Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=magnetoresistance<.>)
Общее количество найденных документов : 176
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.


   
    Specific features in the hysteretic behavior of the magnetoresistance of granular high-temperature superconductors / D. A. Balaev [et al.] // Phys. Solid State. - 2012. - Vol. 54, Is. 11. - P. 2155-2164, DOI 10.1134/S1063783412110030. - Cited References: 52. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research within the framework of the Regional Competition SIBERIA (project no. 11-02-98007 r-sibir'_a). . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS
   WEAK MAGNETIC-FIELDS

   CRITICAL-CURRENT DENSITY

   T-C SUPERCONDUCTORS

   ANGULAR-DEPENDENCE

   JOSEPHSON MEDIUM

   TRANSPORT-PROPERTIES

   CRITICAL-STATE

   YBa2Cu3O7-DELTA

   COMPOSITES

Аннотация: The behavior of the hysteresis of the magnetoresistance R(H) of granular high-temperature superconductors has been investigated under the conditions where the resistive response of the subsystem of grain boundaries close to saturation. The hysteretic dependences R(H) have been measured for Y1-xPrxBa2Cu3O7 samples at x = 0.11 and 0.04 with the transition temperatures T-C approximate to 85.5 and 91.0 K, respectively. The evolution of the field width of the hysteresis R(H) has been examined by varying the measuring current. The limit of the applicability has been established for the concept of the effective field in the intergranular medium, which was previously proposed for the description of the hysteretic behavior of the magnetoresistance R(H) and thermal magnetic prehistory of the granular high-temperature superconductors. In the studied samples, the approximation of the effective field in the intergranular medium is applicable until the magnetoresistance of the subsystem of grain boundaries exceeds (90 +/- 5)% of the maximum value.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Особенности гистерезисного поведения магнитосопротивления гранулярных ВТСП [Текст] / Д. А. Балаев [и др.] // Физ. тверд. тела : Наука, 2012. - Т. 54 Вып. 11. - С. 2027-2035

Держатели документа:
[Balaev, D. A.
Dubrovskii, A. A.
Popkov, S. I.
Gokhfeld, D. M.
Semenov, S. V.
Shaykhutdinov, K. A.
Petrov, M. I.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Balaev, D. A.; Балаев, Дмитрий Александрович; Dubrovskii, A. A.; Дубровский, Андрей Александрович; Popkov, S. I.; Попков, Сергей Иванович; Gokhfeld, D. M.; Гохфельд, Денис Михайлович; Semenov, S. V.; Семёнов, Сергей Васильевич; Shaikhutdinov, K. A.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Petrov, M. I.; Петров, Михаил Иванович
}
Найти похожие
2.


   
    Relaxation of magnetoresistance of single-crystalline (La0.5Eu0.5)0.7Pb0.3MnO3 in a pulsed magnetic field / A. A. Bykov [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 38, Is. 12. - P. 1080-1082, DOI 10.1134/S1063785012120036. - Cited References: 8 . - ISSN 1063-7850
РУБ Physics, Applied
Рубрики:
RESISTANCE
   FILMS

Аннотация: The magnetoresistance (MR) of substituted lanthanum manganite (La0.5Eu0.5)(0.7)Pb0.3MnO3 has been measured in a pulsed magnetic field with amplitude H = 250 kOe at various temperatures. It is established that temperature dependence of the MR relaxation parameter tau(T) is correlated with temperature dependence of the electric resistance R(T). A mechanism of relaxation is proposed that is related to the relaxation of conducting and dielectric phases in the volume of a sample under the conditions of phase separation. It is shown that the behavior of tau is related to the number of phase boundaries in the volume.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Релаксация магнитосопротивления монокристаллического (La0.5Eu0.5)0.7Pb0.3MnO3 после воздействия импульсного магнитного поля [Текст] / А. А. Быков [и др.] // Письма в журн. техн. физ. : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 38 Вып. 23. - С. 89-94

Держатели документа:
[Bykov, A. A.
Popkov, S. I.
Shaykhutdinov, K. A.
Sablina, K. A.] Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Bykov, A. A.; Быков, Алексей Анатольевич; Popkov, S. I.; Попков, Сергей Иванович; Shaykhutdinov, K. A.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Sablina, K. A.; Саблина, Клара Александровна
}
Найти похожие
3.


