Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=lithium<.>)

Общее количество найденных документов : 49
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-49

Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it / A. A. Kuzubov [et al.] // JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P. 634-638, DOI 10.1134/S0021364013110088 . - ISSN 0021-3640
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.

Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660028, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Serzhantova, M. V.; Denisov, V. M.; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич
}
Найти похожие

Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния / А. А. Кузубов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Сержантова, Мария Викторовна; Денисов, Виктор Михайлович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.
}
Найти похожие

Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon / A. S. Fedorov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P. 143-147, DOI 10.1134/S0021364012030058. - Cited References: 28. - We are grateful to the Institute of Computational Modeling, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; the Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences; and the Computer Center, Siberian Federal University, for the use of their computer clusters for performing all calculations. This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia" for 2009-2013). . - ISSN 0021-3640

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
ACCELERATED MOLECULAR-DYNAMICS
   AB-INITIO
   INFREQUENT EVENTS
   SIMULATION
   RELAXATION
   HYDROGEN
   POINTS
   SI
Аннотация: The effect of the lattice deformation on potential barriers for the motion of a lithium atom in crystalline silicon has been studied through ab initio density functional calculations. A new universal method of calculating the diffusion coefficient of an admixture in amorphous solid media through the activation mechanism has been proposed on the basis of these data. The method is based on the calculation of the statistical distribution of potential barriers for the motion of an admixture atom between minima depending on the position of neighboring atoms. First, the amorphous structure, which is generated by annealing from the crystalline structure with vacancies, has been simulated. Then, the statistical distribution of the potential barriers in the amorphous structure for various local environments of the admixture atoms has been calculated by means of linear regression with the parameters determined for barriers in crystalline silicon subjected to different deformations. The diffusion coefficient of the admixture has been calculated from this distribution by using the Arrhenius formula. This method has been tested by the example of crystalline and amorphous silicon with admixture of lithium atoms. The method demonstrates that the diffusion of lithium in amorphous silicon is much faster than that in crystalline silicon; this relation is confirmed experimentally.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии [Текст] / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2012. - Т. 95 Вып. 3-4. - С. 159-163

Держатели документа:
[Fedorov, A. S.
Popov, Z. I.
Ovchinnikov, S. G.] Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Kuzubov, A. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163 . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon // JETP Letters : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon, as well as on its surface at different lithium concentrations / A. S. Fedorov [и др.] // Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - 2013. - P. 133-134

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие

High-capacity electrode material BC3 for lithium batteries proposed by ab initio simulations / A. A. Kuzubov [et al.] // Phys. Rev. B. - 2012. - Vol. 85, Is. 19. - Ст. 195415, DOI 10.1103/PhysRevB.85.195415. - Cited References: 22. - We thank the Institute of Computer Modeling (Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Russia), the Joint Supercomputer Center of the Russian Academy of Sciences, the supercomputer center of the Institute of Space and Information Technologies of the Siberian Federal University, and the supercomputer center of the Moscow State University (SKIF-MGU) for providing an opportunity to use their computers for performing all calculations. The work was supported by Russian Foundation for Basic Research Grant No. 12-02-00640-a and federal program Grant No. 1.3.2, "Scientific and pedagogical specialists in innovation Russia 2009-2013." . - ISSN 1098-0121

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
TRANSITION
   GRAPHITE
   POINTS
   CARBON
Аннотация: The absorption energy and diffusion rates of lithium atoms inside graphitelike boron carbide (BC3) crystal are investigated by the ab initio pseudopotential density-functionalmethod using generalized gradient approximation. It is shown that lithium may effectively intercalate this structure with the maximum lithium concentration corresponding to Li2BC3 stoichiometry, which is threefold in comparison to lithium in graphite. The potential barrier values for lithium diffusion both at low and maximum concentration are about 0.19 eV, so lithium atoms inside the BC3 structure can move easily. These findings suggest that boron carbide looks like a good candidate as an anode material in lithium ion batteries.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Kuzubov, Alexander A.
Eliseeva, Natalya S.
Tomilin, Felix N.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
[Fedorov, Aleksandr S.
Eliseeva, Natalya S.
Tomilin, Felix N.
Avramov, Pavel V.] LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Avramov, Pavel V.] Japan Atom Energy Agcy, Adv Sci Res Ctr, Tokai, Ibaraki 3191195, Japan
[Fedorov, Dmitri G.] Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Nanosyst Res Inst, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Eliseeva, N. S.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич; Avramov, P. V.; Аврамов, Павел Вениаминович; Fedorov, D. G.
}
Найти похожие

