Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>S=Micromorphologies<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Synthesis and structural properties of cubic G0-Rb2KMoO3F3 oxyfluoride / V. V. Atuchin [et al.] // Ceram. Int. - 2012. - Vol. 38, Is. 3. - P. 2455-2459, DOI 10.1016/j.ceramint.2011.11.013. - Cited References: 23. - This study was partly supported by RFBR (Grant 09-02-00062) and SB RAS (Grant 34). . - ISSN 0272-8842

РУБ Materials Science, Ceramics
Рубрики:
PHASE-TRANSITIONS
   FERROELECTRIC K3WO3F3
   (NH4)(3)MOO3F3
   TEMPERATURE
   PEROVSKITE
   ELPASOLITE
   CRYSTALS
   BEHAVIOR
   High temperature
   Melt solidification
   Micromorphologies
   Melt solidification
   Microstructure-final
   Oxyfluorides
   Space Groups
   Oxyfluorides
   X ray methods
Кл.слова (ненормированные):
Powders: solid state reaction -- Microstructure-final -- X-ray methods -- Alkali oxides -- Halides
Аннотация: High-temperature G0 polymorph of Rb2KMoO3F3 has been prepared by melt solidification. Micromorphology and chemical properties of the final product were evaluated by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The elpasolite-related crystal structure of G0-Rb2KMoO3F3 has been refined by Rietveld method at T = 298 K (space group Fm-3m, a = 8.92446(8) Å, V = 710.76(1) Å3; RB = 3.55%). Ferroelectric G1-Rb2KMoO3F3 polymorph, earlier reported at T˂328 K, is not found at T = 298 K.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Atuchin, V. V.] SB RAS, Inst Semicond Phys, Lab Opt Mat & Struct, Novosibirsk 630090 90, Russia
[Gavrilova, T. A.] SB RAS, Inst Semicond Phys, Lab Nanolithog & Nanodiagnost, Novosibirsk 630090 90, Russia
[Isaenko, L. I.
Zhurkov, S. A.] SB RAS, Inst Geol & Mineral, Lab Crystal Growth, Novosibirsk 530090 90, Russia
[Kesler, V. G.] SB RAS, Inst Semicond Phys, Lab Phys Principles Integrated Microelect, Novosibirsk 630090 90, Russia
[Molokeev, M. S.] SB RAS, Inst Phys, Lab Crystal Phys, Krasnoyarsk 660036 36, Russia

Доп.точки доступа:
Atuchin, V. V.; Gavrilova, T. A.; Isaenko, L. I.; Kesler, V. G.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Zhurkov, S. A.
}
Найти похожие