Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=DEPOSITION<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Magnetic properties, morphology and interfaces of (Fe/Si)n nanostructures / Bartolome J. [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2016. - Vol. 400. - P. 271-275, DOI 10.1016/j.jmmm.2015.07.046. - Cited References: 43. - The financial support of the Spanish MINECOMAT2011-23791 and MAT2015-53921-R, Aragonese DGA-IMANAE34 (cofounded by Fondo Social Europeo) and European FEDER funds is acknowledged. Program of the President of the Russian Federation for the support of leading scientific schools (Scientific School 2886.2014.2), RFBR (Grant no. 13-02-01265), the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (State contract no. 02.G25.31.0043 and State task no. 16.663.2014К) . - ISSN 0304-8853

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
INTERLAYER EXCHANGE
   Fe/Si(100) INTERFACE
   SILICIDE FORMATION
   ULTRAHIGH-VACUUM
   FILMS
   IRON
   MAGNETORESISTANCE
   SUPERLATTICES
   SPECTROSCOPY
   DEPOSITION
Аннотация: A systematic study of the iron–silicon interfaces formed upon preparation of (Fe/Si) multilayers has been performed by the combination of modern and powerful techniques. Samples were prepared by molecular beam epitaxy under ultrahigh vacuum onto Si wafers or single crystalline Ag(100) buffer layers grown on GaAs(100). The morphology of these films and their interfaces was studied by a combination of scanning transmission electron microscopy, X-ray reflectivity, angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy and hard X-ray photoelectron spectroscopy. The Si-on-Fe interface thickness and roughness were determined to be 1.4(1) nm and 0.6(1) nm, respectively. Moreover, determination of the stable phases formed at both Fe-on-Si and Si-on-Fe interfaces was performed using conversion electron Mössbauer spectroscopy on multilayers with well separated Si-on-Fe and Fe-on-Si interfaces. It is shown that while a fraction of Fe remains as α-Fe, the rest has reacted with Si, forming the paramagnetic FeSi phase and a ferromagnetic Fe rich silicide. We conclude that there is an identical paramagnetic c-Fe1−xSi silicide sublayer in both Si-on-Fe and Fe-on-Si interfaces, whereas an asymmetry is revealed in the composition of the ferromagnetic silicide sublayer.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Bartolome, J.; Badía-Romano, L.; Rubin J.; Bartolome F.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Burgler D.E.; International Conference on Magnetism(20 ; 2015 ; Jul ; 5-10 ; Barselona, Spain)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

Plasma-chemical synthesis of copper oxide nanoparticles in a low-pressure arc discharge / A. V. Uschakov [et al.] // Vacuum. - 2016. - Vol. 133. - P. 25-30, DOI 10.1016/j.vacuum.2016.08.007. - Cited References:36. - The work was performed with a support of the grant of the Russian Science Foundation (Project No. 16-19-10054) . - ISSN 0042-207X

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
VACUUM-ARC
   PLASMACHEMICAL SYNTHESIS
   THIN-FILM
   DEPOSITION
Кл.слова (ненормированные):
Copper oxide nanoparticles -- Low pressure arc discharge -- Plasma-chemical synthesis -- Paschen curve -- Similarity parameter
Аннотация: The influence of a pressure of gas mixture (10 vol% O2 + 90% N2) on an average size of copper oxide nanoparticles, produced in the plasma of low pressure arc discharge, has been studied as a basic process variable. A correlation between the dependence of average particle size on gas mixture pressure and the dependence of discharge gap voltage on product of interelectrode distance by a gas mixture pressure, has been found. The estimation was carried out by means of X-ray diffraction (XRD) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). A mathematical model of the cathode region, which shows the applicability of the similarity theory to the low pressure arc discharge, has been represented.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Uschakov, A. V.; Karpov, I. V.; Lepeshev, A. A.; Petrov, M. I.; Петров, Михаил Иванович; Russian Science Foundation [16-19-10054]
}
Найти похожие

    Новый метод получения прозрачных проводящих пленок оксида индия (III) и оксида индия-олова / Н. П. Фадеева, С. В. Сайкова, Е. В. Пикурова [и др.] // Журн. СФУ. Химия. - 2021. - Т. 14, № 1. - С. 45-58 ; J. Sib. Fed. Univ. Chem., DOI 10.17516/1998-2836-0215. - Библиогр.: 36. - Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 18-33-00504) и стипендии Президента Российской Федерации (СП-2235.2019.1). В работе использованы приборы ЦКП СФУ и Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН . - ISSN 1998-2836. - ISSN 2313-6049
   Перевод заглавия: А new method of obtaining transparent conducting films of indium (III) oxide and indium-tin oxide

РУБ Chemistry, Multidisciplinary
Рубрики:
ITO THIN-FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
DEPOSITION
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- оксид индия -- оксид индия-олова -- анионообменный синтез -- films -- indium oxide -- indium tin oxide -- anion resin exchange synthesis
Аннотация: В работе получены седиментационно устойчивые золи гидроксидов индия (III) и олова (IV) методом анионообменного синтеза, заключающимся в обменной реакции между ОН‑ионами анионообменной смолы и анионами металлосодержащих растворов. Синтезированные гидрозоли использованы для получения проводящих пленок оксида индия (III) In2O3 и оксида индия, легированного оловом In2O3:Sn, с поверхностным сопротивлением 4 кОм/кв, толщинами 200–500 нм и прозрачностью более 85 %. Подобраны режимы нанесения прекурсоров на стеклянные подложки модифицированным спрей-методом и методом центрифугирования. Пленки исследованы с помощью РФА, СЭМ, оптической микроскопии и спектрофотометрии.
In the work, sedimentation-stable sols of indium (III) and tin (IV) hydroxides were obtained by the Anion Resin Exchange Precipitation, which consists of the exchange reaction between the OH ions of the anion exchange resin and the anions of metal-containing solutions. The synthesized hydrosols were used to obtain conducting films of indium (III) In2O3 oxide and indium oxide doped with Tin In2O3: Sn, with a surface resistance of 4 kOhm/sq, thicknesses of 200-500 urn and a transparency of more than 85 %. The modes of applying precursors to glass substrates by the modified spray method and centrifugation method are selected. Films were studied using XRD, SEM, optical microscopy and spectrophotometry.

Смотреть статью,
РИНЦ,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт химии и химической технологии ФИЦ КНЦ СО РАН Российская Федерация, Красноярск
Сибирский федеральный университет Российская Федерация, Красноярск
ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН» Российская Федерация, Красноярск
Институт физики им. Л. В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН Российская Федерация, Красноярск

Доп.точки доступа:
Фадеева, Н. П.; Сайкова, С. В.; Пикурова, Е. В.; Воронин, А. С.; Фадеев, Ю. В.; Самойло, А. С.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.

}
Найти похожие