, Александр Дмитриевич; Mal'tsev, V. K.; Мальцев, Вадим Константинович; Bondarenko, G.N.; "Physics, Chemistry and Application of nanostructures", International conference(2009 ; May ; 26-29 ; Minsk, Belarus)
}
Найти похожие

Properties of oxysulfide phases and phase diagram of the Nd2S3–Nd2O3 system / S. А. Osseni, P. O. Andreev, A. A. Polkovnikov [et al.] // J. Solid State Chem. - 2022. - Vol. 314. - Ст. 123438, DOI 10.1016/j.jssc.2022.123438. - Cited References: 51. - This research was funded by the Tyumen Oblast Government , as part of the West-Siberian Interregional Science and Education Center's project No. 89-DON (3) . - ISSN 0022-4596
Кл.слова (ненормированные):
Neodymium sulfide -- Neodymium oxysulfide -- Structure -- Melting enthalpy -- Phase diagram -- Optical bandgap
Аннотация: We have determined the thermal characteristics and optical properties of the sulfide and oxysulfide phases in the Nd2S3 - Nd2O3 system. A congruent melting peak at temperature 1801 ± 4.9 °C with ΔH = 65.2 ± 6.7 kJ/mol was detected for the Nd2S3 compound by the DSC method. The characteristics of the α-Nd2S3 → γ-Nd2S3 polymorphic transition are t = 1183 ± 1.8°С, and ΔH = 7.5 ± 0.3 kJ/mol. The γ-Nd2S3 phase obtained upon cooling during annealing at 800 °C is retained for up to 30 h, and then the γ-Nd2S3 → α-Nd2S3 transition occurs within 20 h. The microhardness of the phases is: α-Nd2S3 H = 451 ± 4 HV; γ-Nd2S3 H = 531 ± 4 HV. It was found by the TG method that the Nd10S14O phase thermally dissociates at temperatures above 1400 °C. The mass loss is 0.5 mass % at 1580 °C and 1.0 mass % at 1620 °C, but the samples remain single-phase ones after cooling. However, two impurity phases γ-Nd2S3-X and Nd2O2S appear in the Nd10S14O samples treated at temperatures above 1620 ± 20 °C. For samples of the Nd10S14O phase annealed in an argon atmosphere at temperatures of 1050, 1400, 1580 °C, a regular decrease in the unit cell parameters and optical band gap was recorded: 1050 °C a = 15.06291(28), c = 19.97864(35), Eg = 2, 63 eV, 1400 °C a = 15.04779(36), c = 19.97160(44), Eg = 2.64 eV; 1580 °C a = 15.03532(48), c = 19.94984(60), Eg = 2.51 eV. The microhardness of Nd10S14O is H = 549 ± 10 HV. The Nd2O2S phase has H = 593 ± 4 HV, Eg = 4.28 eV. The phase diagram of the Nd2S3 - Nd2O3 system from 1000 °C to the melt was constructed. The Nd2O2S phase melts congruently at 2050 ± 30 °C. Eutectics with coordinates 23 mol. % Nd2O3 (0.3484 Nd10S14O + 0.6516 Nd2O2S), t = 1553 ± 1.8°С; ΔH = 187 ± 19 J/g; 82 mol. % Nd2O3; (0.54 Nd2O2S + 0.46 Nd2O3), t = 1970 ± 30°С were obtained. The liquidus of the Nd2S3 - Nd2O3 system was built according to DSC data and calculated using the Redlich-Kister equation. The melting enthalpy of Nd2O2S ΔH = 67 kJ/mol was calculated using the Schroeder equation.

Смотреть статью,
Scopus
Держатели документа:
Kaba Chemistry and Applications Research Laboratory, Faculty of Sciences and Technologies of Natitingou/ National University of Science, Technology, Engineering and Mathematics (UNSTIM), Abomey, BP: 2282, Benin
Institute of Chemistry, Tyumen State University, Tyumen, Volodarsky str. 6625003, Russian Federation
Boreskov Institute of Catalysis SB RAS, Novosibirsk, Lavrentiev Ave. 5630090, Russian Federation
Novosibirsk State University, Novosibirsk, Pirogova str. 2630090, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Akademgorodok str. 50, building 38660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Svobodnyj av. 79660079, Russian Federation
Institute of Natural Sciences and Mathematics, Kurgan state University, Kurgan, Sovetskaya str. 2, b. 4640020, Russian Federation
Tyumen Industrial University, Tyumen, Volodarsky str 38625000, Russian Federation
Institute of Solid State Chemistry, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Pervomaiskaya str. 91620990, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Osseni, S. А.; Andreev, P. O.; Polkovnikov, A. A.; Zakharov, B. A.; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Abulkhaev, M. U.; Volkova, S. S.; Kamaev, D. N.; Kovenskiy, I. M.; Nesterova, N. V.; Kudomanov, M. V.; Andreev, O. V.
}
Найти похожие

Structure and magnetic features of Co-Cu alloys synthesized by mechanical alloying from the powder precursors with excess enthalpy [Text] / R. S. Iskhakov, L. A. Kuzovnikova [et al.] // III International conference "Fundamental Bases of Mechanochemical Technologies". FBMT-2009. - 2009. - P. 135