Golovnev, N.
Bridging behaviour of the 2-thiobarbiturate anion in its complexes with LiI and NaI / N. Golovnev, M. Molokeev // Acta Crystallographica Section C Crystal Structure Communications. - 2013. - Vol. 69, Pt. 7. - P. 704-708, DOI 10.1107/S0108270113014078 . - ISSN 0108-2701
Кл.слова (ненормированные):
2-thiobarbituric acid -- Coordinated water -- Dihydrates -- Edge sharing -- Hydrogen bonding interactions -- Three-dimensional networks -- Atoms -- Complex networks -- Hydrogen bonds -- Ligands -- Negative ions -- Positive ions -- Three dimensional -- Lithium
Аннотация: The structures of the LiI and NaI salts of 2-thiobarbituric acid (2-sulfanylidene-1-3-diazinane-4,6-dione, H 2TBA) have been studied. μ-Aqua-octaaquabis(μ-2- thiobarbiturato-κ2 O:O′)bis(2-thiobarbiturato-κO) tetralithium(I) dihydrate, [Li4(C4H3N 2O2S)4(H2O)9]·2H 2O, (I), crystallizes with four symmetry-independent four-coordinated LiI cations and four independent HTBA- anions. The structure contains two structurally non-equivalent LiI cations and two non-equivalent HTBA- anions (bridging and terminal). Eight of the coordinated water ligands are terminal and the ninth acts as a bridge between LiI cations. Discrete [Li4(HTBA)4(H2O)9] ·2H2O complexes form two-dimensional layers. Neighbouring layers are connected via hydrogen-bonding interactions, resulting in a three-dimensional network. Poly[μ2-aqua-tetraaqua(μ4-2- thiobarbiturato-κ4 O:O:S:S)(μ2-thiobarbiturato- κ2 O:S)disodium(I)], [Na2(C4H 3N2O2S)2(H2O) 5] n , (II), crystallizes with six-coordinated NaI cations. The octahedra are pairwise connected through edge-sharing by a water O atom and an O atom from the μ4-HTBA- ligand, and these pairs are further top-shared by the S atoms to form continuous chains along the a direction. Two independent HTBA- ligands integrate the chains to give a three-dimensional network. © 2013 International Union of Crystallography.

Scopus,
WOS
Держатели документа:
Siberian State Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич
}
Найти похожие

    Čerenkov nonlinear diffraction in random nonlinear photonic crystal of strontium tetraborate / A. M. Vyunishev [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 101, Is. 21. - Ст. 211114, DOI 10.1063/1.4767385. - Cited References: 29. - The work was supported by RFBR through the Grant No. 12-02-31167, by the Ministry of Education and Science of Russian Federation (Contract No. 14.B37.21.0730 and Grant No. 2.1.1/3455), by RAS Projects 24.29 and 24.31, by PSB RAS Projects 2.5.2 and 3.9.5, by SB RAS Projects 43 and 101, and by SFU Grant F12. . - ISSN 0003-6951
Рубрики:
POLED LITHIUM-NIOBATE
   2ND-HARMONIC GENERATION
   BARIUM NIOBATE
   PULSES
Аннотация: Čerenkov-type second harmonic generation of femtosecond pulses in random one-dimensional nonlinear photonic crystal of strontium tetraborate is investigated experimentally and theoretically. Sidebands in angular-spectral dependence of generated second harmonic were detected and found to be in perfect agreement with calculations. Spectral maximum of generated radiation experiences deviation from Čerenkov relation due to influence of nonlinear photonic crystal structure. Pulse duration and local spectrum of Čerenkov second harmonic are measured and found to be in fair agreement with each other.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660079, Russia

