Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>S=SILICIDES<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Initial growth stages of manganese films on the Si(100)2 x 1 surface / S. N. Varnakov [et al.] // Phys. Solid State. - 2014. - Vol. 56, Is. 2. - P. 380-384, DOI 10.1134/S1063783414020310. - Cited References: 20. - This study was supported by the Russian-German Laboratory at HZB BESSY, the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (agreement 14V37.21.1276), and the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 13-02-00398 and 13-02-01265). . - ISSN 1063-7834. - ISSN 1090-6460

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
   ROOM-TEMPERATURE
   SILICIDES
   SILICON
Аннотация: Initial growth stages of manganese films on the Si(100)2 × 1 surface at room temperature have been investigated using high-energy-resolution photoelectron spectroscopy, and the dynamics of the variation in their phase composition and electronic structure with the coverage growth has been revealed. It has been shown that the interfacial manganese silicide and the film of the solid solution of silicon in manganese are sequentially formed under these conditions on the silicon surface. The growth of the metal manganese film starts after the deposition of ~0.9 nm Mn. Segregation of silicon on the film surface is observed in the range of coverages up to 1.6 nm Mn.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(100)2x1 [Текст] / С. Н. Варнаков [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2014. - Т. 56 Вып. 2. - С. 375-379

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Ioffe Phys Tech Inst, St Petersburg 194021, Russia

Доп.точки доступа:
Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Gomoyunova, M. V.; Grebenyuk, G. S.; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Pronin, I. I.; Russian-German Laboratory at HZB BESSY; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14V37.21.1276]; Russian Foundation for Basic Research [13-02-00398, 13-02-01265]
}
Найти похожие