   
    Metallic transition of the colossal magnetoresistance material FexMn1-xS (x= 0.18) under high pressure / Y. Mita [et al.] // J. Korean Phys. Soc. - 2013. - Vol. 63, Is. 3. - P. 325-328, DOI 10.3938/jkps.63.325 . - ISSN 0374-4884
Кл.слова (ненормированные):
Metallization -- Mott insulator -- Pressure
Аннотация: A pressure-induced phase transition in the colossal magnetoresistance (CMR) material Fe0.18Mn0.82S was studied by using infrared (IR) reflection and X-ray diffraction (XRD) at pressures up to 40 GPa at room temperature. XRD shows that the crystal structure of this sample is a NaCl-type structure at ambient pressure, that a structural change starts around 17 GPa, and that a mixed phase mixed between the NaCl-type low-pressure phase and an unknown structure high pressure phase continues up to around 25 GPa. On the other hand, the IR reflectivity increases with increasing pressure from 15 GPa and becomes remarkably high around 20 GPa. The spectra do not show any changes from 30 GPa. From these results, we conclude that the phase transition of Fe0.18Mn0.82S at room temperature starts around 15 GPa and is completed around 30 GPa and that the high-pressure phase is not a band-overlapping semimetal but a true metal. В© 2013 The Korean Physical Society.

Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Osaka Univ, Grad Sch Engn Sci, Osaka 5608531, Japan
Osaka Univ, Ctr Quantum Sci & Technol Extreme Condit, Osaka 5608531, Japan
LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
AV Nikolaev Inst Inorgan Chem, Krasnoyarsk 630090, Russia

Доп.точки доступа:
Mita, Y.; Kagayama, T.; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Sokolov, V.V.
}
Найти похожие
4.


   
    Relaxation of magnetoresistance of single-crystalline (La[[d]]0.5[[/d]]Eu[[d]]0.5[[/d]])[[d]]0.7[[/d]]Pb[[d]]0.3[[/d]]MnO[[d]]3[[/d]] in a pulse magnetic field [Текст] / S. I. Popkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P275 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Popkov, S. I.; Попков, Сергей Иванович; Shaykhutdinov, K. A.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Sablina, K. A.; Саблина, Клара Александровна; Bykov, A. A.; Быков, Алексей Анатольевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие
5.


   
    Relaxation of magnetoresistance after pulsed magnetic field in single crystal La[[d]]0.75[[/d]]Ca[[d]]0.25[[/d]]MnO[[d]]3[[/d]] [Текст] / S. E. Nikitin [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P284 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Nikitin, S. E.; Никитин, С.Е.; Krasikov, A. A.; Красиков, Александр Александрович; Bykov, A. A.; Быков, Алексей Анатольевич; Terent'yev, K. Yu.; Терентьев, Константин Юрьевич; Shaykhutdinov, K. A.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Popkov, S. I.; Попков, Сергей Иванович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие
6.


   
    Photoinduced giant magnetoresistance in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure with a schottky barrier [Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P322 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие
7.


   
    Extremely large magnetoresistance induced by optical irradiation in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure with Schottky barrier / N. V. Volkov [et al.] // J. Appl. Phys. - 2013. - Vol. 114, Is. 9. - Ст. 093903. - P. , DOI 10.1063/1.4819975. - Cited References: 31. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 11-02-00367-a; Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics, Project No. II.4.3; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 43, 85 and 102; Project of the Russian Ministry of Education and Science N 02.G25.31.0043. . - ISSN 0021-8979
РУБ Physics, Applied
Рубрики:
SPIN POLARIZATION
   SPINTRONICS