Доп.точки доступа:
Iskhakov, R.S.; Kuzovnikova, L.A.; Denisova, E.A.; Komogortsev, S.V.; Bondarenko, G.V.; Fundamental Bases of Mechanochemical Technologies, International Conference(3 ; 2009 ; May ; Novosibirsk, Russia)
}
Найти похожие

    Solid-state reaction in Cu/a-Si nanolayers: A comparative study of STA and electron diffraction data / E. T. Moiseenko, V. V. Yumashev, R. R. Altunin [и др.] // Materials. - 2022. - Vol. 15, Is. 23. - Ст. 8457, DOI 10.3390/ma15238457. - Cited References: 45. - This work was supported by the Russian Science Foundation under grant # 22-13-00313 . - ISSN 1996-1944
   Перевод заглавия: Твердофазная реакция в нанослоях Cu/a-Si: сравнительное исследование данных, полученных методами СТА и дифракции электронов
Кл.слова (ненормированные):
copper silicide -- thin films -- nanolayer -- solid-state reaction -- phase formation -- kinetics -- activation energy -- enthalpy -- DSC -- electron diffraction
Аннотация: The kinetics of the solid-state reaction between nanolayers of polycrystalline copper and amorphous silicon (a-Si) has been studied in a Cu/a-Si thin-film system by the methods of electron diffraction and simultaneous thermal analysis (STA), including the methods of differential scanning calorimetry (DSC) and thermogravimetry (TG). It has been established that, in the solid-state reaction, two phases are formed in a sequence: Cu + Si → η″-Cu3Si → γ-Cu5Si. It has been shown that the estimated values of the kinetic parameters of the formation processes for the phases η″-Cu3Si and γ-Cu5Si, obtained using electron diffraction, are in good agreement with those obtained by DSC. The formation enthalpy of the phases η″-Cu3Si and γ-Cu5Si has been estimated to be: ΔHη″-Cu3Si = −12.4 ± 0.2 kJ/mol; ΔHγ-Cu5Si = −8.4 ± 0.4 kJ/mol. As a result of the model description of the thermo-analytical data, it has been found that the process of solid-state transformations in the Cu/a-Si thin-film system under study is best described by a four-stage kinetic model R3 → R3 → (Cn-X) → (Cn-X). The kinetic parameters of formation of the η″-Cu3Si phase are the following: Ea = 199.9 kJ/mol, log(A, s−1) = 20.5, n = 1.7; and for the γ-Cu5Si phase: Ea = 149.7 kJ/mol, log(A, s−1) = 10.4, n = 1.3, with the kinetic parameters of formation of the γ-Cu5Si phase being determined for the first time.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Laboratory of Electron Microscopy, Siberian Federal University, 79 Svobodny Ave., 660041 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Akademgorodok 50/24, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Akademgorodok 50/38, 660036 Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Moiseenko, E. T.; Yumashev, V. V.; Altunin, R. R.; Zeer, G. M.; Nikolaeva, N. S.; Belousov, O. V.; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович
}
Найти похожие

    Thermokinetic study of aluminum-induced crystallization of a-Si: The effect of Al layer thickness / S. M. Zharkov, V. V. Yumashev, E. T. Moiseenko [et al.] // Nanomaterials. - 2023. - Vol. 13, Is. 22. - Ст. 2925, DOI 10.3390/nano13222925. - Cited References: 70. - This work was supported by the Russian Science Foundation under grant #22-13-00313 . - ISSN 2079-4991
   Перевод заглавия: Термокинетическое исследование кристаллизации a-Si, индуцированной алюминием: влияние толщины слоя Al
Кл.слова (ненормированные):
amorphous silicon -- Al/Si -- nanolayer -- multilayer film -- metal-induced crystallization -- aluminum-induced crystallization -- kinetics -- activation energy -- enthalpy -- simultaneous thermal analysis (STA)
Аннотация: The effect of the aluminum layer on the kinetics and mechanism of aluminum-induced crystallization (AIC) of amorphous silicon (a-Si) in (Al/a-Si)n multilayered films was studied using a complex of in situ methods (simultaneous thermal analysis, transmission electron microscopy, electron diffraction, and four-point probe resistance measurement) and ex situ methods (X-ray diffraction and optical microscopy). An increase in the thickness of the aluminum layer from 10 to 80 nm was found to result in a decrease in the value of the apparent activation energy Ea of silicon crystallization from 137 to 117 kJ/mol (as estimated by the Kissinger method) as well as an increase in the crystallization heat from 12.3 to 16.0 kJ/(mol Si). The detailed kinetic analysis showed that the change in the thickness of an individual Al layer could lead to a qualitative change in the mechanism of aluminum-induced silicon crystallization: with the thickness of Al ≤ 20 nm. The process followed two parallel routes described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X) and the Avrami–Erofeev equation (An): with an increase in the thickness of Al ≥ 40 nm, the process occurred in two consecutive steps. The first one can be described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X), and the second one can be described by the n-th order reaction equation (Fn). The change in the mechanism of amorphous silicon crystallization was assumed to be due to the influence of the degree of Al defects at the initial state on the kinetics of the crystallization process.

Смотреть статью,
Scopus
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Laboratory of Electron Microscopy, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Yumashev, V. V.; Moiseenko, E. T.; Altunin, R. R.; Solovyov, L. A.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zeer, G. M.; Nikolaeva, N. S.; Belousov, O. V.
}
Найти похожие