Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Борисов, Алексей Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

   В37
   Б 82

    Борисов, Алексей Александрович.
    Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в рамках обобщенного метода сильной связи [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.12.2002 / А. А. Борисов ; науч. рук.: С. Г. Овчинников, В. А. Гавричков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2002. - 173 с. - Библиогр.: 114 назв. -

ГРНТИ

29.19.24

ББК В373.1я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. рук.\; Ovchinnikov, S. G.; Гавричков, Владимир Александрович \науч. рук.\; Gavrichkov, V. A.; Borisov A.A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
Дс (1)
Свободны: Дс (1)}
Найти похожие

Борисов, Алексей Александрович.
Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в обобщенном методе сильной связи / А. А. Борисов, В. А. Гавричков, С. Г. Овчинников // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2003. - Т. 124, Вып. 4. - С. 862-870 . - ISSN 0044-4510

ГРНТИ

29.19.29

Аннотация: Электронная структура дырочно допированных ВТСП-купратов рассчитывается с явным учетом сильных электронных корреляций. Прослежена плавная эволюция электронной структуры от недопированного антиферромагнетика к оптимально и сильно допированным парамагнитным составам. При малом допировании получены внутрищелевые состояния примесного типа, на которых пиннингуется уровень Ферми в области слабого допирования. Эти состояния отделены псевдощелью от валентной зоны. В парамагнитной фазе рассчитанные поверхности Ферми для разной концентрации дырок хорошо согласуются с данными ARPES-экспериментов и показывают постепенную смену типа поверхности Ферми от дырочного к электронному.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Borisov A.A. Temperature and concentration dependences of the electronic structure of copper oxides in the generalized tight binding method [Текст] / A. A. Borisov, V. A. Gavrichkov, S. G. Ovchinnikov // J. Exp. Theor. Phys. : AMER INST PHYSICS, 2003. - Vol. 97 Is. 4.- P773-780

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гавричков, Владимир Александрович; Gavrichkov, V. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Эволюция зонной структуры квазичастиц с допированием в оксидах меди в рамках обобщенного метода сильной связи / В. А. Гавричков [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2000. - Т. 118, Вып. 2. - С. 422-437 . - ISSN 0044-4510

ГРНТИ

29.19.29

Аннотация: В настоящей работе на основе ортогонального ячеечного базиса для реалистичной многозонной pd-модели CuO2-слоя определены два способа стабилизации двухдырочного 3B1g-состояния в качестве основного вместо синглета Жанга-Райса; вычислены дисперсионные зависимости потолка валентной зоны как в недопированном, так и в допированном случаях. В недопированном случае, помимо валентной зоны, качественно соответствующей экспериментальным ARPES-данным для Sr2CuO2Cl2 и результатам, полученным в рамках t-t'-J-модели, расчеты дают бездисперсный виртуальный уровень на самом потолке валентной зоны. Из-за нулевой амплитуды переходов, формирующих виртуальный уровень, соответствующий ему отклик отсутствует в функции спектральной плотности. Как следствие, экспериментальные ARPES-данные не воспроизводят его присутствие в этом антиферромагнитном недопированном диэлектрике. Расчет допированного случая показал, что виртуальный уровень трансформируется в зону примесного типа и приобретает дисперсию благодаря отличным от нуля числам заполнения двухдырочных состояний и, как следствие, должен детектироваться в ARPES-эксперименте в качестве высокоэнергетичного пика в спектральной плотности. Расчетная дисперсионная зависимость для потолка валентной зоны воспроизводит дисперсию, полученную с помощью метода Moнте-Карло, и ARPES-данные для оптимально допированных образцов Bi2Sr2CaCu2O8+δ. Полученные данные также позволяют объяснить наличие энергетической псевдощели в симметричной точке X зоны Бриллюэна ВТСП-соединений. [-2mm]

Переводная версия Evolution of the band structure of quasiparticles with doping in copper oxides on the basis of a generalized tight-binding method [Текст] / V. A. Gavrichkov [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. : AMER INST PHYSICS, 2000. - Vol. 91 Is. 2.- P369-383

Гавричков, Владимир Александрович.
Анализ поляризованных ARPES-спектров недопированных купратов / В. А. Гавричков, А. А. Борисов, С. Г. Овчинников // Физ. тверд. тела. - 2001. - Т. 43, Вып. 10. - С. 1799-1807 . - ISSN 0367-3294

ГРНТИ

29.19.29

Аннотация: С помощью обобщенного метода сильной связи исследована спектральная плотность в ARPES-спектрах антиферромагн. диэлектриков Sr[2]CuO[2]Cl[2] и Ca[2]CuO[2]Cl[2] вдоль основных симметричных направлений зоны Бриллюэна. Установлено, что на потолке валентной зоны данных недопированных соединений в АФМ фазе имеется псевдощель магн. природы E[s](k)'ЭКВИВ'0-0.4 eV между виртуальным уровнем и самой валентной зоной, а близость триплета {3}B[1g] и уровня ZR-синглета может являться причиной наблюдаемого подобия дисперсии вдоль направлений 'ГАММА''↔'M и X'↔'Y. Рассчитанная четность поляризованных ARPES-спектров в точках 'ГАММА', M, X для АФМ фазы с учетом парциальных вкладов является положительной. Указаны также условия наблюдения парциальных вкладов в поляризованных ARPES-экспериментах. За счет спиновых флуктуаций виртуальный уровень приобретает дисперсию и малый спектральный вес. Вероятно, эффекты затухания просто не позволяют его разрешить на фоне основного квазичастичного пика.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Борисов, Алексей Александрович; Borisov A.A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Gavrichkov, V. A.
}
Найти похожие

   В37

    Борисов, Алексей Александрович.
    Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в рамках обобщенного метода сильной связи : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.12.2002 / А. А. Борисов ; науч. рук.: С. Г. Овчинников, В. А. Гавричков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2002. - 17 с. - Библиогр. - 60 экз. -

ГРНТИ

29.19.24

Рубрики:
Сверхпроводники высокотемпературные (ВТСП)--Свойства электромагнитные--Исследование
Сверхпроводники высокотемпературные (ВТСП)--Структура электронная--Моделирование

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. рук.\; Ovchinnikov, S. G.; Гавричков, Владимир Александрович \науч. рук.\; Gavrichkov, V. A.; Вальков, Валерий Владимирович \офиц. опп.\; Val'kov, V. V.; Захаров, Юрий Владимирович \офиц. опп.\; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет}
Найти похожие