Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=photoconductivity<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

    The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device / N. V. Volkov [et al.] // J. Surf. Invest. - 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P. 984-994, DOI 10.1134/S1027451015050432. - Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043. . - ISSN 1027-4510
   Перевод заглавия: Оптически индуцированный и управляемый напряжением магниторезистивный эффект в устройстве на основе кремния

РУБ Surfaces and Interfaces, Thin Films

Кл.слова (ненормированные):
magnetoresistance -- magnetotransport properties -- photoconductivity -- bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Institute of Space Technology, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

PHOTOEMF AND PHOTOCONDUCTIVITY IN THE MAGNETIC SEMICONDUCTOR CDCR2SE4 / N. A. DROKIN [и др.] // Fiz. Tverd. Tela. - 1987. - Vol. 29, Is. 9. - P. 2805-2807. - Cited References: 7 . - ISSN 0367-3294

РУБ Physics, Condensed Matter

WOS
Доп.точки доступа:
DROKIN, N. A.; GANIEV, S. M.; POPYOL, V. M.; KEMPEL, V. A.; PERFILYEV, V. M.
}
Найти похожие

Drokin, N. A.
PHOTOCONDUCTIVITY OF ALPHA-MNS AND MNO / N. A. DROKIN, S. G. OVCHINNIKOV, L. I. RYABINKINA // Fiz. Tverd. Tela. - 1987. - Vol. 29, Is. 6. - P. 1625-1628. - Cited References: 10 . - ISSN 0367-3294

РУБ Physics, Condensed Matter

WOS
Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; RYABINKINA, L. I.; Дрокин, Николай Александрович
}
Найти похожие

DROKIN, N. A.
PHOTOCONDUCTIVITY IN TIN-DOPED MAGNETITE / N. A. DROKIN, E. Y. AKSENOVA, Y. A. MAMALUI // Fiz. Tverd. Tela. - 1984. - Vol. 26, Is. 6. - P. 1837-1838. - Cited References: 5 . - ISSN 0367-3294

РУБ Physics, Condensed Matter

WOS
Доп.точки доступа:
AKSENOVA, E. Y.; MAMALUI, Y. A.
}
Найти похожие

Dark conductivity and photoconductivity of germanium-sillenite crystals doped with aluminum and boron / A. T. Anistratov [et al.] // Fiz. Tverd. Tela. - 1980. - Vol. 22, Is. 6. - P. 1865-1867. - Cited References: 6 . - ISSN 0367-3294

РУБ Physics, Condensed Matter

WOS
Доп.точки доступа:
Anistratov, A. T.; Vorobev, A. V.; Grekhov, Y. N.; Malyshevskii, N. G.
}
Найти похожие

Magnetoresistance, magnetoimpedance, magnetothermopower, and photoconductivity in silver-doped manganese sulfides / O. B. Romanova [et al.] // J. Appl. Phys. - 2019. - Vol. 125, Is. 17. - Ст. 175706, DOI 10.1063/1.5085701. - Cited References: 29. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (Project No. 18-52-00009 Bel_a). The reported study was funded by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science (Project No. 18-42-240001 r_a), to the research project: "Inversion of the Sign of the Components of the Magnetoelectric Tensor on the Temperature in Films of Bismuth Garnet Ferrite Replaced by Neodymium." This study was carried out in the framework of the state task No. 3.5743.2017/6.7. . - ISSN 0021-8979. - ISSN 1089-7550

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
MAGNETIC-PROPERTIES
RESISTIVITY
Аннотация: New multifunction materials in the AgXMn1‒XS (Х = 0.05) system have been synthesized and investigated in the temperature range of 77‒500 K in magnetic fields up to 12 kOe. Near the temperature of the magnetic transition (ТN = 176 K), the anomalous behavior of the temperature dependence of magnetization has been observed and has been attributed to the formation of ferrons. An analysis of the infrared spectroscopy data and I‒V characteristics has revealed the spin-polaron subband splitting. Several conductivity channels have been found from the impedance spectra. The temperature and magnetic field dependences of the carrier relaxation time have been obtained. The magnetoresistance (−21%), magnetoimpedance (−65%), magnetothermopower (−40%), and photoconductivity effects have been detected. The majority carrier type, density, and mobility have been determined from the Hall-effect measurement data. The observed effects have been explained using a ferron model.
Синтезированы и исследованы новые многофункциональные материалы системы AgXMn1-XS (Х=0.05) в интервале температур 77-500К в магнитных полях до 12 кЭ. В близи температуры магнитного перехода (ТN=176К) наблюдается аномальное поведение температурной зависимости намагниченности, вызванное образованием ферронов. Найдено расщепление спин-поляронной подзоны из ИК спектроскопии и вольт-амперных характеристик. Установлено несколько каналов проводимости из спектров импеданса, отличающихся частоте. Определена зависимость времени релаксации носителей заряда от температуры и магнитного поля. Обнаружено четыре эффекта: магнитосопротивление (-21%), магнитоимпеданс (-65%), магнитотермоЭДС (-40%) и фотопроводимость. Найдены: тип, концентрация и подвижность основных носителей заряда из холловских измерений. Обнаруженные эффекты объясняются в модели ферронов.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Dept Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Siberian State Univ Sci & Technol, Dept Phys, Krasnoyarsk 660014, Russia.
Sci Pract Mat Res Ctr NAS, Minsk 220072, BELARUS.

Доп.точки доступа:
Romanova, O. B.; Романова, Оксана Борисовна; Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Udod, L. V.; Удод, Любовь Викторовна; Sitnikov, M. N.; Kretinin, V. V.; Yanushkevich, K. I.; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Russian Foundation for Basic Research [18-52-00009 Bel_a]; Government of Krasnoyarsk Territory; Krasnoyarsk Regional Fund of Science [18-42-240001 r_a]
}
Найти похожие