   SILICON

Аннотация: We report giant magnetoresistance (MR) effect that appears under the influence of optical radiation in common planar device built on Fe/SiO2/p-Si hybrid structure. Our device is made of two Schottky diodes connected to each other by the silicon substrate. Photo-induced MR is positive and the MR ratio reaches the values in excess of 10(4)%. The main peculiarity of the MR behavior is its strong dependence on the magnitude and the sign of the bias current across the device and, most surprisingly, upon polarity of the magnetic field. To explain such unexpected behavior of the MR, one needs to take into account contribution of several physical mechanisms. The main contribution comes from the existence of localized interface states at the SiO2/p-Si interface, which provide the spots for the photo-current conduction by virtue of the sequential tunneling through them or thermal generation and optical excitation of mobile charges. External magnetic field changes the probability of these processes due to its effect on the energy states of the conduction centers. Two possible mechanisms that may be responsible for the observed dependence of magneto-resistance on the field polarity are discussed: the effect of the Lorentz force on moving carriers and spin splitting of electrons moving in the electrostatic potential gradient (Rashba effect). The most significant observation, in our opinion, is that the observed MR effect is seen exclusively in the subsystem of minority carriers transferred into non-equilibrium state by optical excitation. We suggest that building such magneto-sensitive devices based on this mechanism may set a stage for new types of spintronic devices to emerge. (C) 2013 AIP Publishing LLC.

Смотреть статью,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
SB RAS, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Inst Space Technol, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research [11-02-00367-a]; Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures [20.8]; Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics [II.4.3]; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [43, 85, 102]; Russian Ministry of Education and Science [N 02.G25.31.0043]
}
Найти похожие
8.


   
    Extremely large photoinduced magnetoresistance in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure / N. V. Volkov [et al.] // Joint Eur. Conf. on Magnetism : Book of abstracts. - 2013. - P. 55

Смотреть

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Joint European Conference on Magnetism (2013 ; August ; 25-30 ; Rhodes, Greece)
}
Найти похожие
9.


    Вальков, Валерий Владимирович.
    Теплоемкость и магнитосопротивление слаболегированного двумерного антиферромагнетика в неколлинеарной фазе / В. В. Вальков, А. Д. Федосеев // Изв. РАН. Сер. физич. - 2013. - Т. 77, № 3. - С. 387-389DOI 10.7868/S0367676513030381
Аннотация: Исследован энергетический спектр подвижных носителей заряда в двумерном антиферромагнетике, помещенном во внешнее магнитное поле. Показано, что учет скоса магнитных подрешеток модифицирует эффективную массу подвижных носителей заряда слаболегированного антиферромагнетика. Этот факт существенным образом сказывается на транспортных и термодинамических свойствах системы. Обнаружено явление перехода в полуметаллическую фазу под воздействием внешнего магнитного поля.

Смотреть статью

Переводная версия Heat capacity and magnetoresistance of a lightly doped two-dimensional antiferromagnet in the noncollinear phase. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федосеев, Александр Дмитриевич; Fedoseev, A. D.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие
10.


    Val'kov, V. V.
    Heat capacity and magnetoresistance of a lightly doped two-dimensional antiferromagnet in the noncollinear phase / V. V. Val'Kov, A. D. Fedoseev // Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2013. - Vol. 77, Is. 3. - P. 349-351, DOI 10.3103/S1062873813030386 . - ISSN 1062-8738
Аннотация: The energy spectrum of mobile charge carriers in a two-dimensional Antiferromagnet placed in external magnetic field is analyzed. It is shown that allowing for the magnetic sublattice skew the effective mass of mobile charge carriers in a lightly doped Antiferromagnet. This affects substantially the transport and thermodynamic properties of the system. A insulator-semimetal transition is induced with external magnetic field. В© 2013 Allerton Press, Inc.

Scopus,
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теплоемкость и магнитосопротивление слаболегированного двумерного антиферромагнетика в неколлинеарной фазе. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Fedoseev, A. D.; Федосеев, Александр Дмитриевич; Вальков, Валерий Владимирович
}
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)