Доп.точки доступа:
Vyunishev, A. M.; Вьюнышев, Андрей Михайлович; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Slabko, V. V.; Слабко, Виталий Васильевич
}
Найти похожие

    Nonlinear Raman-Nath diffraction of femtosecond laser pulses / A. M. Vyunishev [et al.] // Opt. Lett. - 2014. - Vol. 39, Is. 14. - P. 4231-4234, DOI 10.1364/OL.39.004231. - Cited References: 22. - This work was partially supported by the Grant of the President of the Russian Federation MK-250.2013.2, Krasnoyarsk Regional Fund for Science and Technical Activity Support and by the RAS grant no. 24.31. A. A. acknowledges the financial support of young scientists through the Ural Federal University Development Program. The authors thank A. S. Chirkin and I. V. Timofeev for fruitful discussions and A. V. Barannik for optical microscopy of the samples. . - ISSN 0146-9592. - ISSN 1539-4794
   Перевод заглавия: Нелинейная дифракция Рамана-Ната фемтосекундных лазерных импульсов

РУБ Optics
Рубрики:
STRONTIUM BARIUM NIOBATE
   2nd-HARMONIC GENERATION
   PHOTONIC STRUCTURES
   DOMAIN-STRUCTURE
   LITHIUM-NIOBATE
   CRYSTAL
Аннотация: We study the nonlinear Raman–Nath diffraction (NRND) of femtosecond laser pulses in a 1D periodic nonlinear photonic structure. The calculated second-harmonic spectra represent frequency combs for different orders of transverse phase matching. These frequency combs are in close analogy with the well-known spectral Maker fringes observed in single crystals. The spectral intensity of the second harmonic experiences a redshift with a propagation angle, which is opposite the case of Čerenkov nonlinear diffraction. We analyze how NRND is affected by the group-velocity mismatch between fundamental and second-harmonic pulses and by the parameters of the structure. Our experimental results prove the theoretical predictions.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660079, Russia
Ural Fed Univ, Ekaterinburg 620000, Russia
Labfer Ltd, Ekaterinburg 620014, Russia

Доп.точки доступа:
Vyunishev, A. M.; Вьюнышев, Андрей Михайлович; Slabko, V. V.; Слабко, Виталий Васильевич; Baturin, I. S.; Akhmatkhanov, A. R.; Shur, V. Y.; Russian Federation [MK-250.2013.2]; Krasnoyarsk Regional Fund for Science and Technical Activity Support; RAS grant [24.31]; Ural Federal University Development Program
}
Найти похожие

10.

Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon as well as on its surface [] / A. S. Fedorov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 213: Physics and Technology of Nanostructured Materials II. - P. 29-34, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.213.29. - Cited References: 21 . - ISSN 1662-9779. - ISSN 978-3-037
Кл.слова (ненормированные):
Ab initio calculations -- Diffusion -- Lithium-ion accumulators -- Silicon
Аннотация: Using the PAW DFT-GGA method and numerical solving of master equation the diffusion rates of lithium atoms inside both crystal and amorphous silicon of LixSi (x= 0.0.5) composition have been calculated for different temperatures. It is shown the diffusion rate for amorphous silicon is ~10 times greater than that for the crystal silicon. For both structures the rate is increased by 1.5-2 orders of magnitude while the lithium concentration is increased up to 0.5 value. This should result in that the LixSi/Si interface will be sharp. This fact has been further confirmed using molecular dynamic calculations based on Angular Dependent Potential (ADP) model. Also binding energies of Li atoms lying on different sites of Si (001) surface as well as the potential barriers for the atom jumps both along the surface and in the subsurface layers have been calculated. The data show the Li atoms move along the surface very easily but their jumps into subsurface layers are very difficult due to the high potential barrier values. В© (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS

Доп.точки доступа:
Galkin, N. \ed.\; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Visotin, M. A.; Galkin, N. G.; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие