Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=VOLTAGE<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Modulation of defect modes intensity by controlled light scattering in a photonic structure with a liquid-crystal component / V. A. Gunyakov [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2015. - Vol. 41, Is. 1. - P. 86-89, DOI 10.1134/S1063785015010241. - Cited References:20. - This study was supported in part by the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (projects nos. 43 and 101) and by a Joint Project of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences and the National Science Council of Taiwan. . - ISSN 1063. - ISSN 1090-6533. -

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
SILICON
VOLTAGE
Аннотация: We describe a new method of defect modes intensity modulation in a multilayer photonic structure containing liquid crystal (LC) inclusions. The proposed method is based on using the regime of electroconvective instability in a nematic LC, which leads to the appearance of a scattered mode sensitive to the polarization type in the optical response. The defect mode intensity is controlled by variation of the angle between the initial planar orientation of the director and the polarization plane of light normally incident onto the photonic structure.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Модуляция интенсивности дефектных мод в фотонной структуре с жидкокристаллическим компонентом на основе управляемого светорассеяния [Текст] / В. А. Гуняков [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2015. - Т. 41 Вып. 2. - С. 70–78

Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk Sci Ctr, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia.

Доп.точки доступа:
Gunyakov, V. A.; Гуняков, Владимир Алексеевич; Krakhalev, M. N.; Крахалев, Михаил Николаевич; Zyryanov, V. Ya.; Зырянов, Виктор Яковлевич; Shabanov, V. F.; Шабанов, Василий Филиппович
}
Найти похожие

Transport and magnetic properties of Y3/4Lu1/4Ba2Cu3O7+Y3Fe5O12 composites representing a Josephson-type superconductor-ferrimagnet-superconductor weak-link network / K. A. Shaikhutdinov [et al.] // Phys. Solid State. - 2003. - Vol. 45, Is. 10. - P. 1866-1873, DOI 10.1134/1.1620087. - Cited References: 36 . - ISSN 1063-7834

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
RESISTIVE PROPERTIES
   JUNCTION NETWORK
   SYSTEM
   TRANSITION
   CURRENTS
   VOLTAGE
   STATE
   FIELD
Аннотация: Y3/4Lu1/4Ba2Cu3O7 + Y3Fe5O12 composites with different volume ratios of the starting components were synthesized. The composites model an S-F-S Josephson junction network, where S stands for a superconductor and F, for a ferrimagnet. A study of the transport characteristics of the composites revealed that the temperature behavior of the electrical resistivity rho(T) below the superconducting transition point T-C is different in two regions separated by a temperature T-m. Below T-m, the current-voltage characteristics of the composites are nonlinear, while in the interval from T-C to T-m the values of rho(T) do not depend on the transport current j and magnetic field H. This behavior of rho(T, j ) and rho(T, H) is assigned to specific features of the tunneling of superconducting carriers through the ferrimagnetic layers separating HTSC grains in the composite. Magnetic measurements showed the diamagnetic response of HTSC grains to be lower in composites with a ferrimagnet. (C) 2003 MAIK "Nauka / Interperiodica".

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Div, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Shaikhutdinov, K. A.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Balaev, D. A.; Балаев, Дмитрий Александрович; Popkov, S. I.; Попков, Сергей Иванович; Petrov, M. I.; Петров, Михаил Иванович
}
Найти похожие